1.了解晶胞的概念,能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。
【必備知識(shí)解讀】
一、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
1.常見原子晶體結(jié)構(gòu)分析
2.常見分子晶體結(jié)構(gòu)分析
3.常見金屬晶體結(jié)構(gòu)分析
(1)金屬晶體的四種堆積模型分析
(2)金屬晶胞中原子空間利用率計(jì)算
空間利用率=eq \f(球體積,晶胞體積)×100%,球體積為金屬原子的總體積。
①簡(jiǎn)單立方堆積
如圖所示,原子的半徑為r,立方體的棱長(zhǎng)為2r,則V球=eq \f(4,3)πr3,V晶胞=(2r)3=8r3,空間利用率=eq \f(V球,V晶胞)×100%=eq \f(\f(4,3)πr3,8r3)×100%≈52%。
②體心立方堆積
如圖所示,原子的半徑為r,體對(duì)角線c為4r,面對(duì)角線b為eq \r(2)a,由(4r)2=a2+b2得a=eq \f(4,\r(3))r。1個(gè)晶胞中有2個(gè)原子,故空間利用率=eq \f(V球,V晶胞)×100%=eq \f(2×\f(4,3)πr3,a3)×100%=eq \f(2×\f(4,3)πr3,?\f(4,\r(3))r?3)×100%≈68%。
③六方最密堆積
如圖所示,原子的半徑為r,底面為菱形(棱長(zhǎng)為2r,其中一個(gè)角為60°),則底面面積S=2r×eq \r(3)r=2eq \r(3)r2,h=eq \f(2\r(6),3)r,V晶胞=S×2h=2eq \r(3)r2×2×eq \f(2\r(6),3)r=8eq \r(2)r3,1個(gè)晶胞中有2個(gè)原子,則空間利用率=eq \f(V球,V晶胞)×100%=eq \f(2×\f(4,3)πr3,8\r(2)r3)×100%≈74%。
④面心立方最密堆積
如圖所示,原子的半徑為r,面對(duì)角線為4r,a=2eq \r(2)r,V晶胞=a3=(2eq \r(2)r)3=16eq \r(2)r3,1個(gè)晶胞中有4個(gè)原子,則空間利用率=eq \f(V球,V晶胞)×100%=eq \f(4×\f(4,3)πr3,16\r(2)r3)×100%≈74%。
(3)晶體微粒與M、ρ之間的關(guān)系
若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒,則1 ml該晶胞中含有x ml 微粒,其質(zhì)量為xM g(M為微粒的相對(duì)分子質(zhì)量);若該晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3 g(a3為晶胞的體積),則1 ml晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3NA g,因此有xM=ρa(bǔ)3NA。
4.常見離子晶體結(jié)構(gòu)分析
(1)典型離子晶體模型
(2)晶格能
①定義:氣態(tài)離子形成1摩離子晶體釋放的能量。晶格能是反映離子晶體穩(wěn)定性的數(shù)據(jù),可以用來衡量離子鍵的強(qiáng)弱,晶格能越大,離子鍵越強(qiáng)。
②影響因素:晶格能的大小與陰陽離子所帶電荷、陰陽離子間的距離、離子晶體的結(jié)構(gòu)類型有關(guān)。離子所帶電荷越多,半徑越小,晶格能越大。
③對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響:晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,而且熔點(diǎn)越高,硬度越大。
二、晶胞的相關(guān)計(jì)算
晶胞計(jì)算的思維方法
(1)“均攤法”原理
特別提醒:
①在使用“均攤法”計(jì)算晶胞中微粒個(gè)數(shù)時(shí),要注意晶胞的形狀,不同形狀的晶胞,應(yīng)先分析任意位置上的一個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有,如六棱柱晶胞中,頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心依次被6、3、4、2個(gè)晶胞所共有。
②在計(jì)算晶胞中粒子個(gè)數(shù)的過程中,不是任何晶胞都可以用“均攤法”。
(2)晶胞中各線段之間的關(guān)系
(3)晶體微粒與M、ρ之間的關(guān)系
若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒,則1 ml該晶胞中含有x ml微粒,其質(zhì)量為xM g(M為微粒的相對(duì)“分子”質(zhì)量);1個(gè)晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3 g(a3為晶胞的體積),則1 ml晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3NA g,因此有xM=ρa(bǔ)3NA。
