A．結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學(xué)式為C9S8
B．晶胞2中S與S的最短距離為 eq \f(\r(3),2) a
C．晶胞2中距Li最近的S有4個(gè)
D．晶胞2和晶胞3表示同一晶體
答案：B
解析：由均攤法知，結(jié)構(gòu)1中含C數(shù)目為 eq \f(1,8) ×4＋4＝4.5，含S數(shù)目為 eq \f(1,4) ×12＋1＝4，C、S個(gè)數(shù)比為9∶8，則結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學(xué)式為C9S8，A正確；由晶胞2可知，S與S的最短距離為面對(duì)角線長(zhǎng)度的 eq \f(1,2) ，即 eq \f(\r(2),2) a，B錯(cuò)誤；晶胞2中Li與周圍4個(gè)S形成正四面體結(jié)構(gòu)，故晶胞2中距Li最近的S有4個(gè)，C正確；晶胞2中Li數(shù)目為8，S數(shù)目為 eq \f(1,4) ×12＋1＝4，晶胞2含4個(gè)S，晶胞3中Li數(shù)目為8，S數(shù)目為 eq \f(1,8) ×8＋ eq \f(1,2) ×6＝4，晶胞3也含4個(gè)S，故晶胞2和晶胞3表示同一晶體，D正確。
2．[2023·遼寧卷]晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體（圖1），進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料（圖2）。下列說法錯(cuò)誤的是（ ）
A.圖1晶體密度為 eq \f(72.5,NA×a3×10－30) g· cm－3
B．圖1中O原子的配位數(shù)為6
C．圖2表示的化學(xué)式為L(zhǎng)iMg2OClxBr1－x
D．Mg2＋取代產(chǎn)生的空位有利于Li＋傳導(dǎo)
答案：C
解析：根據(jù)均攤法，圖1的晶胞中含Li：8× eq \f(1,4) ＋1＝3，O：2× eq \f(1,2) ＝1，Cl：4× eq \f(1,4) ＝1，1個(gè)晶胞的質(zhì)量為 eq \f(3×7＋16＋35.5,NA) g＝ eq \f(72.5,NA) g，晶胞的體積為（a×10－10 cm）3＝a3×10－30 cm3，則晶體的密度為 eq \f(72.5,NA) g÷（a3×10－30 cm3）＝ eq \f(72.5,NA×a3×10－30) g·cm－3，A項(xiàng)正確；圖1晶胞中，O位于面心，與O等距離最近的Li有6個(gè)，O原子的配位數(shù)為6，B項(xiàng)正確；根據(jù)均攤法，圖2中Li：1，Mg或空位為8× eq \f(1,4) ＝2，O：2× eq \f(1,2) ＝1，Cl或Br：4× eq \f(1,4) ＝1，Mg的個(gè)數(shù)小于2，根據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為0，圖2的化學(xué)式為L(zhǎng)iMgOClxBr1－x，C項(xiàng)錯(cuò)誤；進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料，說明Mg2＋取代產(chǎn)生的空位有利于Li＋的傳導(dǎo)，D項(xiàng)正確；答案選C。
3．[2023·湖北卷]鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn，在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。LaHn，屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下LaH2中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，即得到晶體LaHx。下列說法錯(cuò)誤的是（ ）
A．LaH2晶體中La的配位數(shù)為8
B．晶體中H和H的最短距離：LaH2>LaHx
C．在LaHx晶胞中，H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠
D．LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為 eq \f(40,（4.84×10－8）3×6.02×1023) g·cm－3
答案：C
