一、單選題
1．短周期元素R基態(tài)原子最外層的p能級(jí)上有2個(gè)未成對(duì)電子。下列關(guān)于基態(tài)R原子的描述正確的是
A．基態(tài)R原子核外電子的電子云輪廓圖有兩種：球形和啞鈴形
B．基態(tài)R原子的價(jià)層電子排布式為ns2np2(n＝2或3)
C．基態(tài)R原子的原子軌道總數(shù)為9
D．基態(tài)R原子的軌道表示式為
2．通常情況下，原子核外p、d能級(jí)等原子軌道上電子排布為“全空”“半充滿”“全充滿”的時(shí)候更加穩(wěn)定，稱為洪特規(guī)則的特例。下列事實(shí)能作為這個(gè)規(guī)則的證據(jù)的是
①某種激發(fā)態(tài)碳原子的電子排布式是1s22s12p3而不是1s22s22p2
②基態(tài)Cu原子的電子排布式是[Ar]3d104s1而不是[Ar]3d94s2
③基態(tài)He原子的電子排布式為1s2，基態(tài)H原子的電子排布式為1s1
④Fe2+容易失電子轉(zhuǎn)變?yōu)镕e3+，表現(xiàn)出較強(qiáng)的還原性
A．①②④B．②④C．③④D．①②③
3．我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)對(duì)嫦娥五號(hào)月壤的研究發(fā)現(xiàn)，月壤中存在一種含“水”礦物下列化學(xué)用語(yǔ)或圖示表達(dá)不正確的是
A．的電子式：B．基態(tài)的價(jià)電子排布式：
C．的模型：D．基態(tài)S原子的價(jià)層電子的軌道表示式：
4．利用α粒子(即氦核)轟擊不同原子，獲得人工放射性元素和，合成反應(yīng)如下：；。其中元素Y、Z的基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)之比為1：3.下列說(shuō)法正確的是
A．基態(tài)原子第一電離能：YOF2B．酸性：CH3COOH>CH2FCOOH
C．分子的極性：O2>O3D．基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)：Mn>Cr
12．下列事實(shí)不能用氫鍵解釋的是
A．密度：B．沸點(diǎn)：
C．穩(wěn)定性：D．溶解性(水中)：
13．用表示阿伏加德羅常數(shù)．下列說(shuō)法正確的是
A．標(biāo)準(zhǔn)狀況下，22.4L乙炔中鍵數(shù)為，鍵數(shù)為
B．質(zhì)量相同的和所含的分子數(shù)相同
C．同溫同壓下，相同體積的和所含的原子數(shù)相同
D．12g金剛石中C―C鍵數(shù)為
14．下列化學(xué)用語(yǔ)或圖示表達(dá)不正確的是
A．的空間結(jié)構(gòu)模型：
B．H2O的VSEPR模型
C．二氧化碳的電子式：
D．p-pπ鍵電子云輪廓圖
15．下列有關(guān)晶體結(jié)構(gòu)說(shuō)法正確的是
A．在NaCl晶胞中，與最鄰近且等距離的有6個(gè)
B．在干冰晶體中，每個(gè)晶胞擁有6個(gè)分子
C．晶胞中的配位數(shù)為4
D．該氣態(tài)團(tuán)簇分子的化學(xué)式為
16．一種由Mn、Se組成的化合物立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知化合物的摩爾質(zhì)量為，晶胞參數(shù)為anm，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該化合物的化學(xué)式可表示為MnSeB．與Se原子距離最近的Se原子有12個(gè)
C．Mn、Se原子的最近距離是D．晶胞密度為
17．硅烷（）可用于制造高純硅，而可由硅化鎂（熔點(diǎn)1102℃）制得，硅化鎂晶體的晶胞如圖所示，每個(gè)Mg原子位于Si原子組成的四面體中心。下列說(shuō)法不正確的是
A．硅化鎂可能為分子晶體B．硅化鎂的化學(xué)式為
C．每個(gè)晶胞中含有8個(gè)Mg原子D．每個(gè)Si原子周圍距離最近且等距的Mg原子有8個(gè)
18．鈣鈦礦具有獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于傳感器、固體電阻器等諸多領(lǐng)域。圖1、2均為鈣鈦礦型化合物，其中圖1中另兩種離子為、，圖2中另兩種離子為和。
下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．鈦酸鈣的化學(xué)式為B．圖2中，Y為
C．中含有配位鍵D．晶胞中與每個(gè)緊鄰的有12個(gè)
19．砷化鎘晶胞結(jié)構(gòu)如圖，圖1中“①”和“②”位是“真空”，晶胞參數(shù)為apm，建立如圖2，①號(hào)位的坐標(biāo)為(，，)。已知：砷化鎘的摩爾質(zhì)量為Mg·ml-1，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．砷化鎘中Cd與As原子個(gè)數(shù)比為3：2
