A．鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，故鉀的活潑性強(qiáng)于鈉
B．因同周期元素的原子半徑從左到右逐漸減小，故第一電離能必依次增大
C．最外層電子排布為ns2np6(當(dāng)只有K層時為1s2)的原子，第一電離能較大
D．對于同一元素而言，原子的電離能I1 H—N—H
D．CH4 和都是正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角均為 109°28'
3．《本草綱目》中記載爐甘石（主要成分為ZnCO3)可止血，消腫毒，生肌肉，明目等。下列說法正確的是
A．Zn元素位于元素周期表第四周期第IIB族，d區(qū)
B．Zn、C、O的電負(fù)性大小為O＞C＞Zn
C．中C原子的雜化類型為sp3雜化
D．ZnCO3中的化學(xué)鍵類型有離子鍵、非極性鍵和極性鍵
4．、是短周期的兩種主族元素，它們的逐級電離能（）數(shù)據(jù)如下表所示：
下列有關(guān)說法正確的是（ ）
A．的最外層電子數(shù)為3B．與水反應(yīng)劇烈程度：
C．的最高化合價為D．電負(fù)性：
5．下列說法正確的是
A．p電子云都是啞鈴形的，每個p能級有3個原子軌道，它們相互垂直，能量相同
B．基態(tài)氮原子的價電子排布圖：
C．甲醛(HCHO)和光氣（COCl2)分子中：鍵角∠H—C—H＜∠Cl—C—Cl
D．四硼酸根離子Xm-(含B、O、H)的球棍模型如圖，配位鍵存在于4、5和4、6原子之間
6．有5種元素X、Y、Z、Q、T,除Y外均為短周期元素。X原子M層上有2個未成對電子且無空軌道；Y原子的價電子排布式為3d64s2；Z原子的L電子層的p能級上有一個空軌道；Q原子的L電子層的p能級上只有一對成對電子；T原子的M電子層上p軌道半充滿。下列敘述不正確的是
A．元素Y和Q可形成化合物YQ
B．T的一種單質(zhì)的空間構(gòu)型為正四面體形，鍵角為109°28′
C．X和T第一電離能：X＜T
D．ZQ2是極性鍵構(gòu)成的非極性分子
7．鐵元素形成的單質(zhì)有三種晶胞的結(jié)構(gòu)，如圖所示，則下列說法正確的是
A．鐵元素基態(tài)原子 M 層上有8對成對電子
B．三種晶胞α、β、θ中鐵原子的配位數(shù)之比為4:6:3
C．三種晶胞α、β、θ的邊長之比為::
D．三種晶胞α、β、θ 堆積方式空間利用率由大到小的順序為α>β>θ
8．下列說法錯誤的是
A．鑒別晶體和非晶體最可靠的方法是X射線衍射實驗
B．H2O沸點高于CH4的原因與分子間氫鍵有關(guān)
C．NaF、NaCl、NaBr、NaI的晶格能依次增大，熔點依次升高
D．用電子氣理論可以解釋金屬的良好導(dǎo)電性
9．據(jù)報道，大氣中存在一種潛在的溫室氣體SF5-CF3，下列關(guān)于SF5-CF3的說法正確的是( )
A．分子中既有σ鍵也有π鍵
B．所有原子在同一平面內(nèi)
C．分子中并非所有原子均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
D．0.1 ml SF5-CF3分子中含8 ml電子
10．金屬鈉晶體為體心立方晶胞（如圖），實驗測得鈉的密度為。已知鈉的相對原子質(zhì)量為a，阿伏加德羅常數(shù)為，假定金屬鈉原子為等徑的剛性球且處于體對角線上的三個球相切。則鈉原子的半徑為（ ）

A．B．C．D．
11．儲氫合金是一類能夠大量吸收氫氣，并與氫氣結(jié)合成金屬氫化物的材料，如鑭(La)鎳(Ni)合金，它吸收氫氣可結(jié)合成金屬氫化物。某鑭鎳儲氫合金晶胞結(jié)構(gòu)如圖，該材料中鑭、鎳、氫的原子個數(shù)比為
A．8:9:10B．1:5:6C．1:5:3D．1:5:5
12．以NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯誤的是
A．18g冰（圖1）中含O—H鍵數(shù)目為2NA
B．28g晶體硅（圖2）中含有Si—Si鍵數(shù)目為2NA
C．44g干冰（圖3）中含有NA個晶胞結(jié)構(gòu)單元
