第一，用什么資料，怎樣使用資料；第二，在那些核心考點(diǎn)上有所突破，準(zhǔn)備采取什么樣的措施；第三，用時(shí)多長(zhǎng)，怎樣合理分配。
二、怎樣查漏。
第一，教師根據(jù)一輪復(fù)習(xí)的基本情況做出預(yù)判；第二，通過(guò)檢測(cè)的方式了解學(xué)情。
三、怎樣補(bǔ)缺。
1、指導(dǎo)學(xué)生針對(duì)核心考點(diǎn)構(gòu)建本專(zhuān)題的知識(shí)網(wǎng)絡(luò);
2、針對(duì)學(xué)生在檢測(cè)或考試當(dāng)中出現(xiàn)的問(wèn)題，教師要做好系統(tǒng)性講評(píng);
3、教育學(xué)生在對(duì)待錯(cuò)題上一定要做到:錯(cuò)題重做，區(qū)別對(duì)待，就地正法。
4、抓好“四練”。練基本考點(diǎn)，練解題技巧，練解題速度，練答題規(guī)范。
2024年高考二輪專(zhuān)題強(qiáng)化訓(xùn)練（非選擇題）
專(zhuān)題19 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題
考情分析：
穩(wěn)定加創(chuàng)新是本專(zhuān)題的基本特點(diǎn)，命題采取結(jié)合新科技，新能源等社會(huì)熱點(diǎn)為背景，命題的形式分為選擇題和填空題，原子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、分子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)是命題的三大要點(diǎn)。從大題的構(gòu)成來(lái)看，給出一定的知識(shí)背景，然后設(shè)置成4—5個(gè)小題，每個(gè)小題考查一個(gè)知識(shí)要點(diǎn)是主要的命題模式，內(nèi)容主要考查基本概念，如電子排布式、軌道式、電離能、電負(fù)性、雜化方式以及空間構(gòu)型等，也可聯(lián)系有機(jī)考查有機(jī)物中C原子的雜化，聯(lián)系數(shù)學(xué)幾何知識(shí)考查晶體的計(jì)算等，一般利用均攤法考查晶胞中的原子個(gè)數(shù)，或者考查晶體的化學(xué)式的書(shū)寫(xiě)、晶體類(lèi)型的判斷等，考查的抽象思維能力、邏輯思維能力；同時(shí)培養(yǎng)學(xué)生的分析和推理能力。
典題體驗(yàn)，提升素養(yǎng)：（本題共30大題）
1．（2023·全國(guó)甲卷·統(tǒng)考高考真題）將酞菁—鈷鈦菁—三氯化鋁復(fù)合嵌接在碳納米管上，制得一種高效催化還原二氧化碳的催化劑?；卮鹣铝袉?wèn)題：
(1)圖1所示的幾種碳單質(zhì)，它們互為 ，其中屬于原子晶體的是 ，間的作用力是 。
(2)酞菁和鈷酞菁的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示。
酞菁分子中所有原子共平面，其中軌道能提供一對(duì)電子的原子是 (填圖2酞菁中原子的標(biāo)號(hào))。鈷酞菁分子中，鈷離子的化合價(jià)為 ，氮原子提供孤對(duì)電子與鈷離子形成 鍵。
(3)氣態(tài)通常以二聚體的形式存在，其空間結(jié)構(gòu)如圖3a所示，二聚體中的軌道雜化類(lèi)型為 。的熔點(diǎn)為，遠(yuǎn)高于的，由此可以判斷鋁氟之間的化學(xué)鍵為 鍵。結(jié)構(gòu)屬立方晶系，晶胞如圖3b所示，的配位數(shù)為 。若晶胞參數(shù)為，晶體密度 (列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)的值為)。
【答案】(1) 同素異形體 金剛石 范德華力
(2) ③ +2 配位
(3) 離子 2
【詳解】（1）同一元素形成的不同單質(zhì)之間互為同素異形體。圖1所示的幾種碳單質(zhì)，它們的組成元素均為碳元素，因此，它們互為同素異形體；其中金剛石屬于原子晶體，石墨屬于混合型晶體，屬于分子晶體，碳納米管不屬于原子晶體；間的作用力是范德華力；
（2）已知酞菁分子中所有原子共平面，則其分子中所有的C原子和所有的N原子均為雜化，且分子中存在大π鍵，其中標(biāo)號(hào)為①和②的N原子均有一對(duì)電子占據(jù)了一個(gè)雜化軌道，其p軌道只能提供1個(gè)電子參與形成大π鍵，標(biāo)號(hào)為③的N原子的 p軌道能提供一對(duì)電子參與形成大π鍵，因此標(biāo)號(hào)為③的N原子形成的N—H鍵易斷裂從而電離出；鈷酞菁分子中，失去了2個(gè)的酞菁離子與鈷離子通過(guò)配位鍵結(jié)合成分子，因此，鈷離子的化合價(jià)為+2，氮原子提供孤對(duì)電子與鈷離子形成配位鍵。