B．兩個(gè)Cd原子間最短距離為0.5a pm
C．③號(hào)位原子坐標(biāo)參數(shù)為(，1，)
D．該晶胞的密度為NA(a×10—10)3g·cm-3
20．硒化鋅是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示。已知晶胞參數(shù)為q nm，乙圖為晶胞的俯視圖，a點(diǎn)的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。
下列說(shuō)法正確的是
A．晶胞中硒原子的配位數(shù)為12
B．晶胞中d點(diǎn)的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為
C．相鄰兩個(gè)Zn原子的最短距離為nm
D．Zn和Se在元素周期表中分別位于d區(qū)與p區(qū)
21．一種銅的溴化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法正確的是
A．該化合物的化學(xué)式為CuBr2
B．銅原子的配位數(shù)為12
C．與每個(gè)Br緊鄰的Br有6個(gè)
D．由圖中P點(diǎn)和Q點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，可確定R點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(，，)
22．科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為。阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為
B．晶體中與最近且距離相等的有6個(gè)
C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面
D．晶體的密度為
23．鈣鈦礦電池是第三代非硅薄膜太陽(yáng)能電池的代表，具有較高的能量轉(zhuǎn)化效率。如圖是一種邊長(zhǎng)為的鈣鈦礦的正方體晶胞結(jié)構(gòu)，其中原子占據(jù)正方體中心，O原子位于每條棱的中點(diǎn)。其中以原子1為原點(diǎn)，原子2的坐標(biāo)為。下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．原子3的坐標(biāo)為B．原子與原子最近距離為
C．距離原子最近的O原子有6個(gè)D．該晶胞密度約為
24．已知Mg、Al、O三種元素組成尖晶石型晶體結(jié)構(gòu)，其晶胞由4個(gè)A型小晶格和4個(gè)B型小晶格構(gòu)成，其中和都在小晶格內(nèi)部，部分在小晶格內(nèi)部，部分在小晶格頂點(diǎn)(如圖)，下列分析錯(cuò)誤的是
A．該晶體為離子晶體
B．該物質(zhì)的化學(xué)式為
C．晶胞中，距離等距且最近的數(shù)為12
D．與之間最近的距離是
25．某含錳著色劑的化學(xué)式為，Y、X、Q、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期元素，其中具有正四面體空間結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法正確的是
A．鍵角：B．簡(jiǎn)單氫化物沸點(diǎn)：
C．第一電離能：D．最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物酸性：
26．“嫦娥石”是中國(guó)首次在月球上發(fā)現(xiàn)的新礦物，其主要由和(釔，原子序數(shù)比大13)組成，下列說(shuō)法正確的是
A．Y位于元素周期表的第ⅢB族
B．基態(tài)原子的核外電子填充在6個(gè)軌道中
C．5種元素中，第一電離能最小的是
D．5種元素中，電負(fù)性最大的是
27．元素C、Si、Ge位于周期表中ⅣA族。下列說(shuō)法正確的是
A．原子半徑：B．第一電離能：
C．碳單質(zhì)、晶體硅、SiC均為共價(jià)晶體D．可在周期表中元素Si附近尋找新半導(dǎo)體材料
28．下列有關(guān)元素單質(zhì)或化合物的敘述正確的是
A．分子呈正四面體，鍵角為
B．NaCl焰色試驗(yàn)為黃色，與Cl電子躍遷有關(guān)
C．Cu基態(tài)原子核外電子排布符合構(gòu)造原理
D．是由極性鍵構(gòu)成的極性分子
29．化合物可作肥料，所含的5種元素位于主族，在每個(gè)短周期均有分布，僅有Y和M同族。Y的基態(tài)原子價(jià)層p軌道半充滿，X的基態(tài)原子價(jià)層電子排布式為，X與M同周期，E在地殼中含量最多。下列說(shuō)法正確的是
