第30講晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)- 2024年高考化學(xué)大一輪復(fù)習(xí)【精講精練】-試卷下載-教習(xí)網(wǎng)

A．氫化物的穩(wěn)定性：
B．、、三者的中心原子價(jià)層電子對數(shù)相等
C．的晶體密度為(為阿伏加德羅常數(shù)的值)
D．晶體中與之間的最近距離為
2．科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為。阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法錯(cuò)誤的是

A．晶體的密度為
B．晶體最簡化學(xué)式為
C．晶體中與最近且距離相等的有12個(gè)
D．昆胞中和原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面
3．CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與 NaCl 晶體的晶胞結(jié)構(gòu)相似(如圖所示)，但CaC2晶體中含有啞鈴形的，使晶胞沿一個(gè)方向拉長，下列關(guān)于CaC2晶體的說法正確的是

A．每個(gè) Ca2+ 周圍距離最近且相等的的數(shù)目為 6
B．CaC2晶體，每個(gè)晶胞中含有 4 個(gè) Ca2+ 和 4 個(gè)
C．6.4 gCaC2晶體中含有 0.2 ml 陰離子
D．每個(gè) Ca2+周圍距離最近且相等的 Ca2+有 12 個(gè)
4．氮化硼(BN)晶體有多種結(jié)構(gòu)。六方相氨化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，可作高溫潤滑劑；立方相氮化硼是超硬材料，有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，關(guān)于這兩種晶體的說法正確的是

A．兩種晶體中B原子的雜化方式均為sp2
B．兩種晶體中B-N鍵鍵長相等
C．六方相氮化硼層間共價(jià)鍵鍵能較小，所以可做高溫潤滑劑
D．每個(gè)立方氮化硼晶胞中含有4個(gè)B原子和4個(gè)N原子
5．汞鋇銅氧晶體的晶胞如圖A所示，通過摻雜Ca2+獲得的具有更高臨界溫度的超導(dǎo)材料如圖B所示。下列說法正確的是

A．摻雜后晶體密度增大是因?yàn)榫О性黾恿?個(gè)Ca2+
B．汞鋇銅氧晶體中的Hg和Cu個(gè)數(shù)比為1∶2
C．圖A晶胞中一個(gè)Ba的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(，，)，則另一個(gè)(，，)
D．圖B晶胞中Ca周圍距離最近的Hg數(shù)目和Hg周圍距離最近的Ca的數(shù)目不同
6．鉛磷青銅具有很高的耐腐蝕性和耐磨性，常用于制作耐磨零件和滑動軸承。如圖為鉛磷青銅的一種晶胞結(jié)構(gòu)，已知A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)，B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1，1，0)；下列說法不正確的是

A．該晶胞的化學(xué)式為PbCu3P
B．C點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5，0.5，1)
C．晶胞中，Pb位于第六周期第ⅣA族，Cu屬于第ⅠB位于d區(qū)
D．晶體中基態(tài)磷原子的核外電子共有9種空間運(yùn)動狀態(tài)
7．砷化鎵是一種立方晶系如圖甲所示，將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料如圖乙所示，砷化鎵的晶胞密度為?g?cm-3。下列說法錯(cuò)誤的是
A．1ml砷化鎵中配位鍵的數(shù)目是4NA
B．摻入Mn的晶體中Mn、Ga、As的原子個(gè)數(shù)比為5：26：32
C．沿體對角線a→b方向投影圖如丙，若c在11處，則As的位置為7、9、11、13
D．該晶體中距離最近的兩個(gè)鎵原子之間的距離為pm
8．納米晶體作為新一代光電半導(dǎo)體材料，已被廣泛應(yīng)用于光電子器件領(lǐng)域。的晶胞為立方型，其結(jié)構(gòu)如下圖所示。容忍因子(、和分別代表著A、B、C位的離子半徑)，其數(shù)值越接近1，晶體結(jié)構(gòu)越穩(wěn)定。已知。下列說法錯(cuò)誤的是

A．晶體中和的配位數(shù)均為6
B．晶體中填充在構(gòu)成的正八面體空隙中
C．若要提高晶體的穩(wěn)定性，可用離子半徑略小于的離子取代
D．若某型晶體的容忍因子，則A、B位的離子均恰好與C位的離子相切
9．實(shí)驗(yàn)室制取HF的原理為，氫氟酸可用來刻蝕玻璃，發(fā)生反應(yīng)：。的立方晶胞如圖所示，其晶胞參數(shù)為。下列說法錯(cuò)誤的是

A．簡單氫化物的穩(wěn)定性：
B．、、三者的VSEPR模型均為四面體形
C．晶體與Si晶體的晶體類型相同，二者均為良好的半導(dǎo)體
D．晶體中與之間的最近距離為
10．鋅晶胞如圖1所示，鋅一二氧化錳電池如圖2所示。下列敘述中正確的是

已知：鋅晶胞的底邊長為apm，高為bpm；NA為阿伏加德羅常數(shù)的值；2M表示2ml?L-1。
A．放電過程中，Mn2+向負(fù)極區(qū)遷移
B．正極質(zhì)量減少5.22g時(shí)，減少的鋅晶胞數(shù)為0.01NA
C．鋅晶體的密度為ρ=g?cm-3
D．Zn的價(jià)電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s2
11．某水性鈉離子電池電極材料由、、、組成，其立方晶胞嵌入和嵌出過程中，與含量發(fā)生變化，依次變?yōu)楦窳志G、普魯士藍(lán)、普魯士白三種物質(zhì)，其過程如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是

