一、單選題
1．高純度的鐵可以使用氫還原高純度的氧化鐵或直接用五羰基合鐵(熔點(diǎn)為，沸點(diǎn)為)熱分解制得。實(shí)驗(yàn)室可用赤血鹽()溶液檢驗(yàn)，黃血鹽()溶液檢驗(yàn)。下列有關(guān)鐵及其化合物的說(shuō)法正確的是
A．元素位于周期表的第ⅧB(niǎo)族
B．赤血鹽中鐵元素核外有5個(gè)未成對(duì)電子
C．晶體是離子晶體
D．若黃血鹽受熱分解產(chǎn)物之一的晶胞結(jié)構(gòu)上圖所示，則其化學(xué)式為
2．黃銅礦是工業(yè)煉銅的原料，含有的主要元素是硫、鐵、銅。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是
A．基態(tài)硫原子中核外電子有9種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)
B．硫元素最簡(jiǎn)單氫化物的分子的VSEPR構(gòu)型是V形
C．鐵元素在元素周期表的ds區(qū)
D．CuCl熔點(diǎn)為426℃，熔融時(shí)幾乎不導(dǎo)電，容易形成二聚體，說(shuō)明CuCl是原子晶體
3．我國(guó)疾控中心利用尿素()制備出了兩種低溫消毒劑：三聚氰酸()和二氯異氰尿酸鈉()。已知：尿素分子中所有原子共平面。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．尿素分子中鍵角與鍵角基本相等
B．三聚氰酸晶體屬于分子晶體
C．基態(tài)N原子的電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有5種
D．二氯異氰尿酸鈉中元素的電負(fù)性：N>O>Na
4．已知氯化鋁的熔點(diǎn)為、氟化鋁的熔點(diǎn)為，氯化鋁二聚體的空間填充模型如圖1所示，氟化鋁的晶胞結(jié)構(gòu)(晶體密度為，阿伏加德羅常數(shù)為)如圖2所示。下列說(shuō)法正確的是
A．圖1中物質(zhì)的分子式為B．氟化鋁中的配位數(shù)為6
C．晶胞參數(shù)D．氯化鋁、氟化鋁均為離子晶體
5．鈦酸鋇()是一種新型太陽(yáng)能電池材料，其制備原理為：。已知鈦酸鋇的晶胞結(jié)構(gòu)均與接觸)和元素周期表中鈦的數(shù)據(jù)如圖所示，晶胞參數(shù)為為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列有關(guān)敘述正確的是
A．Ti元素的質(zhì)量數(shù)為47.87B．晶體中與緊鄰的有12個(gè)
C．的化學(xué)式為D．鈦酸鋇的密度約為
6．氨是常用的化工原料，研究發(fā)現(xiàn)可通過(guò)高效催化劑高選擇性地將還原為。我國(guó)科學(xué)工作者利用氮化鈷(圖1)摻雜Cu，獲得具有高效催化性能的摻雜物(圖2)。
下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．摻雜前，氮化鈷的化學(xué)式為
B．被還原為后，鍵角將變大
C．晶體中，若晶胞參數(shù)為apm，則最近的C原子核間距為
D．晶體中，Cu原子周圍最近的C原子為12個(gè)
7．砷化鎘晶胞結(jié)構(gòu)如圖，圖1中“①”和“②”位是“真空”，晶胞參數(shù)為apm，建立如圖2，①號(hào)位的坐標(biāo)為(，，)。已知：砷化鎘的摩爾質(zhì)量為Mg·ml-1，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．砷化鎘中Cd與As原子個(gè)數(shù)比為3：2
B．兩個(gè)Cd原子間最短距離為0.5a pm
C．③號(hào)位原子坐標(biāo)參數(shù)為(，1，)
D．該晶胞的密度為NA(a×10—10)3g·cm-3
8．硒化鋅是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示。已知晶胞參數(shù)為q nm，乙圖為晶胞的俯視圖，a點(diǎn)的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。
下列說(shuō)法正確的是
A．晶胞中硒原子的配位數(shù)為12
B．晶胞中d點(diǎn)的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為
C．相鄰兩個(gè)Zn原子的最短距離為nm
D．Zn和Se在元素周期表中分別位于d區(qū)與p區(qū)
9．氮化鎵是新型半導(dǎo)體材料，其晶胞如圖所示，A原子坐標(biāo)，晶胞參數(shù)為cnm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說(shuō)法正確的是
A．晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為Ga2N7
B．B原子坐標(biāo)為34,34,34
C．N形成的正四面體空隙中Ga的填充率為100%
D．該氮化鎵晶體的密度為
10．一種由Mn、Se組成的化合物立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知化合物的摩爾質(zhì)量為，晶胞參數(shù)為anm，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該化合物的化學(xué)式可表示為MnSeB．與Se原子距離最近的Se原子有12個(gè)
C．Mn、Se原子的最近距離是D．晶胞密度為
11．鈣鈦礦電池是第三代非硅薄膜太陽(yáng)能電池的代表，具有較高的能量轉(zhuǎn)化效率。如圖是一種邊長(zhǎng)為的鈣鈦礦的正方體晶胞結(jié)構(gòu)，其中原子占據(jù)正方體中心，O原子位于每條棱的中點(diǎn)。其中以原子1為原點(diǎn)，原子2的坐標(biāo)為。下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．原子3的坐標(biāo)為B．原子與原子最近距離為
C．距離原子最近的O原子有6個(gè)D．該晶胞密度約為
12．一種新型超導(dǎo)材料由Li、Fe、Se組成，晶胞如圖所示(Fe原子均位于面上)。晶胞棱邊夾角均為90°，X的坐標(biāo)為(0，1，)，Y的坐標(biāo)為(，，)，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值(已知：以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo))。下列說(shuō)法正確的是
A．可通過(guò)紅外光譜和質(zhì)譜測(cè)定原子坐標(biāo)
B．坐標(biāo)為(，1，)的原子是Li原子
C．Se原子X(jué)與Se原子Y之間的距離為
D．該晶體的密度為
13．鈉元素和硒元素可組成一種對(duì)蛋白質(zhì)的合成和糖代謝有保護(hù)作用的無(wú)機(jī)化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知和的半徑分別為a nm和b nm，晶胞參數(shù)為c nm。下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該晶體的化學(xué)式為