（3）由的空間結(jié)構(gòu)結(jié)合相關(guān)元素的原子結(jié)構(gòu)可知，Al原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，其與其周?chē)?個(gè)氯原子形成四面體結(jié)構(gòu)，因此，二聚體中A1的軌道雜化類(lèi)型為。AlF3的熔點(diǎn)為1090℃，遠(yuǎn)高于AlCl3的192℃，由于F的電負(fù)性最大，其吸引電子的能力最強(qiáng)，因此，可以判斷鋁氟之間的化學(xué)鍵為離子鍵。由AlF3的晶胞結(jié)構(gòu)可知，其中含灰色球的個(gè)數(shù)為，藍(lán)色球的個(gè)數(shù)為，則灰色的球?yàn)?，距最近且等距的?個(gè)，則的配位數(shù)為2。若晶胞參數(shù)為a pm，則晶胞的體積為，晶胞的質(zhì)量為，則其晶體密度。
2．（2023·全國(guó)乙卷·統(tǒng)考高考真題）中國(guó)第一輛火星車(chē)“祝融號(hào)”成功登陸火星。探測(cè)發(fā)現(xiàn)火星上存在大量橄欖石礦物()?；卮鹣铝袉?wèn)題：
(1)基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為 。橄欖石中，各元素電負(fù)性大小順序?yàn)? ，鐵的化合價(jià)為 。
(2)已知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：
與均為第三周期元素，熔點(diǎn)明顯高于，原因是 。分析同族元素的氯化物、、熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因 。的空間結(jié)構(gòu)為 ，其中的軌道雜化形式為 。
(3)一種硼鎂化合物具有超導(dǎo)性能，晶體結(jié)構(gòu)屬于六方晶系，其晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿c軸的投影圖如下所示，晶胞中含有 個(gè)。該物質(zhì)化學(xué)式為 ，B-B最近距離為 。

【答案】(1) O＞Si＞Fe＞Mg +2
(2) 鈉的電負(fù)性小于硅，氯化鈉為離子晶體，而為分子晶體 隨著同族元素的電子層數(shù)的增多，其熔點(diǎn)依次升高，其原因是：、、均形成分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)由分子間作用力決定，分子間作用力越大則其熔點(diǎn)越高；隨著其相對(duì)分子質(zhì)量增大，其分子間作用力依次增大 正四面體
(3) 1
【詳解】（1）為26號(hào)元素，基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為。元素的金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越小，元素的非金屬性越強(qiáng)則其電負(fù)性越大，因此，橄欖石()中，各元素電負(fù)性大小順序?yàn)镺＞Si＞Fe＞Mg；因?yàn)橹小?、的化合價(jià)分別為+2、+4和-2，x+2-x=2，根據(jù)化合物中各元素的化合價(jià)的代數(shù)和為0，可以確定鐵的化合價(jià)為+2。
（2）與均為第三周期元素，熔點(diǎn)明顯高于，原因是：鈉的電負(fù)性小于硅，氯化鈉為離子晶體，其熔點(diǎn)較高；而為分子晶體，其熔點(diǎn)較低。由表中的數(shù)據(jù)可知， 、、熔點(diǎn)變化趨勢(shì)為：隨著同族元素的電子層數(shù)的增多，其熔點(diǎn)依次升高，其原因是：、、均形成分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)由分子間作用力決定，分子間作用力越大則其熔點(diǎn)越高；隨著其相對(duì)分子質(zhì)量增大，其分子間作用力依次增大。的空間結(jié)構(gòu)為正四面體，其中的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，因此的軌道雜化形式為。
（3）由硼鎂化合物的晶體結(jié)構(gòu)可知位于正六棱柱的頂點(diǎn)和面心，由均攤法可以求出正六棱柱中含有個(gè)，由晶胞沿c軸的投影圖可知本題所給晶體結(jié)構(gòu)包含三個(gè)晶胞，則晶胞中Mg的個(gè)數(shù)為1；晶體結(jié)構(gòu)中在正六棱柱體內(nèi)共6個(gè)，則該物質(zhì)的化學(xué)式為；由晶胞沿c軸的投影圖可知，B原子在圖中兩個(gè)正三角形的重心，該點(diǎn)到頂點(diǎn)的距離是該點(diǎn)到對(duì)邊中點(diǎn)距離的2倍，頂點(diǎn)到對(duì)邊的垂線長(zhǎng)度為，因此B-B最近距離為。
3．（2024年1月·浙江·統(tǒng)考高考真題）氮和氧是構(gòu)建化合物的常見(jiàn)元素。
已知：
請(qǐng)回答：
(1)某化合物的晶胞如圖，其化學(xué)式是 ，晶體類(lèi)型是 。
(2)下列說(shuō)法正確的是_______。
A．電負(fù)性：B．離子半徑：