A．元素電負(fù)性：B．氫化物沸點(diǎn)：
C．第一電離能：D．和的空間結(jié)構(gòu)均為三角錐形
30．和均可發(fā)生水解反應(yīng)，其中的水解機(jī)理示意圖如下：

下列說(shuō)法正確的是
A．和均為極性分子B．和中的均為雜化
C．和的水解反應(yīng)機(jī)理相同D．和均能與形成氫鍵
31．鋯是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。下圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該氧化物的化學(xué)式為
B．該氧化物的密度為
C．原子之間的最短距離為
D．若坐標(biāo)取向不變，將p點(diǎn)原子平移至原點(diǎn)，則q點(diǎn)原子位于晶胞面的面心
32．物質(zhì)的結(jié)構(gòu)決定其性質(zhì)。下列實(shí)例與解釋不相符的是
A．AB．BC．CD．D
33．配合物[MA2L2]的分子結(jié)構(gòu)以及分子在晶胞中的位置如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．中心原子的配位數(shù)是4B．晶胞中配合物分子的數(shù)目為2
C．晶體中相鄰分子間存在范德華力D．該晶體屬于混合型晶體
34．下列說(shuō)法或化學(xué)用語(yǔ)的使用正確的是
A．符號(hào)為M的能層最多容納的電子數(shù)為32個(gè)
B．構(gòu)造原理呈現(xiàn)的能級(jí)交錯(cuò)源于光譜學(xué)實(shí)驗(yàn)
C．Se的價(jià)層電子排布為：3d104s24p4
D．Ni的簡(jiǎn)化電子排布式：[Ar]3d94s1
35．工業(yè)上可用處理水體中的氨氮(NH3、NH)生成。下列說(shuō)法正確的是
A．原子半徑：
B．電負(fù)性：
C．屬于分子晶體
D．第一電離能：
36．某種離子液體的結(jié)構(gòu)如圖所示，X、Y、Z、M、Q為原子序數(shù)依次增大的短周期元素，Z的原子序數(shù)等于X、Y原子序數(shù)之和，Q為非金屬性最強(qiáng)的元素。
下列說(shuō)法正確的是
A．氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性：ZM>Z>X>Y
37．在“石蠟→液體石蠟→石蠟蒸氣→裂化氣”的變化過(guò)程中，被破壞的作用力依次是
A．范德華力、范德華力、范德華力B．范德華力、范德華力、共價(jià)鍵
C．范德華力、共價(jià)鍵、共價(jià)鍵D．共價(jià)鍵、共價(jià)鍵、共價(jià)鍵
38．設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是
A．32g()中含有個(gè)S―S鍵
B．標(biāo)準(zhǔn)狀況下22.4L中含個(gè)成鍵電子對(duì)
C．足量濃硫酸與1ml Zn完全反應(yīng)，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為
D．1ml晶體硅中有個(gè)Si―Si鍵
39．下列有關(guān)鐵及其化合物的說(shuō)法正確的是
A．元素位于元素周期表的VIIIB族
B．綠礬中核外有6個(gè)未成對(duì)電子
C．(赤血鹽)是含有配位鍵的離子化合物
D．若(黃血鹽)受熱分解產(chǎn)物之一的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則其化學(xué)式為
40．稀磁半導(dǎo)體LixZnyAsz的立方晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，已知N、Q兩點(diǎn)對(duì)應(yīng)的原子坐標(biāo)分(，，)和(，，0)，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．該晶體的化學(xué)式為L(zhǎng)iZnAs
B．該晶體中M點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(，，)
C．晶體的密度為g/cm3
D．晶胞x軸方向的投影圖
41．采用了氮化鎵元件的充電器體積小、質(zhì)量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器也有更大的優(yōu)勢(shì)，被稱為“快充黑科技”，下圖是氮化鎵的三種晶體結(jié)構(gòu)(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．Ga、N均屬于p區(qū)元素