B．與距離最近且相等的數(shù)目為8
C．該晶胞的空間利用率為
D．位于由構(gòu)成的四面體空隙中，位于由構(gòu)成的六面體空隙中
14．金剛石和C60都是由碳元素組成的重要單質(zhì)，金剛石和C60分子及它們的晶胞如圖所示(已知≈1.732、π≈3.14)：
下列說(shuō)法正確的是
A．每個(gè)金剛石晶胞中含有4個(gè)碳原子
B．每個(gè)C60分子含有90個(gè)σ鍵
C．金剛石和C60晶胞中微粒間的作用力均只有共價(jià)鍵
D．每個(gè)金剛石晶胞原子的空間利用率為74.05%
15．已知空間利用率是指構(gòu)成晶體的原子、離子或分子在整個(gè)晶體空間中所占有的體積百分比。下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是
A．銅碘雜化團(tuán)簇分子結(jié)構(gòu)如圖1所示，分子間通過(guò)范德華力聚集在一起
B．晶體的晶胞如圖2所示，標(biāo)記為X的的分子坐標(biāo)為
C．H原子的電子云如圖3所示，H原子核外大多數(shù)電子在原子核附近運(yùn)動(dòng)
D．金屬Cu為面心立方晶胞(如圖4所示)，其空間利用率約為74%
16．是目前儲(chǔ)氫密度最高的材料之一，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長(zhǎng)為apm。Mg原子占據(jù)Fe形成的所有四面體空隙，儲(chǔ)氫后，分子占據(jù)Fe形成的八面體空隙，化學(xué)式為。下列說(shuō)法正確的是
A．晶胞中，存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵和離子鍵
B．氫氣儲(chǔ)滿后晶體的化學(xué)式為
C．氫氣儲(chǔ)滿后，和的最短距離為
D．晶胞中Fe與Mg的配位數(shù)均為4
17．有一種有超導(dǎo)性的硼鎂化合物，晶體結(jié)構(gòu)屬于立方晶系。其晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿軸的投影圖如圖所示，關(guān)于其晶體下列說(shuō)法正確的
A．該化合物的化學(xué)式為B．一個(gè)晶胞中含有2個(gè)
C．最近距離為D．與距離最近且相等的有8個(gè)
18．砷化硼的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的邊長(zhǎng)為apm，下列說(shuō)法中正確的是
A．砷化硼的化學(xué)式為B2As
B．砷化硼晶胞中，As的配位數(shù)是4
C．砷化硼晶胞中，B原子之間的最短距離為
D．與B原子最近且距離相等的B原子有6個(gè)
19．某立方晶系的銻鉀合金可作為鉀離子電池的電極材料，下圖表示晶胞。下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是
A．該晶胞的體積為B．和原子數(shù)之比為
C．與最鄰近的原子數(shù)為4D．該晶胞的俯視圖為
20．金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(假設(shè)晶胞參數(shù)為anm)，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．金原子在晶胞中的空間利用率約為74%
B．c原子的坐標(biāo)為 (，0，)
C．該晶體的密度為
D．金晶胞沿z軸方向的投影圖為
21．砷化鎵是一種立方晶系如圖甲所示，將摻雜到晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料如圖乙所示，砷化鎵的晶胞參數(shù)為，密度為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A．砷化鎵中的配位數(shù)為4
B．晶體中，和的最近距離是
C．摻雜到砷化鎵晶體中，和最近且等距離的的數(shù)目為4
D．沿體對(duì)角線方向投影圖如丙，若c在11處，則的位置為8、10、12、13
22．[C(NH3)6]Cl2晶體的晶胞如下圖所示(已知該立方晶胞的邊長(zhǎng)為a pm，阿伏加德羅常數(shù)為NA，[C(NH3)6]Cl2的摩爾質(zhì)量為M g/ml)，以下說(shuō)法正確的是
A．[C(NH3)6]Cl2中，中心離子的配位數(shù)為8
B．離[C(NH3)6]2+最近的Cl- 有4個(gè)
C．若規(guī)定A點(diǎn)原子坐標(biāo)為(0，0，0)，則C點(diǎn)原子坐標(biāo)為()
D．[C(NH3)6]Cl2晶體的密度為
23．采用了氮化鎵元件的充電器體積小、質(zhì)量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器也有更大的優(yōu)勢(shì)，被稱為“快充黑科技”，下圖是氮化鎵的三種晶體結(jié)構(gòu)(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．Ga、N均屬于p區(qū)元素
B．圖a晶體結(jié)構(gòu)中含有6個(gè)Ga、6個(gè)N
C．圖b晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，則晶體的密度為
D．三種晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)之比為3∶2∶3
24．硅與鎂能夠形成二元半導(dǎo)體材料，其晶胞如圖所示，已知晶胞參數(shù)為r nm。阿伏加德羅常數(shù)值為NA，下列說(shuō)法正確的是
A．鎂原子位于硅原子所構(gòu)成的正八面體空隙中，空隙填充率為100%
B．晶體中硅原子的配位數(shù)為4
C．該晶體中兩個(gè)硅原子間的最短距離為nm
D．晶體的密度為g/cm3
25．鋯是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。下圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該氧化物的化學(xué)式為
B．該氧化物的密度為
C．原子之間的最短距離為
D．若坐標(biāo)取向不變，將p點(diǎn)原子平移至原點(diǎn)，則q點(diǎn)原子位于晶胞面的面心
26．配合物[MA2L2]的分子結(jié)構(gòu)以及分子在晶胞中的位置如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．中心原子的配位數(shù)是4B．晶胞中配合物分子的數(shù)目為2
C．晶體中相鄰分子間存在范德華力D．該晶體屬于混合型晶體
27．科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為。阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A．晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為
