【知識(shí)清單】
一、金屬晶體
1、三維堆積方式
2、電子氣理論
金屬原子脫落下來(lái)的 形成遍布整塊晶體的“電子氣”，被所有原子共用，從而把所有金屬原子維系在一起。
3、金屬通性（用電子氣理論解釋）
思考1：為什么合金的硬度比純金屬大？
思考2：為什么加熱后金屬電阻變大？
二、離子晶體
常見(jiàn)晶體類型
例、如圖是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來(lái)的部分結(jié)構(gòu)圖，其中屬于從NaCl晶體中分割出來(lái)的結(jié)構(gòu)圖是( )
A．圖①和圖③ B．圖②和圖③
C．圖①和圖④ D．只有圖④
三、分子晶體
1、分子常見(jiàn)堆積方式
2、常見(jiàn)分子晶體結(jié)構(gòu)分析
例、C60晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說(shuō)法正確的是( )
A、該晶體熔化時(shí)需克服共價(jià)鍵 B、晶體中1個(gè)C60分子有12個(gè)緊鄰的C60分子，屬于分子密堆積類型
C、1個(gè)晶胞中含有8個(gè)C60分子 D、晶體中C60分子間以范德華力結(jié)合，故C60分子的熱穩(wěn)定性較差
四、共價(jià)晶體
（1）金剛石

①碳原子采取 雜化，鍵角為 。每個(gè)碳原子與周圍緊鄰的4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，碳的配位數(shù)為 。
②金剛石晶胞的每個(gè)頂點(diǎn)和面心均有1個(gè)C原子，晶胞內(nèi)部有4個(gè)C原子，內(nèi)部的C在晶胞的體對(duì)角線的eq \f(1,4)處，每個(gè)金剛石晶胞中含有 個(gè)C原子。
③最小碳環(huán)由6個(gè)碳原子組成，每個(gè)碳原子被 個(gè)六元環(huán)共用。六元環(huán)中最多有4個(gè)碳原子在同一平面。晶體中每個(gè)碳原子數(shù)目與C-C數(shù)目之比為 。
（2）二氧化硅晶體。
二氧化硅是自然界含量最高的固態(tài)二元氧化物，有多種結(jié)構(gòu)，最常見(jiàn)的是低溫石英(α-SiO2)。低溫石英的結(jié)構(gòu)中有頂角相連的硅氧四面體形成螺旋上升的長(zhǎng)鏈，沒(méi)有封閉的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，這一結(jié)構(gòu)決定了它具有手性。
①Si原子采取 雜化，正四面體內(nèi)O—Si—O鍵角為 。
②每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，Si原子位于正四面體的中心，O原子位于正四面體的頂點(diǎn)，同時(shí)每個(gè)O原子被2個(gè)硅氧正四面體共用，晶體中Si原子與O原子個(gè)數(shù)比為 ，硅的配位數(shù) ，氧的配位數(shù) 。
③最小環(huán)上有 個(gè)原子，包括 個(gè)O原子和 個(gè)Si原子。
③1 ml SiO2晶體中含Si—O數(shù)目為 。
④SiO2晶胞中有8個(gè)Si原子位于立方晶胞的頂點(diǎn)，有6個(gè)Si原子位于立方晶胞的面心，還有4個(gè)Si原子與16個(gè)O原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個(gè)硅氧四面體。每個(gè)SiO2晶胞中含有 個(gè)Si原子和 個(gè)O原子。
（3）碳化硅晶體
①碳、硅原子都采取 雜化，Si—C—Si鍵角為 。
②每個(gè)硅(碳)原子與周圍緊鄰的4個(gè)碳(硅)原子以共價(jià)鍵結(jié)合成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。硅或碳的配位數(shù)為 。
③最小碳環(huán)由 個(gè)原子組成且不在同一平面內(nèi)，其中包括 個(gè)C原子和 個(gè)Si原子。
④每個(gè)SiC晶胞中含有 個(gè)C原子和 個(gè)Si原子。
例、碳化硅和立方氮化硼的結(jié)構(gòu)與金剛石類似，碳化硅硬度僅次于金剛石，立方氮化硼硬度與金剛石相當(dāng)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。（C:12，Si:28，N:14，B:11）