B．圖a晶體結(jié)構(gòu)中含有6個(gè)Ga、6個(gè)N
C．圖b晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，則晶體的密度為
D．三種晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)之比為3∶2∶3
二、填空題
42．鈦酸鈣具有特殊的物理、化學(xué)性質(zhì)，鈦酸鈣結(jié)構(gòu)材料是當(dāng)前材料科學(xué)研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，回答下列問(wèn)題。
(1)鈦在元素周期表中的位置是 。
(2)原子中運(yùn)動(dòng)的電子有兩種相反的自旋狀態(tài)，若一種自旋狀態(tài)用+表示，與之相反的則用-表示，稱為電子的自旋磁量子數(shù)。對(duì)于基態(tài)鈦原子，其價(jià)電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為 。從結(jié)構(gòu)角度解釋TiCl3中Ti還原性較強(qiáng)的原因 。
(3)離子半徑Ca2+>Ti4+，理由是 。
43．關(guān)于化學(xué)鍵和分子間作用力的理論是關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)的基本理論。
(1)N、P、As 電負(fù)性由大到小的順序?yàn)? 。
(2)用“>”或“”或“C>B>H，故D正確；
故答案選D。
37．B
【詳解】石蠟→液體石蠟破壞范德華力，液體石蠟→石蠟蒸氣破壞范德華力，石蠟蒸氣→裂化氣破壞共價(jià)鍵，故B符合題意。
答案選B。
38．C
【詳解】
A．32g的物質(zhì)的量為0.125ml，的結(jié)構(gòu)為，一個(gè)分子含有8個(gè)S―S鍵，0.125ml含有個(gè)S―S鍵，故A錯(cuò)誤；
B．標(biāo)準(zhǔn)狀況下水不是氣體，22.4L無(wú)法確定成鍵電子對(duì)，故B錯(cuò)誤；
C．足量濃硫酸與1ml Zn完全反應(yīng)，生成二氧化硫和硫酸鋅，一個(gè)鋅原子失去2個(gè)電子，1ml Zn轉(zhuǎn)移電子數(shù)為，故C正確；
D．一個(gè)硅和周圍四個(gè)硅形成Si―Si鍵，但是只有2個(gè)Si―Si鍵屬于這個(gè)硅原子，1ml晶體硅中有個(gè)Si―Si鍵，故D錯(cuò)誤；
故選：C。
39．C
【詳解】A．Fe是26號(hào)元素，位于周期表的第Ⅷ族，A項(xiàng)錯(cuò)誤；
B．價(jià)電子排布為，核外有4個(gè)未成對(duì)電子，B項(xiàng)錯(cuò)誤；
C．(赤血鹽)中通過(guò)配位鍵與6個(gè)結(jié)合為，是含有配位鍵的離子化合物，C項(xiàng)正確；
D．若(黃血鹽)受熱分解產(chǎn)物之一的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，根據(jù)均攤原則，碳原子數(shù)為 、鐵原子數(shù)為，則其化學(xué)式為，D項(xiàng)錯(cuò)誤；
故選C。
40．D
【詳解】A．根據(jù)均攤法計(jì)算：Li位于棱上和體心，其個(gè)數(shù)：；As位于晶胞體內(nèi)，其個(gè)數(shù)：4；Zn位于頂角和面心，其個(gè)數(shù)：，所以其化學(xué)式：LiZnAs，A正確；
B．M點(diǎn)對(duì)應(yīng)原子為As，As原子在晶胞中八個(gè)小立方體的4個(gè)體心，參考N、Q兩點(diǎn)坐標(biāo)，其坐標(biāo)為：(，，)，B正確；
C．參考A選項(xiàng)，晶胞中含4個(gè)LiZnAs，晶胞質(zhì)量：，晶胞體積：，晶胞密度：，C正確；
D．As原子在晶胞中八個(gè)小立方體的4個(gè)體心，其晶胞x軸方向的投影圖：，D錯(cuò)誤；
答案選D。
41．D
【詳解】A． Ga、N的價(jià)電子分別是4s24p1、2s22p3、Ga、N均屬于p區(qū)元素，故A正確；
B． 圖a晶體結(jié)構(gòu)中含有12×+2×+3=6個(gè)Ga、6×+4=6個(gè)N，故B正確；
C． 圖b晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，取晶胞的八分之一作為一個(gè)小立方體，小立方體的對(duì)角線為2xnm，小立方體的邊長(zhǎng)為 nm，晶胞的邊長(zhǎng)為2 nm，則晶體的密度為ρ= =，故C正確；
D． a的晶胞為，Ga原子的配位數(shù)為4，三種晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)之比為4∶4∶6=2∶2∶3，故D錯(cuò)誤；