B．晶體中與最近且距離相等的有8個(gè)
C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面
D．晶體的密度為
28．鑭La和H可以形成一系列晶體材料，在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，即得到晶體。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．晶體中La的配位數(shù)為8
B．晶體中H和H的最短距離：
C．在晶胞中，H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠
D．單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為
29．晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1)，進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A．圖1晶體密度為g?cm-3B．圖1中O原子的配位數(shù)為6
C．圖2表示的化學(xué)式為D．取代產(chǎn)生的空位有利于傳導(dǎo)
30．某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．的配位數(shù)為6B．與距離最近的是
C．該物質(zhì)的化學(xué)式為D．若換為，則晶胞棱長(zhǎng)將改變
31．某立方晶系的銻鉀(Sb—K)合金可作為鉀離子電池的電極材料，圖a為該合金的晶胞結(jié)構(gòu)圖，圖b表示晶胞的一部分。下列說(shuō)法正確的是
A．該晶胞的體積為a3×10-36cm-3B．K和Sb原子數(shù)之比為3∶1
C．與Sb最鄰近的K原子數(shù)為4D．K和Sb之間的最短距離為apm
32．金屬鈦具有耐壓、耐腐蝕性質(zhì)，可以通過(guò)反應(yīng)制取少量金屬鈦。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是
A．鈉原子的結(jié)構(gòu)示意圖：B．的電子式：
C．Ti晶體為金屬晶體D．質(zhì)子數(shù)為22、中子數(shù)為30鈦原子：
33．X、Y、Z、Q、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，X、Z的基態(tài)原子2p能級(jí)上各有兩個(gè)未成對(duì)電子，Y與Q同主族，W原子N能層只有一個(gè)電子，其余能層全充滿。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．電負(fù)性為Z>Y>X
B．原子半徑為r(Q)>r(Y)>r(Z)
C．X與Z可以形成含極性鍵的極性分子
D．W與Z形成的化合物晶胞如圖，其化學(xué)式為WZ
34．一種銅的溴化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法正確的是
A．該化合物的化學(xué)式為CuBr2
B．銅原子的配位數(shù)為12
C．與每個(gè)Br緊鄰的Br有6個(gè)
D．由圖中P點(diǎn)和Q點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，可確定R點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(，，)
35．鈉元素和硒元素可組成一種對(duì)蛋白質(zhì)的合成和糖代謝有保護(hù)作用的無(wú)機(jī)化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知和的半徑分別為anm和bnm，晶胞參數(shù)為cnm。下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該晶體的化學(xué)式為
B．與距離最近且相等的數(shù)目為8
C．該晶胞的空間利用率為
D．位于由構(gòu)成的四面體空隙中，位于由構(gòu)成的六面體空隙中
36．銅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列關(guān)于其晶胞的說(shuō)法中錯(cuò)誤的是
A．若晶胞的邊長(zhǎng)為a，則最近的兩個(gè)銅原子的距離為
B．每個(gè)晶胞中含有4個(gè)銅原子
C．銅原子的配位數(shù)為12
D．晶胞的空間利用率為
37．稀磁半導(dǎo)體LixZnyAsz的立方晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，已知N、Q兩點(diǎn)對(duì)應(yīng)的原子坐標(biāo)分(，，)和(，，0)，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)iZnAs
B．該晶體中M點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(，，)
C．晶體的密度為g/cm3
D．晶胞x軸方向的投影圖
38．Li2S屬立方晶體，晶胞邊長(zhǎng)為dpm，晶胞截面圖如圖所示。則下列關(guān)于該晶胞的描述正確的是
A．每個(gè)晶胞中含有的數(shù)目為8
B．與Li+最近且等距離的有4個(gè)
C．該晶胞中兩個(gè)距離最近的Li+和的核間距的計(jì)算表達(dá)式為
D．Li2S晶體的密度為
39．硒化鋅是一種重要的半導(dǎo)體材料，圖甲為其晶胞結(jié)構(gòu)，圖乙為晶胞的俯視圖。已知a點(diǎn)的坐標(biāo)(0，0，0)，b點(diǎn)的坐標(biāo)。下列說(shuō)法正確的是
A．的配位數(shù)為8B．基態(tài)Se核外有34種不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子
C．晶胞中d點(diǎn)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為D．若換為，則晶胞棱長(zhǎng)保持不變
40．下列有關(guān)晶體結(jié)構(gòu)說(shuō)法正確的是
A．在NaCl晶胞中，與最鄰近且等距離的有6個(gè)
B．在干冰晶體中，每個(gè)晶胞擁有6個(gè)分子
C．晶胞中的配位數(shù)為4
D．該氣態(tài)團(tuán)簇分子的化學(xué)式為
41．半導(dǎo)體材料硒化鋅的晶胞如圖所示。通過(guò)晶體衍射測(cè)得晶胞中，面心上硒與頂點(diǎn)硒之間距離為anm，代表阿伏加德羅常數(shù)的值。以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立坐標(biāo)系，可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子坐標(biāo)。在ZnSe晶胞坐標(biāo)系中，A點(diǎn)硒原子坐標(biāo)為，B點(diǎn)鋅原子坐標(biāo)為。下列說(shuō)法不正確的是