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)碳化硅晶體中，硅原子雜化類型為_(kāi)_______，每個(gè)硅原子周圍與其距離最近的碳原子有________個(gè)；設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為a cm，密度為b g·cm－3，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為_(kāi)_______(用含a、b的式子表示)。
(2)立方氮化硼晶胞中有________個(gè)硼原子，________個(gè)氮原子，硼原子的雜化類型為_(kāi)_______，若晶胞的邊長(zhǎng)為a cm，則立方氮化硼的密度表達(dá)式為_(kāi)_______g·cm－3(設(shè)NA為阿加德羅常數(shù))。
五、過(guò)渡晶體與混合型晶體
1、概念
①過(guò)渡晶體：純粹的分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的，大多數(shù)晶體是它們之間的過(guò)渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過(guò)渡晶體當(dāng)作離子晶體來(lái)處理，把偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶體當(dāng)作共價(jià)晶體來(lái)處理。
②混合型晶體：像石墨，既有共價(jià)鍵又有范德華力，同時(shí)存在類似金屬鍵的作用力，兼具有共價(jià)晶體、分子晶體、金屬晶體的特征的晶體。
2、典型混合型晶體結(jié)構(gòu)分析——石墨晶體
①石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間是以 力相結(jié)合，同層內(nèi)碳原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合成平面網(wǎng)狀。層內(nèi)碳原子核間距為142pm，層間距為335pm。
②每一層碳原子排列成正六邊形，則每個(gè)碳原子采用 雜化，形成正六邊形。
③所有p軌道相互平行且相互重疊，形成離域大π鍵，使p軌道中的電子可在事個(gè)碳原子平面中運(yùn)動(dòng)，而電子不能從一個(gè)平面跳躍到另一個(gè)平面，所以石墨的導(dǎo)電性只能沿石墨平面的方向。
④石墨晶體中每個(gè)正六邊形含有的C原子數(shù)為 ，含有的C－C鍵數(shù)為 。
例、氮化硼(BN)晶體有多種結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，可作高溫潤(rùn)滑劑。立方相氮化硼是超硬材料，有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。
（1）關(guān)于這兩種晶體的說(shuō)法，正確的是 （填序號(hào)）。
A．立方相氮化硼含有σ鍵和π鍵，所以硬度大 B．六方相氮化硼層間作用力小，所以質(zhì)地軟
C．兩種晶體中B-N鍵均為共價(jià)鍵 D．兩種晶體均為分子晶體
（2）六方相氮化硼晶體層內(nèi)一個(gè)硼原子與相鄰氮原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 ，其結(jié)構(gòu)與石墨相似卻不導(dǎo)電，原因是 。
（3）立方相氮化硼晶體，硼原子的雜化軌道類型為 。該晶體的天然礦物在青藏高原地下約300 km在古地殼中被發(fā)現(xiàn)。根據(jù)這一礦物形成事實(shí)，推斷實(shí)驗(yàn)室由六方相氮化硼合成立方相氮化硼需要的條件應(yīng)是 。
（4）NH4BF4（氟硼酸銨）是合成氮化硼納米管的原料之一。1 mlNH4BF4含有 ml配位鍵。
【概念辨析】
1、分子晶體不導(dǎo)電，溶于水后也都不導(dǎo)電( )
2、第三周期主族元素從左到右，最高價(jià)氧化物中離子鍵的百分?jǐn)?shù)逐漸增大( )
3、大多數(shù)晶體是過(guò)渡晶體( )
4、共價(jià)晶體的熔點(diǎn)一定比離子晶體的高( )
5、金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶?chǎng)作用下產(chǎn)生自由電子( )
6、金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子吸收并放出可見(jiàn)光( )