故選D。
42．(1)第四周期第IVB族
(2) +1或-1 +3價(jià)Ti外圍電子為3d1，失去一個(gè)電子后，3d能級(jí)處于全空穩(wěn)定狀態(tài)
(3)Ca2+和Ti4+電子層結(jié)構(gòu)相同，核電荷數(shù)Ti＞Ca，導(dǎo)致離子半徑Ca2+大于Ti4+
【詳解】（1）Ti核電荷數(shù)為22，位于周期表的第四周期第ⅣB族；
（2）Ti價(jià)電子排布式為3d24s2價(jià)電子排布圖為3d2是分占2個(gè)d軌道、自旋方向相同的2個(gè)電子，4s軌道填了自旋方向相反的2個(gè)電子，則其價(jià)電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為或；+3價(jià)Ti外圍電子為3d1，失去一個(gè)電子后，3d能級(jí)處于全空穩(wěn)定狀態(tài)，因此TiCl3中Ti(Ⅲ)還原性較強(qiáng)；
（3）Ca2+和Ti4+核外均為18電子，電子層結(jié)構(gòu)相同，核電荷數(shù)Ti＞Ca，導(dǎo)致離子半徑Ca2+大于Ti4+ 。
43．(1)N>P>S
(2) < > < P>S，答案：N>P>S；
（2）第一電離能Si 。NaCl為離子晶體，Si為共價(jià)晶體，所以熔點(diǎn)NaClPH3；
（3）的分子內(nèi)部F原子與羥基H之間存在氫鍵，可表示為：；形成分子內(nèi)氫鍵使得分子間作用力減弱，一般會(huì)使得熔點(diǎn)降低。
45． 氯化鈉為離子晶體，SiCl4為分子晶體 SiCl4、GeCl4、SnCl4均為分子晶體，其熔點(diǎn)依次升高；分子晶體中，組成與結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，物質(zhì)的熔點(diǎn)越高 正四面體 sp3
【詳解】一般情況下，不同類型晶體的熔點(diǎn)大小關(guān)系為共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。鈉與氯的電負(fù)性差值較大，形成離子晶體；Si與Cl的電負(fù)性差值不大，形成分子晶體，故NaCl熔點(diǎn)明顯高于SiCl4。SiCl4、GeCl4、SnCl4均為分子晶體，且三者組成結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，物質(zhì)的熔點(diǎn)越高，故其熔點(diǎn)依次升高。SiCl4中心原子Si沒(méi)有孤電子對(duì)，只有4個(gè)共用電子對(duì)，故其空間構(gòu)型為正四面體，Si的軌道雜化形式為sp3雜化。
46．(1)2s22p3
(2) A NnHn+2?2m(，m為正整數(shù)) ＜ 形成配位鍵后，由于Cu對(duì)電子的吸引，使得電子云向銅偏移，進(jìn)一步使氮?dú)滏I的極性變大，故其更易斷裂
(3) CaCN2 6
【詳解】（1）N核電荷數(shù)為7，核外有7個(gè)電子，基態(tài)N原子電子排布式為1s22s22p3，則基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布式是2s22p3；故答案為：2s22p3。
（2）①A．能量最低的激發(fā)態(tài)N原子應(yīng)該是2s能級(jí)上一個(gè)電子躍遷到2p能級(jí)，其電子排布式：，故A錯(cuò)誤；B．鈣的金屬性比鎂的金屬性強(qiáng)，則化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)：，故B正確；C．氮有三個(gè)價(jià)鍵，最簡(jiǎn)單的氮烯即含一個(gè)氮氮雙鍵，另一個(gè)價(jià)鍵與氫結(jié)合，則其分子式：，故C正確；D．氮烷中N原子有一對(duì)孤對(duì)電子，有三個(gè)價(jià)鍵，則氮原子的雜化方式都是，故D正確；綜上所述，答案為：A。
②氮和氫形成的無(wú)環(huán)氮多烯，一個(gè)氮的氮烷為NH3，兩個(gè)氮的氮烷為N2H4，三個(gè)氮的氮烷為N3H5，四個(gè)氮的氮烷為N4H6，設(shè)分子中氮原子數(shù)為n，其氮烷分子式通式為NnHn+2，根據(jù)又一個(gè)氮氮雙鍵，則少2個(gè)氫原子，因此當(dāng)雙鍵數(shù)為m，其分子式通式為NnHn+2?2m(，m為正整數(shù))；故答案為：NnHn+2?2m(，m為正整數(shù))。
③形成配位鍵后，由于Cu對(duì)電子的吸引，使得電子云向銅偏移，進(jìn)一步使氮?dú)滏I的極性變大，故其更易斷裂，因此給出的能力：＜(填“>”或“

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