A．Se原子的配位數(shù)為4
B．C的原子坐標(biāo)參數(shù)為(，，)
C．硒化鋅晶體密度為
D．已知SeO3的熔點(diǎn)為165℃，在126℃時(shí)升華，則SeO3晶體類型與ZnSe晶體不同
二、多選題
42．是一種鈉離子電池正極材料，充放電過(guò)程中正極材料立方晶胞(示意圖)的組成變化如圖所示，晶胞內(nèi)未標(biāo)出因放電產(chǎn)生的0價(jià)Cu原子。下列說(shuō)法正確的是
A．每個(gè)晶胞中個(gè)數(shù)為x
B．每個(gè)晶胞完全轉(zhuǎn)化為晶胞，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8
C．每個(gè)晶胞中0價(jià)Cu原子個(gè)數(shù)為
D．當(dāng)轉(zhuǎn)化為時(shí)，每轉(zhuǎn)移電子，產(chǎn)生原子
參考答案：
1．B
【詳解】A． 元素位于周期表的第Ⅷ族，故A錯(cuò)誤；
B． 赤血鹽中鐵元素價(jià)電子排布式為3d5，核外有5個(gè)未成對(duì)電子，故B正確；
C． 晶體(熔點(diǎn)為，沸點(diǎn)為，熔沸點(diǎn)低)是分子晶體，故C錯(cuò)誤；
D． 該晶胞中C原子個(gè)數(shù)=4×+2×=2、Fe原子個(gè)數(shù)=8×=1，化學(xué)式為FeC2，故D錯(cuò)誤；
故選B。
2．A
【詳解】A．基態(tài)硫原子中核外電子空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有1s,2s,3s分別有一種，2p和3p各有3種，共有3+3+3=9種，故A正確；
B．H2S的價(jià)層電子對(duì)為4，孤電子對(duì)為2，成鍵電子對(duì)為2，VSEPR模型為正四面體，故B錯(cuò)誤；
C．Fe位于周期表中第四周期第Ⅷ族，屬于d區(qū)元素，故C錯(cuò)誤；
D．CuCl的熔點(diǎn)為426℃，熔化時(shí)幾乎不導(dǎo)電，應(yīng)為分子晶體，故D錯(cuò)誤；
故選A。
3．D
【詳解】A．尿素分子為平面結(jié)構(gòu)，尿素中C和N原子的雜化方式均為，鍵角和鍵角都接近120°，基本相等，A正確；
B．三聚氰酸的熔點(diǎn)較低，三聚氰酸晶體屬于分子晶體，B正確；
C．基態(tài)N原子的電子排布式為，電子占據(jù)5個(gè)原子軌道，所以它的電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)為5種，C正確；
D．元素的非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則元素的電負(fù)性：O>N>Na，D錯(cuò)誤；
故選D。
4．C
【詳解】A．由空間填充圖可知，氯化鋁二聚體的分子式為，A錯(cuò)誤；
B．由晶胞圖知，的配位數(shù)是2，B錯(cuò)誤；
C．由的晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含個(gè)數(shù)為，個(gè)數(shù)為，化學(xué)式為，，，C正確；
D．是分子晶體，為離子晶體，D錯(cuò)誤；
故選C。
5．C
【詳解】A．Ti元素的相對(duì)原子質(zhì)量為47.87，故A錯(cuò)誤；
B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖，晶體中與緊鄰的有6個(gè)，故B錯(cuò)誤；
C．根據(jù)均攤原則，晶胞中Ti4+數(shù) 、Ba2+數(shù)1、O2-數(shù)為，鈦酸鋇的化學(xué)式為BaTiO3，根據(jù)元素守恒，的化學(xué)式為，故C正確；
D．根據(jù)均攤原則，晶胞中Ti4+數(shù)1、Ba2+數(shù)1、O2-數(shù)為3，鈦酸鋇的密度約為，故D錯(cuò)誤；
選C。
6．B
【詳解】A．根據(jù)圖1可知頂點(diǎn)和面心都是C原子，所以共含有4個(gè)C原子，體心含1個(gè)氮原子，故化學(xué)式為，故A正確；
B．中氮原子的雜化方式為sp2，中氮原子的雜化方式為sp3，所以鍵角大于，故B錯(cuò)誤；
C．晶體中，C原子位于面心，若晶胞參數(shù)為apm，最近的C原子核間距為，故C正確；
D．晶體中，Cu原子位于頂點(diǎn)，C原子位于面心，所以Cu原子周圍最近的C原子為12個(gè)，故D正確；
故選B。
7．D
【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于體內(nèi)的鎘原子個(gè)數(shù)為6，位于頂點(diǎn)和面心的砷原子的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，則鎘與砷原子個(gè)數(shù)比為3：2，故A正確；
B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，兩個(gè)鎘原子間最短距離為邊長(zhǎng)的，則最短距離為apm×=0.5apm，故B正確；
C．由位于體對(duì)角線處①號(hào)位的坐標(biāo)為(，，)可知，晶胞的邊長(zhǎng)為1，則位于位于右側(cè)面的面心上的③號(hào)位原子坐標(biāo)參數(shù)為(，1，)，故C正確；
D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于體內(nèi)的鎘原子個(gè)數(shù)為6，位于頂點(diǎn)和面心的砷原子的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，設(shè)晶體的密度為dg/cm3，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=(10—10 a)3d，解得d=，故D錯(cuò)誤；
故選D。
8．B
【詳解】A．該晶胞中Zn原子的配位數(shù)是4，則ZnSe晶胞中Se原子的配位數(shù)也是4，A錯(cuò)誤；
B．該晶胞中a點(diǎn)坐標(biāo)為，b點(diǎn)坐標(biāo)為，則a原子位于坐標(biāo)原點(diǎn)，b原子在坐標(biāo)軸正方向空間內(nèi)，由圖乙可知d原子也在坐標(biāo)軸正方向空間內(nèi)，且到x軸、y軸、z軸的距離分別為，即d原子的坐標(biāo)為，B正確；
C．面對(duì)角線的兩個(gè)Zn原子距離最短，為，C錯(cuò)誤；
D．Zn的價(jià)層電子排布式為，位于ds區(qū)，Se的價(jià)層電子排布式為，位于p區(qū)，D錯(cuò)誤；
故選B。
9．D
【詳解】A．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，晶胞中含有N原子個(gè)數(shù)為，Ga原子個(gè)數(shù)為4，所以晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為GaN，故A錯(cuò)誤；
B．A原子坐標(biāo)為，所以B原子坐標(biāo)為，故B錯(cuò)誤；