D．石墨烯（圖4）是碳原子單層片狀新材料，12g石墨烯中含C—C鍵數(shù)目為1.5NA
13．光刻技術(shù)需利用深紫外激光，我國是唯一掌握通過非線性光學(xué)晶體變頻來獲得深紫外激光技術(shù)的國家。目前唯一實用化的晶體是氟硼鈹酸鉀(KBeBF，含K、B、Be、O、F元素)。
回答下列問題：
（1）一群均處于激發(fā)態(tài)1s22s13s1的鈹原子，若都回到基態(tài)，最多可發(fā)出___種波長不同的光。
A．1 B．2 C．3 D．4
（2）Be和B都容易與配體形成配位鍵，如[BeF4]-、[B(OH)4]-等，從原子結(jié)構(gòu)分析其原因是__。
（3）氟硼酸鉀是制備KBeBF的原料之一，高溫下分解為KF和BF3。KF的沸點比BF3的高，原因是___。
（4）BF3易水解得到H3BO3(硼酸)和氫氟酸。氫氟酸濃溶液中因F-與HF結(jié)合形成HF使酸性大大增強(qiáng)。HF的結(jié)構(gòu)式為___；H3BO3和BF中，B原子的雜化類型分別為___、__。
（5）KBeBF晶體為層片狀結(jié)構(gòu)，圖1為其中一層的局部示意圖。平面六元環(huán)以B—O鍵和Be—O鍵交織相連，形成平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個Be都連接一個F，且F分別指向平面的上方或下方，K+分布在層間。KBeBF晶體的化學(xué)式為____。
（6）BeO晶體也是制備KBeBF的原料，圖2為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。
①沿著晶胞體對角線方向的投影，下列圖中能正確描述投影結(jié)果的是___。
②BeO晶胞中，O的堆積方式為____；設(shè)O與Be的最近距離為acm，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則BeO晶體的密度為____g·cm-3。
14．日前新合成的砷化鎘(Cd3As2)三維材料具有超強(qiáng)導(dǎo)電性，這種材料的電氣性能與石墨烯相當(dāng)，可代替石墨烯使用。
(1)Cd與Zn同族且相鄰，若Cd基態(tài)原子將次外層1個d電子激發(fā)進(jìn)入最外層的np能級，則該激發(fā)態(tài)原子的外圍電子排布式為_______________。Cd原子中第一電離能相對較大的是_________原子(填“基態(tài)”或“激發(fā)態(tài)”)。
(2)與砷(As)同主族的N、P兩種元素的氫化物水溶液的堿性：NH3_________PH3(填“>”或“N60>C60；而破壞分子需斷開化學(xué)鍵，元素電負(fù)性越強(qiáng)其形成的化學(xué)鍵越穩(wěn)定，斷鍵時所需能量越多，故破壞分子需要的能量大小順序為N60>C60>Si60(9)sp3 共價鍵 SiC＞Si(10)Mg Mg2＋半徑比Ca2＋小，MgO晶格能大 ①②③④(11)b eq \f(256,ρa(bǔ)3)×1030(12)＜ FeO和NiO相比，陰離子相同，陽離子所帶電荷相同，但亞鐵離子半徑大于鎳離子，所以FeO晶格能小，熔點低 eq \f(4a,\r(3))
【解析】（1）①根據(jù)各個原子的相對位置可知，D在各個方向的1/4處，所以其坐標(biāo)是(，，)；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，在晶胞中含有的Ge原子數(shù)是8×1/8+6×1/2+4=8，所以晶胞的密度=cm3；③由于GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，所以離子晶體GaF3的熔沸點高。（2）銅和鎳屬于金屬，則單質(zhì)銅及鎳都是由金屬鍵形成的晶體；①根據(jù)均攤法計算，晶胞中銅原子個數(shù)為6×1/2=3，鎳原子的個數(shù)為8×1/8=1，則銅和鎳原子的數(shù)量比為3：1；②根據(jù)上述分析，該晶胞的組成為Cu3Ni，若合金的密度為d g/cm3，根據(jù)ρ=m÷V，則晶胞參數(shù)a=nm；③在離子晶體中，離子半徑越小晶格能越大，所以在第ⅡA族金屬碳酸鹽中，陽離子半徑越小對氧的吸引力越大，就越容易導(dǎo)致碳酸根的分解，所以在第ⅡA族金屬碳酸鹽中，隨著原子序數(shù)的增加，原子半徑增大，碳酸鹽的分解溫度也增大。