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離子晶體中，往往陰離子的半徑比陽離子的半徑大，所以離子晶體的結(jié)構(gòu)可以看成是陰離子的堆積形成空隙，陽離子去填充陰離子形成的空隙。
1、如何判斷空隙種類
2、如何判斷空隙數(shù)目？
形成空隙的原子數(shù)（一般是陰離子數(shù)）：立方體：四面體：八面體=
3、如何計算填隙率？
陽離子數(shù)形成的空隙數(shù)×100%
4、常見晶體模型
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1、五氯化磷在固體狀態(tài)時，由空間構(gòu)型分別是正四面體和正八面體兩種離子構(gòu)成，下列說法正確的是（ ）
A、五氯化磷固體是分子晶體
B、五氯化磷具有良好的導(dǎo)電性
C、五氯化磷晶體有[PCl3]2+和[PCl7]2—構(gòu)成，其離子數(shù)目之比為1：1
D、五氯化磷晶體有[PCl4]+和[PCl6]—構(gòu)成，其離子數(shù)目之比為1：1
例2、NiO的晶體結(jié)構(gòu)如圖，則NiO晶體中Ni2+填充在O2-形成的 空隙中，其中空隙填充率為 。
例3、已知立方BN晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，N原子填充在B原子形成的 空隙中，其空隙填充率為 。
例4、碳的一種單質(zhì)C60可以與鉀形成低溫超導(dǎo)化合物，晶胞中C60的位置如圖，此化合物可以看成是K填充在C60形成的所有四面體間隙和八面體間隙之間，則化學(xué)式為 。另一種堿金屬X與C60可形成類似化合物，但X只填充C60形成的八面體間隙的一半，此化合物化學(xué)式為 。
例5、科學(xué)家研究表明，F(xiàn)e3O4是由Fe2+、Fe3+、O2-通過離子鍵而組成的復(fù)雜離子晶體，O2-的重復(fù)排列方式如圖3所示，該排列方式中存在著兩種類型的由O2-圍成的空隙，如1、3、6、7的O2-圍成的空隙和3、6、7、8、9、12的O2-圍成的空隙，前者為正四面體空隙，后者為正八面體空隙，F(xiàn)e3O4中有一半的Fe3+填充在正四面體空隙中，另一半Fe3+和Fe2+填充在正八面體空隙中，則Fe3O4晶體中，正四面體空隙數(shù)與O2-離子數(shù)目之比_________，_______%正四面體空隙填有Fe3+。
填充原子配位數(shù)（一般是陽離子）
8
4
6
空隙種類
NaCl型
Na+的配位數(shù)為 ，Na+填入Cl-形成的 空隙中。
每個晶胞中實際擁有的Na＋數(shù)是 個，Cl－數(shù)是 個。
每個晶胞含 個 空隙，Na+的填隙率為 。
CsCl型
Cs＋的配位數(shù)為 ，Cs＋填入Cl-形成的 空隙中。
每個晶胞中實際擁有的Cs＋數(shù)是 個，Cl－數(shù)是 個。
每個晶胞含 個 空隙，Cs＋的填隙率為 。
CaF2型
Ca2＋的配位數(shù)為 ，Ca2＋填入F－形成的 空隙中。
每個晶胞中實際擁有的Ca2＋數(shù)是 個，F(xiàn)－數(shù)是 個。
每個晶胞含 個 空隙，Ca2＋的填隙率為 。
ZnS型
Zn2＋的配位數(shù)為 ，Zn2＋填入S2－形成的 空隙中。
每個晶胞中實際擁有的Zn2＋數(shù)是 個，S2－數(shù)是 個。
每個晶胞含 個 空隙，Zn2＋的填隙率為 。

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