C．由于N原子可以形成8個(gè)正四面體空隙，但只有4個(gè)Ga原子位于四面體空隙，故Ga的填充率為50%，故C錯(cuò)誤；
D．根據(jù)，故D正確；
故答案選D。
10．C
【詳解】A．根據(jù)均攤原則，晶胞中Se原子數(shù)為 、Mn原子數(shù)為4，該化合物的化學(xué)式可表示為MnSe，故A正確；
B．根據(jù)圖示，與Se原子距離最近的Se原子有12個(gè)，故B正確；
C．Mn、Se原子的最近距離為體對(duì)角線的，距離，故C錯(cuò)誤；
D．每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Se、4個(gè)Mn，所以晶胞密度為，故D正確；
選C。
11．B
【詳解】A．原子1為原點(diǎn)，原子2的坐標(biāo)為，則原子3的坐標(biāo)為，A正確；
B．原子與原子最近距離為體對(duì)角線的一半，晶胞邊長(zhǎng)為，體對(duì)角線的一半為，B錯(cuò)誤；
C．如圖，以頂點(diǎn)原子為中心，與該晶胞及周圍晶胞距離最近的O原子有6個(gè)，圍成正八面體，C正確；
D．該晶胞中含有1個(gè)，1個(gè)Ti，3個(gè)O，摩爾質(zhì)量為136g/ml，晶胞邊長(zhǎng)為，可得該晶胞密度約為，D正確；
故選B。
12．C
【詳解】A．利用晶體X射線衍射可測(cè)定原子坐標(biāo)，紅外光譜和質(zhì)譜不能測(cè)定原子坐標(biāo)，A錯(cuò)誤；
B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知坐標(biāo)為(，1，)的原子是Z原子，即Fe原子，B錯(cuò)誤；
C．Se原子X(jué)與Se原子Y，沿x軸方向的距離為，沿y軸方向的距離為，沿z軸方向的距離為，兩點(diǎn)間的距離為，C正確；
D．Li原子有8個(gè)位于頂點(diǎn)，1個(gè)位于體心，個(gè)數(shù)為：，F(xiàn)e有8個(gè)位于面上，個(gè)數(shù)為，Se原子有8個(gè)位于棱上，2個(gè)位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為：，晶胞的質(zhì)量為：，晶胞體積為：，密度為，D錯(cuò)誤；
故選C。
13．B
【詳解】A．由題圖可知，該晶胞中位于頂點(diǎn)和面心，共有個(gè)，位于晶胞體內(nèi)，共有8個(gè)，則該晶體的化學(xué)式為，A說(shuō)法正確；
B．由題圖可知，與距離最近且相等的共有12個(gè)，B說(shuō)法錯(cuò)誤；
C．該晶胞的空間利用率為，C說(shuō)法正確；
D．由題給晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于由構(gòu)成的四面體空隙中，位于由構(gòu)成的六面體空隙中，D說(shuō)法正確；
故選B。
14．B
【詳解】A．根據(jù)均攤原則，每個(gè)金剛石晶胞中碳原子數(shù)為，故A錯(cuò)誤；
B．C60分子中每個(gè)C原子形成3個(gè)σ鍵，每個(gè)C60分子含有σ鍵數(shù)，故B正確；
C．金剛石晶胞中微粒間的作用力均只有共價(jià)鍵，C60晶胞中微粒間的作用力有共價(jià)鍵、分子間作用力，故C錯(cuò)誤；
D．設(shè)晶胞的邊長(zhǎng)為a、碳原子半徑為r，金剛石晶胞體對(duì)角線等于8r，則，原子的空間利用率，故D錯(cuò)誤；
選B。
15．C
【詳解】A．范德華力是分子之間普遍存在的一種相互作用力，它的本質(zhì)是正負(fù)電荷間的相互吸引，它使得許多物質(zhì)能以一定的凝聚態(tài)存在，則銅碘雜化團(tuán)簇分子是分子間通過(guò)范德華力聚集在一起，A項(xiàng)正確；
B．根據(jù)晶體的晶胞圖示可知，標(biāo)記為X的的分子坐標(biāo)為，B項(xiàng)正確；
C．H原子為單電子體系，核外只有1個(gè)電子，電子云圖中的黑點(diǎn)不是指大多數(shù)電子在原子核附近運(yùn)動(dòng)，C項(xiàng)錯(cuò)誤；
D．面心立方最密堆積，空間利用率為，D項(xiàng)正確；
答案選C。
16．C
【詳解】A．構(gòu)成該晶體的元素均為金屬元素，所以存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵，A錯(cuò)誤；
B．原子形成的八面體空隙在晶胞的棱心和體心，所以每個(gè)晶胞中含有4個(gè)和8個(gè)，個(gè)，因此氫氣儲(chǔ)滿后晶體的化學(xué)式為，B錯(cuò)誤；
C．和的最短距離為面對(duì)角線的二分之一，為，C正確；
D．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，距離原子最近且等距的原子有4個(gè)，即的配位數(shù)為4，而該晶體的化學(xué)式為，所以的配位數(shù)為8，D錯(cuò)誤；
故選C。
17．A
【詳解】A．由硼鎂化合物的晶體結(jié)構(gòu)可知Mg位于正六棱柱的頂點(diǎn)和面心，由均攤法可以求出正六棱柱中含有個(gè)Mg，由晶胞沿c軸的投影圖可知本題所給晶體結(jié)構(gòu)包含三個(gè)晶胞，則晶胞中Mg的個(gè)數(shù)為1；晶體結(jié)構(gòu)中B在正六棱柱體內(nèi)共6個(gè)，則該物質(zhì)的化學(xué)式為MgB2；A正確；
B．由A分析可知，晶胞中Mg的個(gè)數(shù)為1，B錯(cuò)誤；
C．由晶胞沿c軸的投影圖可知，B原子在圖中兩個(gè)正三角形的重心，該點(diǎn)到頂點(diǎn)的距離是該點(diǎn)到對(duì)邊中點(diǎn)距離的2倍，頂點(diǎn)到對(duì)邊的垂線長(zhǎng)度為，因此B-B最近距離為，C錯(cuò)誤；
D．根據(jù)該晶體結(jié)構(gòu)可知，與距離最近且相等的有12個(gè)，D錯(cuò)誤；
故選A。
18．B
【詳解】A．砷化硼晶胞中，含B原子個(gè)數(shù)為=4，含As原子的個(gè)數(shù)為4，則化學(xué)式為BAs，A不正確；
B．砷化硼晶胞中，與As最近的B原子有4個(gè)，則As的配位數(shù)是4，B正確；
C．砷化硼晶胞中，B原子之間的最短距離為面對(duì)角線的，即為，C不正確；
D．確定1個(gè)B原子位于晶胞的頂點(diǎn)，與B原子最近且距離相等的B原子位于面心，則B原子個(gè)數(shù)為=12，D不正確；
故選B。
19．D
【詳解】A．晶胞的體積為，該晶胞的體積為，A正確；
B．根據(jù)圖示晶胞中平均含有原子數(shù)為，原子數(shù)為，和原子數(shù)之比為，B正確；
C．由圖可知，晶胞體心處最鄰近的原子數(shù)為4，C正確；
D．根據(jù)圖示推出晶胞頂點(diǎn)、面心、內(nèi)部存在原子，該晶胞的俯視圖為，D錯(cuò)誤；
故選D。
20．C
【詳解】A．設(shè)金原子半徑為r，則結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知4r=，r=，晶胞中含金原子個(gè)數(shù)為，金原子的體積為：4×=，晶胞體積為a3，金原子在晶胞中的空間利用率=≈74%，故A正確；