（3）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ g·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，熔點很高，所以晶體的類型為原子晶體，其中Ga與As以共價鍵鍵合。根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知晶胞中Ca和As的個數(shù)均是4個，所以晶胞的體積是。二者的原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為×100%＝；根據(jù)圖像知，甲烷分子間靠分子間作用力結(jié)合，所以甲烷晶體為分子晶體，而分子晶體熔沸點在常壓下很低，且甲烷的相對分子質(zhì)量很小，分子間作用力很小，所以在常溫常壓下甲烷以氣體形式存在而不能形成晶體。（4）由晶胞可知，晶胞中La位于頂點，平均含有8×eq \f(1,8)＝1，Ni位于面心和體心，共含有8×eq \f(1,2)＋1＝5，H2位于棱上和面心，共有8×eq \f(1,4)＋2×eq \f(1,2)＝3，則含1 ml La的合金可吸附H2的物質(zhì)的量為3 ml；（5）在晶胞中，Au原子位于頂點，Cu原子位于面心，該晶胞中Au原子個數(shù)＝8×eq \f(1,8)＝1，Cu原子個數(shù)＝6×eq \f(1,2)＝3，所以該合金中Au原子與Cu原子個數(shù)之比＝1∶3，晶胞體積V＝（a×10－10cm）3，每個晶胞中銅原子個數(shù)是3、Au原子個數(shù)是1，晶胞質(zhì)量為eq \f(197＋64×3,NA) g，則晶胞密度ρ＝eq \f(197＋64×3,NA) g÷（a×10－10cm）3＝eq \f(（197＋64×3）×1030,NA×a3) g·cm－3；（6）晶胞中Ga原子數(shù)為6×eq \f(1,2)＋8×eq \f(1,8)＝4，As原子數(shù)為4，則ρ＝eq \f(m,V)＝eq \f(\f(75×4＋70×4,NA),（c×10－10）3)＝eq \f(5.8×1032,NA·c3) g·cm－3；a位置As原子與b位置As原子之間的距離為晶胞立方體體對角線的一半，則兩原子之間的距離為eq \f(1,2)eq \r(c2＋c2)＝eq \f(\r(2),2)c （pm）。(7)這些晶體屬于原子晶體的有①③④、離子晶體的有②、分子晶體的有⑤⑥。一般來說，原子晶體的熔點>離子晶體的熔點>分子晶體的熔點；對于原子晶體，鍵長Si—Si>Si—C>C—C，相應(yīng)鍵能Si—Si晶體硅。(7)①K處于晶胞表面：12×eq \f(1,2)＝6，C60處于晶胞頂點和體心：8×eq \f(1,8)＋1＝2。故K原子和C60分子的個數(shù)比為：6∶2＝3∶1。②熔點與分子間作用力大小有關(guān)，而破壞分子則是破壞分子內(nèi)的共價鍵。(9)晶體硅中一個硅原子周圍與4個硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以雜化方式是sp3，因為Si—C的鍵長小于Si—Si，所以熔點碳化硅＞晶體硅。(10)SiC電子總數(shù)是20個，則該氧化物為MgO；晶格能與所組成離子所帶電荷成正比，與離子半徑成反比，MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同，Mg2＋半徑比Ca2＋小，MgO晶格能大，熔點高。Na、Mg、Ca三種晶體均為金屬晶體，金屬晶體都有金屬光澤，都能導(dǎo)電、導(dǎo)熱，都具有一定的延展性。(11)a圖中1個“花球”的周圍有6個相鄰的“白球”，1個“白球”的周圍有3個相鄰的“花球”，則“花球”與“白球”的個數(shù)比為1∶2；同理可分析b圖，其中“花球”與“白球”的個數(shù)比為1∶3，則b圖所表示的物質(zhì)的化學(xué)式為AX3。