解析：由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點(diǎn)和面心，晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子，若以頂點(diǎn)La研究，與之最近的H原子有8個(gè)，則La的配位數(shù)為8，故A正確；由LaHx晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：LaH2>LaHx，故B正確；由題干信息可知，在LaHx晶胞中，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè)，頂點(diǎn)數(shù)為4×8＝32，且不是閉合的結(jié)構(gòu)，故C錯(cuò)誤；1個(gè)LaHx晶胞中含有5×8＝40個(gè)H原子，含H質(zhì)量為 eq \f(40,NA) g，晶胞的體積為（484.0×10－10 cm）3＝（4.84×10－8）3cm3，則LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為 eq \f(40,（4.84×10－8）3×6.02×1023) g·cm－3，故D正確；答案選C。
4．[2024·鄭州模擬]下列有關(guān)說法不正確的是（ ）
A．水合銅離子的模型如圖1所示，1個(gè)水合銅離子中有4個(gè)配位鍵
B．CaF2晶體的晶胞如圖2所示，每個(gè)CaF2晶胞平均占有4個(gè)Ca2＋
C．H原子的電子云圖如圖3所示，H原子核外大多數(shù)電子在原子核附近運(yùn)動(dòng)
D．金屬Cu中Cu原子堆積模型如圖4，為最密堆積，每個(gè)Cu原子的配位數(shù)均為12
答案：C
解析：水合銅離子中銅離子的配位數(shù)為4，配體是水，水中的氧原子提供孤電子對(duì)與銅離子形成配位鍵，A正確；根據(jù)均攤法可以知道，在CaF2晶體的晶胞中，每個(gè)CaF2晶胞平均占有Ca2＋個(gè)數(shù)為1/8×8＋1/2×6＝4，B正確；電子云密度表示電子在某一區(qū)域出現(xiàn)的機(jī)會(huì)的多少，H原子最外層只有一個(gè)電子，所以不存在大多數(shù)電子一說，只能說H原子的一個(gè)電子在原子核附近出現(xiàn)的機(jī)會(huì)較多，C錯(cuò)誤；在金屬晶體的最密堆積中，對(duì)于每個(gè)原子來說，在其周圍的原子有與之同一層上有六個(gè)原子和上一層的三個(gè)及下一層的三個(gè)，故每個(gè)原子周圍都有12個(gè)原子與之相連，對(duì)于銅原子也是如此，D正確。
5．[2024·湖北卷]黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí)，純金為24K。Au-Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是（ ）
A．Ⅰ為18K金
B．Ⅱ中Au的配位數(shù)是12
C．Ⅲ中最小核間距Au-Cu離子晶體>分子晶體；在共價(jià)晶體中，原子半徑越大熔點(diǎn)越低；在離子晶體中，離子半徑越大，熔點(diǎn)越低，電荷越多，熔點(diǎn)越高；在分子晶體中，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越高（含有氫鍵的物質(zhì)除外），所以這幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序是金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O、H2S，故③正確；④離子晶體中可能有共價(jià)鍵，如氯化銨中氮?dú)滏I屬于共價(jià)鍵，分子晶體中肯定沒有離子鍵，故④錯(cuò)誤；⑤由晶胞結(jié)構(gòu)可知CaTiO3晶體中Ti的配位數(shù)為12，所以每個(gè)Ti4＋和12個(gè)O2－緊鄰，故⑤正確；⑥SiO2晶體中每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合，故⑥錯(cuò)誤；⑦分子穩(wěn)定性與分子內(nèi)共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，與分子間作用力無關(guān)，故⑦錯(cuò)誤；⑧離子晶體熔化時(shí)離子鍵被破壞，氯化鈉是離子晶體，故⑧正確。故正確序號(hào)為③⑤⑧。綜上所述，本題正確答案為D。
11．[2024·石家莊市質(zhì)量檢測(cè)]某晶體由鎂、鋁、氧三種元素組成，若將其晶胞按圖1方式切成8個(gè)體積相同的小立方體，Mg2＋、Al3＋和O2－在小立方體中的分布如圖2、圖3所示。已知Mg2＋之間的最小間距為a pm。下列說法錯(cuò)誤的是（ ）
A．晶體的化學(xué)式為MgAl2O4
B．晶體中三種元素的第一電離能：O>Mg>Al
C．晶胞的體積為 eq \f(8\r(3),9) a3×10－30 cm3
D．晶體中Mg2＋的配位數(shù)為4
答案：C