B．a(chǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，c處于面心，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知c原子的坐標(biāo)為 (，0，)，故B正確；
C．晶胞質(zhì)量為：，晶胞體積為：nm3，則晶胞密度為，C項(xiàng)錯(cuò)誤；
D．金晶胞沿z軸方向投影，頂點(diǎn)原子均投影在正方形頂點(diǎn)，面心分別投影在棱心和面心，投影圖正確，故D正確；
故選：C。
21．D
【詳解】A．由圖甲可知，1個(gè)與4個(gè)形成共價(jià)鍵，則砷化鎵中的配位數(shù)為4，A正確；
B．由砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)可知，與的最近距離為晶胞體對(duì)角線的，砷化鎵的晶胞參數(shù)為，晶胞體對(duì)角線為，和的最近距離是，B正確；
C．由圖乙晶胞結(jié)構(gòu)可知，和最近且等距離的的數(shù)目，C正確；
D．由砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)可知，c位于側(cè)面的面心，沿體對(duì)角線方向投影圖如丙，則的位置為7、9、11、13，D錯(cuò)誤；
故選D。
22．C
【詳解】A．[C(NH3)6]Cl2中的中心離子為C2+，其配位原子為N，配位數(shù)為6，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；
B．由[C(NH3)6]Cl2晶胞結(jié)構(gòu)可知，[C(NH3)6]2+周圍等距離且最近的有8個(gè)Cl-，選項(xiàng)B錯(cuò)誤；
C．C位于晶胞內(nèi)部，若把晶胞分為8個(gè)相等的小立方體，則C位于左后上的小立方體的體心，根據(jù)A、B的原子坐標(biāo)參數(shù)可知，C的原子坐標(biāo)參數(shù)為()，選項(xiàng)C正確；
D．通過(guò)晶胞結(jié)構(gòu)，根據(jù)均攤法，一個(gè)晶胞含有的[C(NH3)6]2+的個(gè)數(shù)為個(gè)，含有的Cl-的個(gè)數(shù)為8個(gè)，故每個(gè)晶胞中含有4個(gè)[C(NH3)6]Cl2，[C(NH3)6]Cl2的摩爾質(zhì)量是Mg/ml，晶胞體積為a3pm3，則晶胞的密度為，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；
答案選C。
23．D
【詳解】A． Ga、N的價(jià)電子分別是4s24p1、2s22p3、Ga、N均屬于p區(qū)元素，故A正確；
B． 圖a晶體結(jié)構(gòu)中含有12×+2×+3=6個(gè)Ga、6×+4=6個(gè)N，故B正確；
C． 圖b晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，取晶胞的八分之一作為一個(gè)小立方體，小立方體的對(duì)角線為2xnm，小立方體的邊長(zhǎng)為 nm，晶胞的邊長(zhǎng)為2 nm，則晶體的密度為ρ= =，故C正確；
D． a的晶胞為，Ga原子的配位數(shù)為4，三種晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)之比為4∶4∶6=2∶2∶3，故D錯(cuò)誤；
故選D。
24．C
【詳解】A．觀察給出的晶胞可知，鎂原子位于硅原子所構(gòu)成的正四面體空隙中，空隙填充率為100%，A錯(cuò)誤；
B．與硅原子等距且最近的鎂原子數(shù)為8，故晶體中硅原子配位數(shù)為8，B錯(cuò)誤；
C．最近的硅原子之間的距離為晶胞面對(duì)角線的一半，其距離為nm，C正確；
D．該晶體的化學(xué)式為Mg2Si，該晶胞包含4個(gè)Mg2Si，該晶胞的質(zhì)量為，晶胞的體積為(r×10-7)3cm3，故晶體的密度為，D錯(cuò)誤；
故答案為：C。
25．B
【詳解】A．根據(jù)“均攤法”，晶胞中含4個(gè)Zr、個(gè)O，則立方氧化鋯的化學(xué)式為ZrO2，A正確；
B．結(jié)合A分析可知，晶體密度為，B錯(cuò)誤；
C．原子之間的最短距離為面對(duì)角線的一半，即，C正確；
D．根據(jù)晶胞的位置可知，若坐標(biāo)取向不變，將p點(diǎn)原子平移至原點(diǎn)，則垂直向下，q點(diǎn)原子位于晶胞面的面心，D正確；
答案選B。
26．D
【詳解】A．由題干配合物[MA2L2]的分子結(jié)構(gòu)示意圖可知，中心原子M周圍形成了4個(gè)配位鍵，故中心原子M的配位數(shù)是4，A正確；
B．由題干圖示晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中配合物分子的數(shù)目為=2，B正確；
C．由題干信息可知，該晶體為由分子組成的分子晶體，故晶體中相鄰分子間存在范德華力，C正確；
D．由題干信息可知，該晶體為由分子組成的分子晶體，D錯(cuò)誤；
故答案為：D。
【點(diǎn)睛】
27．C
【詳解】A．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，其中K個(gè)數(shù)：8×=1，其中Ca個(gè)數(shù)：1，其中B個(gè)數(shù)：12×=6，其中C個(gè)數(shù)：12×=6，故其最簡(jiǎn)化學(xué)式為，A正確；
B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于晶胞頂點(diǎn)，Ca2+位于體心，每個(gè)為8個(gè)晶胞共用，則晶體中與最近且距離相等的有8個(gè)，B正確；
C．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面，C錯(cuò)誤；
D．根據(jù)選項(xiàng)A分析可知，該晶胞最簡(jiǎn)化學(xué)式為，則1個(gè)晶胞質(zhì)量為：，晶胞體積為a3×10-30cm3，則其密度為，D正確；
故選C。
28．C
【詳解】A．由的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點(diǎn)和面心，晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子，若以頂點(diǎn)La研究，與之最近的H原子有8個(gè)，則La的配位數(shù)為8，故A正確；
B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：，故B正確；
C．由題干信息可知，在晶胞中，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè)，頂點(diǎn)數(shù)為48=32，且不是閉合的結(jié)構(gòu)，故C錯(cuò)誤；