C．第一電離能：D．基態(tài)2+的簡(jiǎn)化電子排布式：
(3)①，其中的N原子雜化方式為 ；比較鍵角中的 中的(填“>”、“”、“I1(S)，氧原子半徑小，原子核對(duì)最外層電子的吸引力大，不易失去一個(gè)電子；
（3）的中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，無(wú)孤電子對(duì)，空間構(gòu)型為四面體形，可看作是中1個(gè)O原子被S原子取代，則的空間構(gòu)型為四面體形。答案為四面體形；
（4）過(guò)程Ⅱ中斷裂的只有硫硫鍵，根據(jù)反應(yīng)機(jī)理可知，整個(gè)過(guò)程中最終轉(zhuǎn)化為，S最終轉(zhuǎn)化為。若過(guò)程ⅰ所用的試劑為和，過(guò)程Ⅱ的含硫產(chǎn)物是和。答案為和；
（5）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，1個(gè)晶胞中含有個(gè)，含有4個(gè)；該晶體的密度。答案為4；；
（6）具有孤電子對(duì)的原子就可以給個(gè)中心原子提供電子配位。中的中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，無(wú)孤電子對(duì)，不能做配位原子；端基S原子含有孤電子對(duì)，能做配位原子。
6．（2023·浙江·統(tǒng)考高考真題）氮的化合物種類(lèi)繁多，應(yīng)用廣泛。

請(qǐng)回答：
(1)基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布式是 。
(2)與碳?xì)浠衔镱?lèi)似，N、H兩元素之間也可以形成氮烷、氮烯。
①下列說(shuō)法不正確的是 。
A．能量最低的激發(fā)態(tài)N原子的電子排布式：
B．化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)：
C．最簡(jiǎn)單的氮烯分子式：
D．氮烷中N原子的雜化方式都是
②氮和氫形成的無(wú)環(huán)氮多烯，設(shè)分子中氮原子數(shù)為n，雙鍵數(shù)為m，其分子式通式為 。
③給出的能力： (填“>”或“”或“①>②
B．電子排布屬于基態(tài)原子(或離子)的是：①②
C．電離一個(gè)電子所需最低能量：①>②>③
D．得電子能力：①>②
(3)Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖。該晶體類(lèi)型是 ，該化合物的化學(xué)式為 。
【答案】(1) 四面體 周?chē)幕鶊F(tuán)體積較大，受熱時(shí)斥力較強(qiáng)中鍵能相對(duì)較小]；產(chǎn)物中氣態(tài)分子數(shù)顯著增多(熵增)
(2)AB
(3) 共價(jià)晶體
【詳解】（1）分子可視為SiH4分子中的4個(gè)氫原子被—NH2(氨基)取代形成的，所以分子中Si原子軌道的雜化類(lèi)型是sp3，分子的空間結(jié)構(gòu)(以為中心)名稱(chēng)為四面體；
氨基(-NH2)氮原子形成3個(gè)σ鍵，含有1對(duì)孤對(duì)電子，N原子雜化軌道數(shù)目為4，N原子軌道的雜化類(lèi)型是sp3；
周?chē)幕鶊F(tuán)體積較大，受熱時(shí)斥力較強(qiáng)中鍵能相對(duì)較小]；產(chǎn)物中氣態(tài)分子數(shù)顯著增多(熵增)，故受熱不穩(wěn)定，容易分解生成和；
（2）電子排布式分別為：①、②、③，可推知分別為基態(tài)Si原子、Si+離子、激發(fā)態(tài)Si原子；
A．激發(fā)態(tài)Si原子有四層電子，Si+離子失去了一個(gè)電子，根據(jù)微粒電子層數(shù)及各層電子數(shù)多少可推知，微粒半徑：③>①>②，選項(xiàng)A正確；
B．根據(jù)上述分析可知，電子排布屬于基態(tài)原子(或離子)的是：①②，選項(xiàng)B正確；
C．激發(fā)態(tài)Si原子不穩(wěn)定，容易失去電子；基態(tài)Si原子失去一個(gè)電子是硅的第一電離能，Si+離子失去一個(gè)電子是硅的第二電離能，由于I2>I1，可以得出電離一個(gè)電子所需最低能量：②>①>③，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；
D．由C可知②比①更難失電子，則②比①更容易得電子，即得電子能力：②>①，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；
答案選AB；
（3）Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖可知，原子間通過(guò)共價(jià)鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，形成共價(jià)晶體；根據(jù)均攤法可知，一個(gè)晶胞中含有個(gè)Si，8個(gè)P，故該化合物的化學(xué)式為。