三、宏觀晶體密度與微觀晶胞參數(shù)的關(guān)系
【核心題型例解】
高頻考點(diǎn)一 晶胞粒子和化學(xué)式的計(jì)算
【例1】(2023·遼寧卷第14題)晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1),進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說法錯(cuò)誤的是( )

A. 圖1晶體密度為g?cm-3 B. 圖1中O原子的配位數(shù)為6
C. 圖2表示的化學(xué)式為 D. 取代產(chǎn)生的空位有利于傳導(dǎo)
【答案】C
【解析】根據(jù)均攤法,圖1的晶胞中含Li:8× EQ \f(1,4)+1=3,O:2× EQ \f(1,2)=1,Cl:4× EQ \f(1,4)=1,1個(gè)晶胞的質(zhì)量為g=g,晶胞的體積為(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3,則晶體的密度為g÷(a3×10-30cm3)=g/cm3,A項(xiàng)正確;圖1晶胞中,O位于面心,與O等距離最近的Li有6個(gè),O原子的配位數(shù)為6,B項(xiàng)正確;根據(jù)均攤法,圖2中Li:1,Mg或空位為8× EQ \f(1,4)=2。O:2× EQ \f(1,2)=1,Cl或Br:4× EQ \f(1,4)=1,Mg的個(gè)數(shù)小于2,根據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為0,圖2的化學(xué)式為L(zhǎng)iMgOClxBr1-x,C項(xiàng)錯(cuò)誤;進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料,說明Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+的傳導(dǎo),D項(xiàng)正確;故選C。
【變式探究】(2023·湖北卷第15題)鑭La和H可以形成一系列晶體材料,在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。,屬于立方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下,中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu),即得到晶體。下列說法錯(cuò)誤的是( )
A. 晶體中La的配位數(shù)為8
B. 晶體中H和H的最短距離:
C. 在晶胞中,H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠
D. 單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為
【答案】C
【解析】由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知,La位于頂點(diǎn)和面心,晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子,若以頂點(diǎn)La研究,與之最近的H原子有8個(gè),則La的配位數(shù)為8,故A正確;
由LaHX晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),H和H之間的最短距離變小,則晶體中H和H的最短距離:,故B正確;由題干信息可知,在LaHX晶胞中,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè),頂點(diǎn)數(shù)為4×8=32,且不是閉合的結(jié)構(gòu),故C錯(cuò)誤;1個(gè)LaHX晶胞中含有5×8=40個(gè)H原子,含H質(zhì)量為g,晶胞的體積為(484.0×10-10cm)3=(4.84×10-8)3cm3,則LaHX單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為,故D正確;故選C。
【變式探究】(2023·浙江選考第17題)Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖。該晶體類型是___________,該化合物的化學(xué)式為___________。
【答案】共價(jià)晶體 SiP2
【解析】 Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖可知,原子間通過共價(jià)鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),形成共價(jià)晶體;根據(jù)均攤法可知,一個(gè)晶胞中含有個(gè)Si,8個(gè)P,故該化合物的化學(xué)式為SiP2。