A．普魯士藍(lán)中與個(gè)數(shù)比為1：2
B．格林綠晶體中周圍等距且最近的數(shù)為6
C．每個(gè)晶胞完全轉(zhuǎn)化為晶胞，轉(zhuǎn)移8個(gè)
D．若普魯士白的晶胞棱長為a pm，則其晶體的密度為
12．晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法不正確的是

A．陰、陽離子個(gè)數(shù)比為
B．晶體中距離最近的的數(shù)目為12
C．若晶胞邊長均為，則和之間的最短距離為
D．陽離子位于由陰離子構(gòu)成的正八面體空隙中
13．下列有關(guān)說法不正確的是

A．MgO的離子鍵的鍵能大于CaO的
B．干冰和的晶體類型相同
C．如圖所示的晶胞的化學(xué)式為
D．DNA雙螺旋的兩個(gè)螺旋鏈通過氫鍵相互結(jié)合
14．冰晶石()常用作電解鋁的助熔劑和研磨產(chǎn)品的耐磨添加劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知該晶胞參數(shù)為a pm，表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是

A．中Al的配位數(shù)為6
B．圖中△位置填充的是Na
C．晶胞中形成的全部四面體空隙和的比值為1∶1
D．該晶體的密度為 g?cm-3
15．已知：2NO2(g)+NaCl(s)NaNO3(s)+ClNO(g) ，下列說法正確的是

A．該反應(yīng)的平衡常數(shù)可表達(dá)為
B．該反應(yīng)一定能自發(fā)進(jìn)行
C．降溫有利于提高的平衡轉(zhuǎn)化率
D．NaCl晶胞(如圖所示)中每個(gè)周圍與其距離最近的有6個(gè)
16．在超分子化學(xué)中，常用Cu+模板合成各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分子，圖1為諾貝爾得主Auvage教授利用亞銅離子為模板合成的索烴結(jié)構(gòu)。Cu也可與Zn、Sn及S構(gòu)成四元半導(dǎo)體化合物的四方晶胞，結(jié)構(gòu)如圖2所示，下列說法錯(cuò)誤的是

A．索烴分子既有極性鍵又有非極性鍵
B．1ml索烴中所含的配位鍵的數(shù)量為8NA
C．半導(dǎo)體化合物中Zn原子與Sn原子個(gè)數(shù)比為1:2
D．在四方晶胞中Sn位于S原子組成的四面體空隙中
17．的晶胞與相似，但由于的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致晶胞沿一個(gè)方向拉長(如圖)，已知的摩爾質(zhì)量為，若阿伏加德羅常數(shù)的值為，下列說法錯(cuò)誤的是

A．填充在圍成的八面體空隙中
B．每個(gè)周圍等距緊鄰的有6個(gè)
C．兩個(gè)最近之間的距離為
D．晶體密度的計(jì)算式為
18．砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)為1238℃，用于制作太陽能電池的材料，其結(jié)構(gòu)如圖所示，其中以原子1為原點(diǎn)，原子2的坐標(biāo)為(1，1，1)。下列有關(guān)說法中錯(cuò)誤的是

A．原子3的坐標(biāo)為(，，)B．Ga的配位數(shù)為4
C．GaAs為共價(jià)晶體D．若將Ga換成Al，則晶胞參數(shù)將變小
19．快離子導(dǎo)體是一類具有優(yōu)良導(dǎo)電能力的固體電解質(zhì)。圖1(Li3SBF4)和圖2是潛在的快離子導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)示意圖。溫度升高時(shí)，NaCl晶體出現(xiàn)缺陷，晶體的導(dǎo)電性增強(qiáng)。該晶體導(dǎo)電時(shí)，③遷移的途徑有兩條：
途徑1：在平面內(nèi)擠過2、3號氯離子之間的狹縫(距離為x)遷移到空位。
途徑2：擠過由1、2、3號氯離子形成的三角形通道(如圖3，小圓的半徑為y)遷移到空位。
已知：氯化鈉晶胞參數(shù)a=564pm，r(Na+)=95pm，r(Cl-)=185pm，=1.4，=1.7。
下列說法不正確的是

A．第二周期元素中第一電離能介于B和F之間的元素有4種
B．圖1所示晶體中，每個(gè)Li+與4個(gè)呈四面體結(jié)構(gòu)的離子相鄰
C．氯化鈉晶體中，Na+填充在氯離子形成的正八面體空隙中
D．溫度升高時(shí)，NaCl晶體出現(xiàn)缺陷，晶體的導(dǎo)電性增強(qiáng)，該晶體導(dǎo)電時(shí)，③遷移的途徑可能性更大的是途徑1
20．化學(xué)式為的籠形包合物四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(H原子未畫出)，晶胞中N原子均參與形成配位鍵，每個(gè)苯環(huán)只有一半屬于該晶胞。晶胞參數(shù)為a=b≠c，則下列敘述正確的是

A．Zn在元素周期表d區(qū)B．設(shè)晶體中原于的雜化方式為
C．D．Ni2+與Zn2+的配位數(shù)之比為2：3

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