D．1個(gè)晶胞中含有58=40個(gè)H原子，含H質(zhì)量為g，晶胞的體積為(484.010-10cm)3=(4.8410-8)3cm3，則單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為，故D正確；
答案選C。
29．C
【詳解】A．根據(jù)均攤法，圖1的晶胞中含Li：8×+1=3，O：2×=1，Cl：4×=1，1個(gè)晶胞的質(zhì)量為g=g，晶胞的體積為(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3，則晶體的密度為g÷(a3×10-30cm3)=g/cm3，A項(xiàng)正確；
B．圖1晶胞中，O位于面心，與O等距離最近的Li有6個(gè)，O原子的配位數(shù)為6，B項(xiàng)正確；
C．根據(jù)均攤法，圖2中Li：1，Mg或空位為8×=2。O：2×=1，Cl或Br：4×=1，Mg的個(gè)數(shù)小于2，根據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為0，圖2的化學(xué)式為L(zhǎng)iMgOClxBr1-x，C項(xiàng)錯(cuò)誤；
D．進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料，說(shuō)明Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+的傳導(dǎo)，D項(xiàng)正確；
答案選C。
30．B
【詳解】A．配位數(shù)為與其距離最近且等距離的F-的個(gè)數(shù)，如圖所示，位于體心，F(xiàn)-位于面心，所以配位數(shù)為6，A正確；
B．與的最近距離為棱長(zhǎng)的，與的最近距離為棱長(zhǎng)的，所以與距離最近的是，B錯(cuò)誤；
C．位于頂點(diǎn)，所以個(gè)數(shù)==1，F(xiàn)-位于面心，F(xiàn)-個(gè)數(shù)==3，位于體心，所以個(gè)數(shù)=1，綜上，該物質(zhì)的化學(xué)式為，C正確；
D．與半徑不同，替換后晶胞棱長(zhǎng)將改變，D正確；
故選B。
31．B
【詳解】A．該晶胞的邊長(zhǎng)為，故晶胞的體積為，A項(xiàng)錯(cuò)誤；
B．該晶胞中K的個(gè)數(shù)為，Sb的個(gè)數(shù)為，故K和Sb原子數(shù)之比為3∶1，B項(xiàng)正確；
C．以面心處Sb為研究對(duì)象，與Sb最鄰近的K原子數(shù)為8，C項(xiàng)錯(cuò)誤；
D．K和Sb的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的，即，D項(xiàng)錯(cuò)誤。
故選B。
32．C
【詳解】A．鈉是11號(hào)元素，原子結(jié)構(gòu)示意圖為： ，A錯(cuò)誤；
B．TiCl4是共價(jià)化合物，只含共價(jià)鍵，其電子式為：，B錯(cuò)誤；
C．鈦是金屬元素，形成的Ti晶體為金屬晶體，C正確；
D．質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)=22+30=52，則質(zhì)子數(shù)為22、中子數(shù)為30的鈦原子為：，D錯(cuò)誤；
故選C。
33．D
【分析】X、Z的基態(tài)原子2p能級(jí)上各有兩個(gè)未成對(duì)電子，因?yàn)樵有驍?shù)依次增大，因此X的價(jià)電子排布式為2s22p2，Z的價(jià)電子排布式為2s22p4，推出X、Z分別為C、O，Y為N，Y與Q同主族，則Q為P，W原子N能層只有一個(gè)電子，其余能層全充滿，即價(jià)電子排布式為3d104s1，即W為Cu，據(jù)此分析；
【詳解】A．X、Y、Z分別為C、N、O，同周期電負(fù)性自左向右逐漸增大，因此電負(fù)性順序是O＞N＞C，故A說(shuō)法正確；
B．Y、Z、Q分別為N、O、P，P核外有三個(gè)電子層，其余元素有2個(gè)電子層，即P的半徑最大，同周期從左向右原子半徑逐漸減小，因此r(N)＞r(O)，因此三種元素的原子半徑大小順序是r(P)＞r(N)＞r(O)，故B說(shuō)法正確；
C．X、Z可以形成的化合物為CO、CO2，CO為含極性鍵的極性分子，CO2為含極性鍵的非極性分子，故C說(shuō)法正確；
D．白球位于晶胞的頂點(diǎn)和體心，個(gè)數(shù)為=2，黑球位于晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為4，根據(jù)球半徑大小，黑球?yàn)镃u，白球?yàn)镺，則化學(xué)式為Cu2O，故D說(shuō)法錯(cuò)誤；
答案為D。
34．D
【詳解】A．該晶胞中，溴原子位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，共有個(gè)，銅原子位于晶胞內(nèi)部，共有4個(gè)，故該化合物的化學(xué)式為，故A錯(cuò)誤；
B．1個(gè)銅原子連接4個(gè)溴原子，則銅原子的配位數(shù)是4，故B錯(cuò)誤；
C．溴原子位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，與干冰結(jié)構(gòu)類似，所以與每個(gè)Br緊鄰的Br有12個(gè)，故C錯(cuò)誤；
D．R點(diǎn)原子在x、y、z三個(gè)坐標(biāo)軸中的坐標(biāo)均為，故坐標(biāo)參數(shù)為()，故D正確；
故答案選D。
35．B
【詳解】A．由題圖可知，該晶胞中位于頂點(diǎn)和面心，共有個(gè)，位于晶胞體內(nèi)，共有8個(gè)，則該晶體的化學(xué)式為，A正確；
B．由題圖可知，與距離最近且相等的共有12個(gè)，B錯(cuò)誤；
C．該晶胞的空間利用率為，C正確；
D．由題給晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于由構(gòu)成的四面體空隙中，位于由構(gòu)成的六面體空隙中，D正確；
故選B。
36．A
【詳解】A．晶胞邊長(zhǎng)為a，則面對(duì)角線長(zhǎng)度為2a，銅晶胞為面心立方堆積，最近的兩個(gè)銅原子間的距離是面對(duì)角線的二分之一，即a，故A錯(cuò)誤；
B．在晶胞的頂點(diǎn)和面心各有1個(gè)銅原子，頂點(diǎn)上的銅原子被8個(gè)晶胞共有，面心上的銅原子被2個(gè)晶胞共有，所以每個(gè)晶胞中含有4個(gè)銅原子，故B正確；
C．銅晶胞為面心立方最密堆積，銅原子的配位數(shù)為12，故C正確；
D．晶胞的空間利用率等于晶胞中銅原子的體積除以晶胞的體積，晶胞中有4個(gè)銅原子，設(shè)銅原子半徑為r，則銅原子的體積為，銅原子半徑為兩個(gè)銅原子間距離的一半，則銅原子半徑和晶胞邊長(zhǎng)的關(guān)系為r=a，則銅原子體積為，晶胞體積為a3，所以晶胞的空間利用率=×100%=×100%，故D正確；
故選A。
37．D