7、過(guò)渡晶體是指某些物質(zhì)的晶體通過(guò)改變條件，轉(zhuǎn)化為另一種晶體( )
8、Na2O是純粹的離子晶體，SiO2純粹的共價(jià)晶體( )
9、自由電子屬于整塊金屬（ ）
10、金屬的物理性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)（ ）
11、有陽(yáng)離子的晶體一定有陰離子（ ）
12、金屬晶體與共價(jià)晶體一樣，是一種“巨分子”（ ）
13、金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的強(qiáng)烈的相互作用，在一定外力作用下，不會(huì)因形變而消失（ ）
14、溫度越高，自由電子的運(yùn)動(dòng)速率越快，金屬的導(dǎo)電性越強(qiáng)（ ）
15、金屬晶體堆積密度大，原子配位數(shù)高，能充分利用空間的原因是金屬原子的價(jià)電子數(shù)少（ ）
16、金屬一般具有金屬光澤，是物理性質(zhì)，與金屬鍵無(wú)關(guān)（ ）
17、晶格能由大到小：NaF＜NaCl＜NaBr＜NaI（ ）
18、晶格能是氣態(tài)離子形成1 ml離子晶體吸收的能量（ ）
19、固態(tài)和熔融時(shí)易導(dǎo)電，熔點(diǎn)在1 000 ℃左右的晶體可能是金屬晶體（ ）
20、因金屬性K>Na，故金屬鉀的熔點(diǎn)高于金屬鈉（ ）
21、金屬（除汞外）在常溫下都是晶體，稱其為金屬晶體（ ）
22、高硬度、高熔點(diǎn)是許多有共價(jià)鍵三維骨架結(jié)構(gòu)的共價(jià)晶體的特性（ ）
23、具有共價(jià)鍵的晶體叫共價(jià)晶體（ ）
24、物質(zhì)經(jīng)受錘擊的性質(zhì)屬于延展性（ ）
【跟蹤練習(xí)】
1、（2023·北京卷）中國(guó)科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨炔，是碳材料科學(xué)的一大進(jìn)步。
下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨炔的說(shuō)法正確的是（ ）
A．三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的鍵B．三種物質(zhì)中的碳原子都是雜化
C．三種物質(zhì)的晶體類型相同D．三種物質(zhì)均能導(dǎo)電
2、(2021·遼寧1月適應(yīng)性測(cè)試，6)我國(guó)科學(xué)家合成了富集11B的非碳導(dǎo)熱材料立方氮化硼晶體，晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說(shuō)法正確的是( )
A．11BN和10BN的性質(zhì)無(wú)差異 B．該晶體具有良好的導(dǎo)電性
C．該晶胞中含有14個(gè)B原子，4個(gè)N原子 D．N原子周圍等距且最近的N原子數(shù)為12
3、(2021·遼寧，7)單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導(dǎo)材料，其晶胞如圖。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是( )
A．S位于元素周期表p區(qū) B．該物質(zhì)的化學(xué)式為H3S
C．S位于H構(gòu)成的八面體空隙中 D．該晶體屬于分子晶體
4、釩的某種氧化物的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為a pm。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是( ) （V:51 O:16）
A．該釩的氧化物的化學(xué)式為VO2 B．V原子在該晶體中的堆積方式為體心立方
C．V原子的配位數(shù)與O原子的配位數(shù)之比為1∶2 D．該晶胞的密度為eq \f(2×?51＋16×2?,?a×10－10?3×6.02×1023) g·cm－3
5、金剛石和石墨是碳元素形成的兩種單質(zhì)，下列說(shuō)法正確的是( )
A．金剛石和石墨晶體中最小的環(huán)均含有6個(gè)碳原子
B．在金剛石中每個(gè)C原子連接4個(gè)六元環(huán)，石墨中每個(gè)C原子連接3個(gè)六元環(huán)
C．金剛石與石墨中碳原子的雜化方式均為sp2
D．金剛石中碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1∶4，而石墨中碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1∶3