根據(jù)均攤法知圖乙表示的晶胞中含有4個銅原子，所以1 ml該晶胞含4 ml銅原子，1 ml 該晶胞的體積是NA(a×10－10)3 cm3，則有10－30 ρNAa3＝4 ml×64 g·ml－1。(12)離子晶體熔、沸點與晶格能成正比，晶格能與離子比較成反比、與電荷成正比。P原子與B原子的最近距離為a cm，為晶胞體對角線長的eq \f(1,4)，晶胞體對角線長等于棱長的eq \r(3)倍，則晶胞棱長eq \f(\f(a,\f(1,4)),\r(3)) cm＝eq \f(4a,\r(3)) cm。
1．B【解析】A.鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，說明鉀失電子能力比鈉強(qiáng)，所以鉀的活潑性強(qiáng)于鈉，故A正確；
B.同一周期元素原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小，第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但第IIA族元素大于第IIIA族元素，第VA族元素大于第VIA族元素，故B錯誤；
C.最外層電子排布為ns2np6（若只有K層時為1s2）的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，再失去電子較難，所以其第一電離能較大，故C正確；
D.對于同一元素來說，原子失去電子個數(shù)越多，其失電子能力越弱，所以原子的電離能隨著原子失去電子個數(shù)的增多而增大，故D正確。
故選B。
2．C【解析】A．由于離子半徑：F-＜Cl-＜Br-，因此晶格能：NaBr＜NaCl＜NaF，故A正確；
B．基態(tài)碳原子的核外電子排布式為：1s22s22p2，由此可見，共有3個能級，同一能量級別的電子能量是相等的，所以有三種能量不同的電子，B正確；
C．H2O分子呈V形，其鍵角為105°，NH3呈三角錐形，分子中的鍵角為107°，所以分子中的鍵角：H—O—H ＜ H—N—H，C錯誤；
D．CH4和都是正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角均為 109°28'，D正確；
答案選C。
3．B【解析】A．Zn元素位于元素周期表第四周期第IIB族，其核外電子排布式為：[Ar]3d104s2，位于ds區(qū)，故A錯誤；
B．金屬的電負(fù)性小于非金屬元素的，同周期自左而右元素的非金屬性增大，則電負(fù)性：O＞C＞Zn，故B正確；
C．中C原子孤電子對數(shù)==0，價層電子對數(shù)=3+0=3，離子的空間構(gòu)型為：平面三角形，C原子采取sp2雜化，故C錯誤；
D．ZnCO3為離子化合物，化學(xué)鍵類型有離子鍵和極性共價鍵，故D錯誤；
答案選B。
4．D【解析】短周期主族元素X的第一電離能很低，第二電離能劇增，說明該元素原子很難失去第二個電子，所以X最外層有1個電子，X是Na元素；短周期主族元素Y的第一、第二電離能之間變化不大，第三電離能劇增，且第一電離能很低，說明該元素原子很難失去第三個電子，最高化合價為+2，應(yīng)為第IIA族元素，Y是Mg元素；
A．是Na，最外層電子數(shù)為1，故A錯誤；
B．X是Na元素、Y是Mg元素，與水反應(yīng)劇烈程度Na>Mg ，故B錯誤；
C．Y是Mg元素，最高化合價為，故C錯誤；
D．同周期元素從左到右電負(fù)性增大，電負(fù)性Naα>θ，故D錯誤；
故答案選B。
8．C【解析】A．構(gòu)成晶體的粒子在微觀空間里呈現(xiàn)周期性的有序排列，晶體的這一結(jié)構(gòu)特征可以通過X-射線衍射圖譜反映出來。因此，區(qū)分晶體和非晶體的最可靠的科學(xué)方法是對固體進(jìn)行X-射線衍射實驗，故A正確；
B．H2O分子間存在氫鍵，而CH4分子間只存在分子間作用力，所以H2O的沸點高于CH4的沸點，原因與H2O分子間存在氫鍵有關(guān)，故B正確；
C．NaF、NaCl、NaBr、NaI屬于離子晶體，因為r(F-)＜r(Cl-)＜r(Br-)＜r(I-)，離子半徑越大，晶格能越小，熔沸點越低，故C錯誤；