【詳解】A．根據(jù)均攤法計(jì)算：Li位于棱上和體心，其個(gè)數(shù)：；As位于晶胞體內(nèi)，其個(gè)數(shù)：4；Zn位于頂角和面心，其個(gè)數(shù)：，所以其化學(xué)式：LiZnAs，A正確；
B．M點(diǎn)對(duì)應(yīng)原子為As，As原子在晶胞中八個(gè)小立方體的4個(gè)體心，參考N、Q兩點(diǎn)坐標(biāo)，其坐標(biāo)為：(，，)，B正確；
C．參考A選項(xiàng)，晶胞中含4個(gè)LiZnAs，晶胞質(zhì)量：，晶胞體積：，晶胞密度：，C正確；
D．As原子在晶胞中八個(gè)小立方體的4個(gè)體心，其晶胞x軸方向的投影圖：，D錯(cuò)誤；
答案選D。
38．B
【分析】由晶胞截面圖可知，硫離子位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，其離子個(gè)數(shù)為，鋰離子位于晶胞內(nèi)，其離子個(gè)數(shù)為8。
【詳解】A．由以上分析可知，每個(gè)晶胞中含有的S2-數(shù)目為4，A錯(cuò)誤；
B．Li+位于立方晶胞體對(duì)角線四分之一處，與其最近且等距離的S2-有4個(gè)，B正確；
C．該晶胞中兩個(gè)距離最近的Li+和S2-的核間距恰好為該立方晶胞體對(duì)角線的四分之一，該晶胞邊長(zhǎng)為dpm，則核間距的計(jì)算表達(dá)式為dpm，C錯(cuò)誤；
D．由以上分析可知，一個(gè)晶胞中含有4個(gè)S2-和8個(gè)Li+，晶胞邊長(zhǎng)為d×10-10cm，則Li2S晶體的密度為，D錯(cuò)誤；
故選B。
39．C
【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，周圍距離最近且相等的Zn2+有4個(gè)，配位數(shù)為4，故A錯(cuò)誤；
B．Se的電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s24p4，核外含有電子的軌道有1+1+3+1+3+5+1+3=18個(gè)，則基態(tài)Se核外有18種不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，故B錯(cuò)誤；
C．a(chǎn)的坐標(biāo)為(0，0，0)，b點(diǎn)的坐標(biāo)，則a原子位于坐標(biāo)原點(diǎn)，b原子晶胞頂面的面對(duì)角線交點(diǎn)，可知d原子到x軸、y軸、z軸的距離分別是，，，即d的坐標(biāo)為，C正確；
D．和半徑不同，則晶胞棱長(zhǎng)將改變，D錯(cuò)誤；
故選C。
40．D
【詳解】A．根據(jù)NaCl晶胞可知，與最鄰近且等距離的位于各棱心，共計(jì)12個(gè)，A錯(cuò)誤；
B．根據(jù)干冰晶胞可知，CO2位于頂點(diǎn)和面心，利用均攤法，每個(gè)晶胞擁有CO2的個(gè)數(shù)：，B錯(cuò)誤；
C．取任意面心為中心，與其距離最近且相等的由8個(gè)，配位數(shù)為8，C錯(cuò)誤；
D．氣態(tài)團(tuán)簇分子不用于晶胞，氣態(tài)團(tuán)簇分子中含有4個(gè)E原子和4個(gè)F原子，則分子式，D正確；
答案選D。
41．B
【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，距離Se原子最近的Zn原子共有4個(gè)，Se原子的配位數(shù)為4，故A正確；
B．根據(jù)A點(diǎn)、B點(diǎn)原子坐標(biāo)，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知，C點(diǎn)原子坐標(biāo)：(，，)，故B錯(cuò)誤；
C．硒化鋅晶胞中含4個(gè)鋅、8×18+6×12=4個(gè)硒。硒在晶胞中面心立方分布，面對(duì)角線上三個(gè)硒相切，晶胞參數(shù)為anm，由密度公式知，=，故C正確；
D．SeO3的熔點(diǎn)較低，易升華，說(shuō)明粒子之間作用力小，它是分子晶體，硒化鋅作為半導(dǎo)體材料能導(dǎo)電，熔沸點(diǎn)較高，則SeO3晶體類型與ZnSe晶體不同，故D正確；
故選B。
42．BD
【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個(gè)數(shù)為8×+6×=4，位于體內(nèi)的銅離子和亞銅離子的個(gè)數(shù)之和為8，設(shè)晶胞中的銅離子和亞銅離子的個(gè)數(shù)分別為a和b，則a+b=8-4x，由化合價(jià)代數(shù)和為0可得2a+b=4×2，解得a=4x，故A錯(cuò)誤；
B．由題意可知，Na2Se轉(zhuǎn)化為Cu2-xSe的電極反應(yīng)式為Na2Se-2e-+(2-x)Cu=Cu2-xSe+2Na+，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個(gè)數(shù)為8×+6×=4，則每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Na2Se，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8，故B正確；
C．由題意可知，Cu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為Cu2-xSe+ e-+Na+=NaCuSe+(1-x)Cu，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個(gè)數(shù)為8×+6×=4，則每個(gè)晶胞中含有4個(gè)NaCuSe，晶胞中0價(jià)銅而個(gè)數(shù)為(4-4x)，故C錯(cuò)誤；
D．由題意可知，NayCu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為NayCu2-xSe+(1-y) e-+(1-y) Na+=NaCuSe+(1-x)Cu，所以每轉(zhuǎn)移(1-y)電子，產(chǎn)生(1-x)ml銅，故D正確；
故選BD。
題號(hào)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
答案
B
A
D
C
C
B
D
B
D
C
題號(hào)
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
答案
B
C
B
B
C
C
A
B
D
C
題號(hào)
21
22
23
24
25
26
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28
29
30
答案
D
C
D
C
B
D
C
C
C
B
題號(hào)
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
答案
B
C
D
D
B
A
D
B
C
D
題號(hào)
41
42








答案
B
BD








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