6、如圖是金屬晶體內(nèi)部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來(lái)解釋金屬的性質(zhì)，其中正確的是( )
A．金屬能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下定向移動(dòng)
B．金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟孪嗷ヅ鲎玻瑥亩l(fā)生熱的傳導(dǎo)
C．金屬具有延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟?，金屬中各原子層間會(huì)出現(xiàn)相對(duì)滑動(dòng)，但自由電子可以起到潤(rùn)滑劑的作用，使金屬不會(huì)斷裂
D．合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，使電子數(shù)目增多，所以合金的延展性比純金屬?gòu)?qiáng)，硬度比純金屬小
7、碳化硅(SiC)晶體具有多種結(jié)構(gòu)，其中一種晶體的晶胞(如圖所示)與金剛石的類似。下列判斷正確的是( )
A．該晶體屬于分子晶體 B．該晶體中存在極性鍵和非極性鍵
C．該晶體中Si的化合價(jià)為－4 D．該晶體中C的雜化類型為sp3
8、有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說(shuō)法不正確的是( )
A．在NaCl晶體中，距Cl－最近的Na＋形成正八面體 B．在CaF2晶體中，每個(gè)晶胞平均含有4個(gè)Ca2＋
C．冰晶體中每個(gè)水分子與另外四個(gè)水分子形成四面體結(jié)構(gòu) D．該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF
9、鐵有δ、γ、α三種晶體結(jié)構(gòu)，以下依次是δ、γ、α三種晶體的晶胞在不同溫度下轉(zhuǎn)化的示意圖。下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是( )
A．每個(gè)δ-Fe晶體中有2個(gè)鐵原子
B．γ-Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子有12個(gè)
C．每個(gè)γ-Fe晶胞中含有14個(gè)鐵原子
D．將鐵加熱到1 500 ℃分別急速冷卻和緩慢冷卻，得到的晶體類型不相同
10、鋇在氧氣中燃燒時(shí)得到一種鋇的氧化物晶體，其結(jié)構(gòu)如圖所示，下列有關(guān)說(shuō)法正確的是( )
A．該晶體屬于分子晶體 B．晶體的化學(xué)式為Ba2O2
C．該晶體晶胞結(jié)構(gòu)與CsCl相似 D．與Ba2＋距離相等且最近的Ba2＋共有12個(gè)
11、石英晶體的平面示意圖如圖，它實(shí)際上是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作是晶體硅中的每個(gè)Si—Si中插入一個(gè)O)，其中硅、氧原子數(shù)比是m∶n，下列有關(guān)敘述正確的是( )
A．m∶n＝2∶1 B．6 g該晶體中含有0.1NA個(gè)分子
C．原硅酸根離子(SiOeq \\al(4－,4))的結(jié)構(gòu)為，則二聚原硅酸根離子Si2Oeq \\al(6－,x)中的x＝7
D．石英晶體中由硅、氧原子構(gòu)成的最小的環(huán)上含有的Si、O原子個(gè)數(shù)和為8
12、如圖是其晶胞結(jié)構(gòu)模型，下列說(shuō)法正確的是( )
A．基態(tài)鈣原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子 B．CaTiO3晶體中與每個(gè)Ti4＋最鄰近的O2－有12個(gè)
C．分子晶體中都存在共價(jià)鍵 D．金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高
13、CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的相似(如圖所示)，但CaC2晶體中由于啞鈴形的Ceq \\al(2－,2)存在，使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。下列關(guān)于CaC2晶體的說(shuō)法正確的是( )