D．組成金屬晶體的微粒為金屬陽離子和自由電子，在外加電場作用下電子可發(fā)生定向移動，故能導(dǎo)電，能用電子氣理論加以解釋，故D正確；
答案為C。
9．C【解析】A. 該分子中，只有共價單鍵，則分子中只有σ鍵，沒有π鍵，故A錯誤；
B. C原子為sp3雜化，S原子在八面體的中心，則所有原子不可能共平面，故B錯誤；
C. 該分子中，S原子外圍是6對共用電子對，共12個電子，不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故C正確；
D. 一個SF5-CF3分子中含有的電子數(shù)為16+6+9×8=94，則0.1mlSF5-CF3分子中含9.4ml電子，故D錯誤；
故選C。
10．C【解析】因為金屬鈉晶體為鉀型，所以在晶胞中含有鈉原子數(shù)為1+8×=2，設(shè)晶胞邊長為x，根據(jù)ρ=得，ρ=，所以x=所以晶胞的體對角線長度為×，所以鈉原子半徑，
故選：C。
11．B【解析】利用分?jǐn)偡?，La在晶胞的頂點，N(La)=8×=1；Ni在面心和體心，N(Ni)=8×+1=5；氫氣在棱上和面心，N(H2)=8×+2×=3；則鑭、鎳、氫的原子個數(shù)比為1：5：6，答案為B。
12．C【解析】A．一個水分子中有2個H-O，則18g冰即1ml中含O—H鍵數(shù)目為2NA，A正確；
B．28g晶體硅含有1ml硅原子，晶體硅中每個硅原子形成的共價鍵為×4=2，則1ml晶體硅中含有Si—Si鍵數(shù)目為2NA，B正確；
C．一個晶胞結(jié)構(gòu)單元含有4個二氧化碳分子，44g干冰即1ml中晶胞結(jié)構(gòu)單元數(shù)小于NA個，C錯誤；
D．石墨烯中每個碳原子周圍有兩個碳碳單鍵和一個碳碳雙鍵，所以每個碳原子實際擁有C—C鍵為1.5個，則12g石墨烯即1ml中含C—C鍵數(shù)目為1.5NA，D正確；
答案選C。
13．（1）C（2）Be原子和B原子價層電子數(shù)均小于價層軌道數(shù)，存在空軌道（3）KF為離子晶體，而BF3為分子晶體，離子晶體的熔沸點大于分子晶體（4）；sp2；sp3（5）KBe2BO3F2（6）D；面心立方最密堆積；
【解析】 (1)激發(fā)態(tài)1s22s13s1的鈹原子回到基態(tài)1s22s2，3s上的1個電子可能回到1s軌道有2種情況，2s軌道有1種情況，故最多可發(fā)出3種不同波長的光，答案選C；
(2)Be原子的價電子為2s2，軌道表達(dá)式，B原子的價電子為2s22p1，軌道表達(dá)式，Be原子和B原子價層電子數(shù)均小于價層軌道數(shù)，存在空軌道；
(3)KF是含有離子鍵的離子化合物， BF3是含有共價鍵的共價化合物，離子鍵的鍵能大于共價鍵，故KF的沸點比BF3的高；
(4)HF的H孤電子對數(shù)，價電子對數(shù)，分子構(gòu)型為直線型，且H原子與F原子之間有氫鍵，結(jié)構(gòu)式為：，H3BO3中中心原子B的電子對數(shù)為：，屬于sp2雜化，BF中中心原子B的電子對數(shù)為：，屬于sp3雜化；
(5)從圖1來看，一個單元內(nèi)含有2個Be原子、1個B原子、3個O原子、2個F原子，故KBeBF晶體的化學(xué)式為KBe2BO3F2；
(6)①晶胞沿著對角線方向可以觀察到六邊形，中心O與Be重合，外側(cè)大正六邊形均為Be原子構(gòu)成，內(nèi)部小正六邊形由3個Be原子、3個O原子間隔形成，所以得到投影結(jié)果為D；
從圖中可以看出每個面的面心均有O原子，頂點上各有一個O原子，為面心立方最密堆積；②一個晶胞中，單獨含有O原子的數(shù)目為，單獨含Be原子數(shù)目有4個，晶胞質(zhì)量，晶胞中白色球周圍最近的4個黑色球構(gòu)成正四面體，白色球處于正四面體的中心，頂點黑色球與正四面體中心白色球連線處于晶胞對角線上，由幾何知識可知晶胞體對角線長度為4acm，則晶胞棱長為，晶體密度為。
14．（1）4d95s25p1； 基態(tài)（2）> ；原子半徑NP，NH3更易結(jié)合水電離的H+（3）As>Se>Ge（4）sp3；19NA(或19×6.02×1023)；c（5）(，1，)；