解析：立方體A中，Mg2＋位于4個(gè)頂點(diǎn)和體心，根據(jù)均攤法，Mg2＋個(gè)數(shù)為4× eq \f(1,8) ＋1＝ eq \f(3,2) ，O2－位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為4，立方體B中，Mg2＋位于4個(gè)頂點(diǎn)，個(gè)數(shù)為 eq \f(1,2) ，Al3＋位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為4，O2－位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為4，圖1晶胞由4個(gè)立方體A、4個(gè)立方體B構(gòu)成，所以晶胞中Mg2＋個(gè)數(shù)為（ eq \f(3,2) ＋ eq \f(1,2) ）×4＝8，Al3＋個(gè)數(shù)為4×4＝16，O2－個(gè)數(shù)為（4＋4）×4＝32，所以該晶體的化學(xué)式為MgAl2O4，A項(xiàng)正確；同周期元素自左向右第一電離能呈增大的趨勢(shì)，但第ⅡA族元素的第一電離能大于第ⅢA族元素的，同一主族元素第一電離能自上而下逐漸減小，則晶體中三種元素的第一電離能：O>Mg>Al，B項(xiàng)正確；兩個(gè)最近的Mg2＋在體對(duì)角線上，二者的距離為體對(duì)角線長(zhǎng)度的 eq \f(1,4) ，設(shè)晶胞的棱長(zhǎng)為x cm，則a×10－10＝ eq \f(\r(3)x,4) ，x＝ eq \f(4a×10－10,\r(3)) ，晶胞的體積為（ eq \f(4a×10－10,\r(3)) cm）3＝ eq \f(64\r(3)a3×10－30,9) cm3，C項(xiàng)錯(cuò)誤；由立方體A的結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Mg2＋與4個(gè)O2－緊鄰，則Mg2＋的配位數(shù)為4，D項(xiàng)正確。
12．[2024·湖北鄂東南省級(jí)示范高中期中]下列敘述不正確的是（ ）
A．Li2S晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲，S2－的配位數(shù)是8
B．某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙，晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為3∶1
C．氯化鈉晶胞如圖丙，離鈉離子最近的鈉離子有6個(gè)
D．銅與氧形成的晶胞如圖丁，晶胞中Cu均勻地分散在立方體內(nèi)部，a、b的坐標(biāo)參數(shù)分別為（0，0，0）、 eq \b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\c1(\f(1,2)，\f(1,2)，\f(1,2))) ，則d的坐標(biāo)參數(shù)為 eq \b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\c1(\f(3,4)，\f(3,4)，\f(1,4)))
答案：C
解析：由Li2S的晶胞結(jié)構(gòu)可知，S2－的配位數(shù)是8，A項(xiàng)正確；根據(jù)“均攤法”，晶胞中Ni原子的個(gè)數(shù)為8× eq \f(1,8) ＝1，Cu原子的個(gè)數(shù)為6× eq \f(1,2) ＝3，則晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為3∶1，B項(xiàng)正確；以頂點(diǎn)Na＋為研究對(duì)象，在圖示晶胞中離其最近的Na＋為位于面心上的Na＋，頂點(diǎn)Na＋與3個(gè)面的面心上的Na＋緊鄰，每個(gè)頂點(diǎn)參與形成8個(gè)晶胞，每個(gè)面參與形成2個(gè)晶胞，因此氯化鈉晶胞中離鈉離子最近的鈉離子有12個(gè)，C項(xiàng)錯(cuò)誤；由晶胞圖可知Cu原子位于體對(duì)角線上，與體心O原子的距離為體對(duì)角線長(zhǎng)的 eq \f(1,4) ，a、b的坐標(biāo)參數(shù)分別為（0，0，0）、 eq \b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\c1(\f(1,2)，\f(1,2)，\f(1,2))) ，則d的坐標(biāo)參數(shù)為 eq \b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\c1(\f(3,4)，\f(3,4)，\f(1,4))) ，D項(xiàng)正確。
事實(shí)
解釋
A
甘油是黏稠液體
甘油分子間的氫鍵較強(qiáng)
B
王水溶解鉑
濃鹽酸增強(qiáng)了濃硝酸的氧化性
C
冰的密度小于干冰
冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低
D
石墨能導(dǎo)電
未雜化的p軌道重疊使電子可在整個(gè)碳原子平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)

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