A．1個(gè)Ca2＋周圍距離最近且等距離的Ceq \\al(2－,2)數(shù)目為6 B．1個(gè)CaC2晶體的晶胞平均含有1個(gè)Ca2＋和1個(gè)Ceq \\al(2－,2)
C．6.4 g CaC2晶體中含陰離子0.1 ml D．與每個(gè)Ca2＋距離相等且最近的Ca2＋共有12個(gè)
14、將石墨置于熔融的鉀或氣態(tài)鉀中，石墨吸收鉀形成名稱為鉀石墨的物質(zhì)，其組成可以是C8K、C12K、C24K、C36K、C48K、C60K等。下列分析正確的是( )
A．題干中所列舉的6種鉀石墨屬于有機(jī)高分子
B．鉀石墨中碳原子的雜化方式是sp3雜化
C．若某鉀石墨的原子分布如圖所示，則它所表示的是C12K
D．最近兩個(gè)K原子之間距離為石墨中C—C鍵長(zhǎng)的2eq \r(3)倍堆積模型
簡(jiǎn)單立方堆積
體心立方堆積
六方最密堆積
面心立方最密堆積
晶胞
配位數(shù)
原子半徑(r)和晶胞邊長(zhǎng)(a)的關(guān)系
2r=
4r＝
4r＝
一個(gè)晶胞內(nèi)原子數(shù)目
常見(jiàn)金屬
P
Na、K、Fe
Mg、Zn、Ti
Cu、Ag、Au
空間利用率
52.36%
68.05%
74.05%
74.05%
通性
解釋
導(dǎo)電性
通常情況下金屬晶體內(nèi)部電子的運(yùn)動(dòng)是自由的，但在外加電場(chǎng)的作用下會(huì)定向移動(dòng)形成電流。
導(dǎo)熱性
金屬受熱時(shí)，自由電子與金屬離子（金屬原子）的碰撞頻率增加，自由電子把能量傳給金屬離子（或金屬原子）從而把能量從溫度高的區(qū)域傳到溫度低得區(qū)域。
延展性
由于金屬鍵沒(méi)有方向性，在外力作用下，金屬原子之間發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)以后，各層金屬原子仍可保持這種相互作用，發(fā)生形變也不易斷裂。
有金屬光澤
當(dāng)光線投射到金屬表面時(shí)，自由電子吸收可見(jiàn)光，然后又把各種波長(zhǎng)的光大部分再反射出來(lái)，使絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)銀灰色或銀白色光澤。而金屬在粉末狀態(tài)時(shí)，金屬原子的取向雜亂，排列不規(guī)則，吸收可見(jiàn)光后不能再反射出來(lái)，所以金屬粉末常呈暗灰色或黑色。
晶體類型
晶胞模型
考點(diǎn)
NaCl晶胞
①在晶體中，每個(gè)Na＋同時(shí)吸引 個(gè)Cl－，每個(gè)Cl－同時(shí)吸引 個(gè)Na＋，配位數(shù)為 。
②每個(gè)晶胞含 個(gè)Na＋和 個(gè)Cl－。
CsCl晶胞
①在晶體中，每個(gè)Cl－吸引 個(gè)Cs＋，每個(gè)Cs＋吸引 個(gè)Cl－，配位數(shù)為 。
②每個(gè)晶胞中實(shí)際擁有的Cs＋ 個(gè)，Cl－有 個(gè)。
CaF2晶胞
①在晶體中，每個(gè)Ca2＋吸引 個(gè)F－，每個(gè)F－吸引 個(gè)Ca2＋。
②每個(gè)晶胞含 個(gè)Ca2＋， 個(gè)F－。
ZnS晶胞
①每個(gè)Zn2＋周圍距離最近的S2－有 個(gè)，每個(gè)S2－周圍距離最近的Zn2＋有 個(gè)。
②每個(gè)晶胞中實(shí)際擁有的Zn2＋有 個(gè)，S2－有 個(gè)。
分子間作用力
堆積方式
實(shí)例
范德華力
采用密堆積，每個(gè)分子周圍有 個(gè)緊鄰的分子
如C60、干冰、I2、O2
范德華力、氫鍵
采用非密堆積，每個(gè)分子周圍緊鄰的分子少于12個(gè)
如HF、NH3、冰
晶體類型
晶胞模型
考點(diǎn)
冰的結(jié)構(gòu)模型
（分子非密堆積形式）
①冰晶體中，氫鍵有方向性，它的存在迫使每個(gè)水分子與四面體頂角方向的 個(gè)相鄰水分子相互吸引。
②1 ml H2O的冰中，最多可形成 ml氫鍵。
③氫鍵H-O···H較長(zhǎng)，分子間距離增大并在水分子中間留有空隙，所以固態(tài)水的密度比液態(tài)水的 。
干冰的晶胞
（分子密堆積形式）
①每個(gè)晶胞中有 個(gè)CO2分子， 個(gè)原子。
②干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有 個(gè)。

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