【解析】 (1)Cd與Zn同族且相鄰，所以Cd的外圍電子排布應(yīng)為4d105s2，基態(tài)原子將4d能級的一個電子激發(fā)進(jìn)入5p能級得到激發(fā)態(tài)原子，所以該激發(fā)態(tài)原子的外圍電子排布式為4d95s25p1；基態(tài)原子的能量最低最穩(wěn)定，所以基態(tài)原子的第一電離能相對較大；
(2)原子半徑NP，NH3更易結(jié)合水電離的H+，所以NH3水溶液的堿性更強(qiáng)；
(3)同周期主族元素自左至右第一電離能呈增大趨勢，但As的4p能級為半滿狀態(tài)，更穩(wěn)定，所以第一電離能As>Se>Ge；
(4)根據(jù)對氨基苯胂酸的結(jié)構(gòu)簡式可知As原子與周圍原子形成4個σ鍵(As=O鍵有一個σ鍵一個π鍵)，不含孤電子對，所以雜化軌道類型為sp3；苯環(huán)上6個碳原子之間有6個C—C單鍵為σ鍵，還有4個C—H單鍵為σ鍵，As=O鍵有一個σ鍵一個π鍵，其他共價鍵均為σ鍵，所以一個對氨基苯胂酸分子中有19個σ鍵，則1ml對氨基苯胂酸含σ鍵數(shù)目19NA(或19×6.02×1023)；其含有的化學(xué)鍵類型有σ鍵，以及苯環(huán)中的大π鍵和As=O鍵中的π鍵，氫鍵不是化學(xué)鍵，該物質(zhì)為共價化合物，不含離子鍵，所以選c；
(5)①號位在底面的投影應(yīng)位于底面對角線的處，根據(jù)①號位的坐標(biāo)為(，，)，可知該坐標(biāo)系中晶胞的棱長為1，③號位碳原子在底面的投影位于底面棱心上，所以x、y坐標(biāo)為、1，③號位碳原子位于右側(cè)面的面心，所以z坐標(biāo)為，則該原子的坐標(biāo)為(，1，)；根據(jù)均攤法，該晶胞中As原子的個數(shù)為=4，Cd原子的個數(shù)為6，所以晶體的化學(xué)式為Cd3As2，砷化鎘的摩爾質(zhì)量為Mg·ml?1，則晶胞的質(zhì)量m=g，晶胞參數(shù)為a pm，則晶胞的體積V=a3 pm3=(a×10-10)3 cm3，所以晶胞的密度=g·cm-3。
15．（1）b；混合晶體；范德華力、共價鍵；sp2（2）4NA（3）金剛石>碳化硅>硅；三者都為原子晶體，r(C)C>H（3）sp2、sp3 (4) ①NH3·H2O、H2O②三角錐形③16（5）頂點、面心(6) ①②
【解析】 (1)I原子為53號元素，則價層電子排布式為：5s25p5；能量最高的為第四層，即O。
(2) 同周期元素，從左到右元素的電負(fù)性逐漸增大，則有電負(fù)性C＜O，H的電負(fù)性最小，故有H＜C＜O。
(3) 中碳原子的結(jié)構(gòu)有甲基和苯環(huán)，雜化方式為sp2、sp3。
(4) ①ZnCl2和[Zn(NH3)4]Cl2為離子晶體，屬于分子晶體的是NH3·H2O、H2O。
②NH3的空間構(gòu)型為三角錐形。
③鋅和氮原子之間可形成4個σ鍵，每個氨氣中有3個σ鍵，所有1 ml [Zn(NH3)4]Cl2中含有4+3×4=16ml σ鍵。
(5)Zn和Cu可形成金屬互化物(ZnCu)，該金屬互化物中所有金屬原子均按面心立方最密堆積，若所有Cu均位于晶胞的面心，則Zn位于晶胞的頂點、面心。
(6) ①面心立方最密堆積結(jié)構(gòu)，含有鈀原子數(shù)目為=4個鈀原子，設(shè)鈀原子半徑為r，晶胞中鈀原子的體積為，面心立方中，體對角線上為3個鈀原子相切，則體對角線為4r，晶胞邊長為，晶胞體積為，該晶胞中原子的空間利用率為。
②若該晶胞參數(shù)a＝658 pm，則該晶胞密度為=g·cm－3。
電離能（）
……
496
4562
6912
9543
13353
……
738
1451
7733
10540
13630
……
物質(zhì)
結(jié)構(gòu)圖標(biāo)號
晶體類型
晶體熔化破壞的作用力
碳原子雜化方式
石墨
_____
_____
_____
_______

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