【變式探究】(2023·全國乙卷第35題)一種硼鎂化合物具有超導(dǎo)性能,晶體結(jié)構(gòu)屬于立方晶系,其晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿c軸的投影圖如下所示,晶胞中含有_______個(gè)。該物質(zhì)化學(xué)式為_______,B-B最近距離為_______。

【答案】3 MgB2
【解析】由硼鎂化合物的晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿c軸的投影圖可知,Mg位于正六棱柱的頂點(diǎn)和面心,由均攤法可以求出正六棱柱中含有個(gè)Mg,B在正六棱柱體內(nèi)共6個(gè),則該物質(zhì)的化學(xué)式為MgB2;由晶胞沿c軸的投影圖可知,B原子在圖中兩個(gè)正三角形的重心,該點(diǎn)到頂點(diǎn)的距離是該點(diǎn)到對(duì)邊中點(diǎn)距離的2倍,頂點(diǎn)到對(duì)邊的垂線長(zhǎng)度為,因此B-B最近距離為。
高頻考點(diǎn)二 晶胞密度計(jì)算
【例2】(2023·湖南卷第11題)科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該立方晶胞參數(shù)為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯(cuò)誤的是

A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6
B. 晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè)
C. 晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面
D. 晶體的密度為
【答案】C
【解析】根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中K個(gè)數(shù):8× EQ \f(1,8)=1,其中Ca個(gè)數(shù):1,其中B個(gè)數(shù):12× EQ \f(1,2)=6,其中C個(gè)數(shù):12× EQ \f(1,2)=6,故其最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6,A正確;根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,K+位于晶胞體心,Ca位于定點(diǎn),則晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè),B正確;根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面,C錯(cuò)誤;根據(jù)選項(xiàng)A分析可知,該晶胞最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6,則1個(gè)晶胞質(zhì)量為:,晶胞體積為a3×10-30cm3,則其密度為,D正確;故選C。
【變式探究】(2023·全國甲卷第35題)氣態(tài)AlCl3通常以二聚體Al2Cl6的形式存在,其空間結(jié)構(gòu)如圖3a所示,二聚體中的軌道雜化類型為_______。的熔點(diǎn)為,遠(yuǎn)高于的,由此可以判斷鋁氟之間的化學(xué)鍵為_______鍵。結(jié)構(gòu)屬立方晶系,晶胞如圖3b所示,的配位數(shù)為_______。若晶胞參數(shù)為,晶體密度_______(列出計(jì)算式,阿伏加德羅常數(shù)的值為)。
【答案】sp3 離子 2
【解析】由Al2Cl6的空間結(jié)構(gòu)結(jié)合相關(guān)元素的原子結(jié)構(gòu)可知,Al原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4,其與其周圍的4個(gè)氯原子形成四面體結(jié)構(gòu),因此,二聚體中A1的軌道雜化類型為sp3。AlF3的熔點(diǎn)為1090℃,遠(yuǎn)高于AlCl3的192℃,由于F的電負(fù)性最大,其吸引電子的能力最強(qiáng),因此,可以判斷鋁氟之間的化學(xué)鍵為離子鍵。由AlF3的晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中含灰色球的個(gè)數(shù)為,紅色球的個(gè)數(shù)為,則灰色的球?yàn)?,距最近且等距的?個(gè),則的配位數(shù)為2。若晶胞參數(shù)為a pm,則晶胞的體積為,晶胞的質(zhì)量為,則其晶體密度。
高頻考點(diǎn)三 晶胞計(jì)算的綜合應(yīng)用
【例2】(2023·山東卷第16題)鹵素可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物?;卮鹣铝袉栴}:
(1)時(shí),與冰反應(yīng)生成利。常溫常壓下,為無色氣休,固態(tài)的晶體類型為_____,水解反應(yīng)的產(chǎn)物為_____(填化學(xué)式)。
(2)中心原子為,中心原子為,二者均為形結(jié)構(gòu),但中存在大鍵。中原子的軌道雜化方式_____;為鍵角_____鍵角(填“>”“ <”或“=”)。比較與中鍵的鍵長(zhǎng)并說明原因_____。
(3)一定條件下,和反應(yīng)生成和化合物。已知屬于四方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù)),其中化合價(jià)為+2。上述反應(yīng)化學(xué)方程式為_____。若阿伏加德羅常數(shù)的值為,化合物的密度_____(用含的代數(shù)式表示)。
【答案】(1)分子晶體 HF 、和
(2) > 分子中鍵的鍵長(zhǎng)小于中鍵的鍵長(zhǎng),其原因是:分子中既存在σ鍵,又存在大鍵,原子軌道重疊的程度較大,因此其中鍵的鍵長(zhǎng)較小,而只存在普通的σ鍵。
(3)
【解析】
(1)常溫常壓下,為無色氣體,則的沸點(diǎn)較低,因此,固態(tài)HOF的晶體類型為分子晶體。分子中F顯-1價(jià),其水解時(shí)結(jié)合電離的生成HF,則結(jié)合電離的,兩者反應(yīng)生成,不穩(wěn)定,其分解生成,因此,水解反應(yīng)的產(chǎn)物為HF 、和。
(2)中心原子為,中心原子為,二者均為V形結(jié)構(gòu),但中存在大鍵()。由中存在可以推斷,其中原子只能提供1對(duì)電子,有一個(gè)原子提供1個(gè)電子,另一個(gè)原子提供1對(duì)電子,這5個(gè)電子處于互相平行的軌道中形成大鍵,提供孤電子對(duì)與其中一個(gè)形成配位鍵,與另一個(gè)形成的是普通的共價(jià)鍵(σ鍵,這個(gè)只提供了一個(gè)電子參與形成大鍵), 的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,則原子的軌道雜化方式為;中心原子為,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)的計(jì)算公式可知,因此,的雜化方式為;根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,時(shí),價(jià)電子對(duì)的幾何構(gòu)型為正四面體,時(shí),價(jià)電子對(duì)的幾何構(gòu)型平面正三角形,雜化的鍵角一定大于的,因此,雖然和均為形結(jié)構(gòu),但鍵角大于鍵角,孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用也改變不了這個(gè)結(jié)論。分子中鍵的鍵長(zhǎng)小于中鍵的鍵長(zhǎng),其原因是:分子中既存在σ鍵,又存在大鍵,原子軌道重疊的程度較大,因此其中鍵的鍵長(zhǎng)較小,而只存在普通的σ鍵。
(3)一定條件下,、和反應(yīng)生成和化合物X。已知X屬于四方晶系,其中Cu化合價(jià)為+2。由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,該晶胞中含有黑球的個(gè)數(shù)為、白球的個(gè)數(shù)為、灰色球的個(gè)數(shù)為,則X中含有3種元素,其個(gè)數(shù)比為1:2:4,由于其中Cu化合價(jià)為+2、的化合價(jià)為-1、K的化合價(jià)為+1,根據(jù)化合價(jià)代數(shù)和為0,可以推斷X為,上述反應(yīng)的化學(xué)方程式為。若阿伏加德羅富數(shù)的值為,晶胞的質(zhì)量為,晶胞的體積為,化合物X的密度。
【變式探究】(2022·廣東卷)硒()是人體必需微量元素之一,含硒化合物在材料和藥物領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。自我國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)聚集誘導(dǎo)發(fā)光()效應(yīng)以來,在發(fā)光材料、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。一種含的新型分子的合成路線如下:
(1)與S同族,基態(tài)硒原子價(jià)電子排布式為_______。
(2)的沸點(diǎn)低于,其原因是_______。
(3)關(guān)于I~III三種反應(yīng)物,下列說法正確的有_______。
A.I中僅有σ鍵
B.I中的鍵為非極性共價(jià)鍵
C.II易溶于水
D.II中原子的雜化軌道類型只有與
E.I~III含有的元素中,O電負(fù)性最大
(4)IV中具有孤對(duì)電子的原子有_______。
(5)硒的兩種含氧酸的酸性強(qiáng)弱為_______(填“>”或“”“

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