9．（2024屆·四川巴中·統(tǒng)考一模）硼(B)是一種重要的類(lèi)金屬元素，在化工、冶金等行業(yè)具有重要的應(yīng)用價(jià)值。請(qǐng)回答：
(1)基態(tài)B原子的核外電子排布式是 。
(2)乙硼烷水解生成硼酸(H3BO3)，常溫常壓下硼酸晶體結(jié)構(gòu)為層狀，其二維平面結(jié)構(gòu)如圖
①硼酸晶體屬于 晶體(填“離子”或“分子”)，電負(fù)性：B O。(填“>”或“”或“C>H，中C、N之間為三鍵，C原子的雜化方式為sp。
（3）N原子電負(fù)性大，在低溫下，HCN可以形成分子間氫鍵，所以可結(jié)晶成晶體，； 分子的鏈狀結(jié)構(gòu)為。
（4）ClCN、FCN都是分子晶體，ClCN相對(duì)分子質(zhì)量大于FCN，ClCN分子間作用力大于FCN，所以ClCN的沸點(diǎn)比FCN的沸點(diǎn)高。
（5）①A．根據(jù)從普魯士藍(lán)晶胞中切出的結(jié)構(gòu)圖，可知每個(gè)立方體中含有3個(gè)CN-，則每個(gè)普魯士藍(lán)晶胞中含24個(gè)CN-，每個(gè)CN-有2個(gè)鍵，所以每個(gè)普魯士藍(lán)晶胞中有48個(gè)鍵，故A錯(cuò)誤；
B．格林綠晶胞中8個(gè)Fe原子、24個(gè)CN- ，格林綠晶胞中嵌入8個(gè)Na+得到普魯士白晶胞面，普魯士白的化學(xué)式為，故B正確；
C．根據(jù)圖示，格林綠晶體中周?chē)染嗲易罱臄?shù)目為6個(gè)，故C錯(cuò)誤；
選B。
②普魯士白晶胞中有8個(gè)Na+、8個(gè)Fe2+、24個(gè)CN-，晶胞參數(shù)均為a pm，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，則普魯士白晶體密度為。
15．（2024屆·陜西寶雞·統(tǒng)考一模）銅的相關(guān)化合物在化工、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。回答下列問(wèn)題：
(1)基態(tài)Cu原子中，核外電子占據(jù)的最高能級(jí)的符號(hào)是 ，最外層電子占據(jù)能級(jí)的電子云輪廓圖形狀為 ；Cu2+價(jià)層電子的電子排布圖為 。
(2)離子晶體中Cu2O熔點(diǎn)比Cu2S熔點(diǎn)高，其原因是 。Cu可與N、S，O等元素形成化合物，N、S、O三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)? ；
(3)Cu+能與SCN-形成CuSCN沉淀。請(qǐng)寫(xiě)出一種與SCN-互為等電子體的微粒 。SCN-對(duì)應(yīng)的酸有硫氰酸（H-S-CN）和異硫氰酸（H-N=C=S），這兩種酸熔點(diǎn)更高的是 （填名稱(chēng)），原因是 。
(4)Cu與N所形成的某種晶體的立方晶胞如圖所示，其晶胞參數(shù)為anm。該晶體的化學(xué)式為 ，晶體的密度為 g·cm－3(列出計(jì)算式即可，用NA表示阿伏加德羅常數(shù))。
【答案】(1) 3d 球形
(2) 氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵 N>O>S
(3) CO2（或CS2） 異硫氰酸 SCN-離子對(duì)應(yīng)的酸有硫氰酸(H—S-C≡N)和異硫氰酸(H—N—C=S)，異硫氰酸中H與N相連，故可形成分子間氫鍵,而硫氰酸中H與S相連，故不能形成分子間氫鍵
(4) Cu3N
【詳解】（1）基態(tài)Cu原子核外電子數(shù)為29，基態(tài)原子核外電子排布為[Ar]3d104s1，最高能級(jí)的符號(hào)是3d，最外層電子占據(jù)該能級(jí)的電子云輪廓圖形狀為球形；Cu2+價(jià)層電子的電子排布圖為。
（2）由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵，所以Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的高；同一主族中，從上向下，元素第一電離能逐漸減小，同一周期中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，但N元素的最外層電子處于半滿(mǎn)狀態(tài)，是一種穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以它的第一電離能高于同周期相鄰的元素，所以N、O、S四種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)镾呋喃，原因是 。
(3)我國(guó)科學(xué)家用激光將置于鐵室中石墨靶上的碳原子炸松，再用射頻電火花噴射氮?dú)?，獲得超硬新材料-氮化碳薄膜，結(jié)構(gòu)如圖。下列有關(guān)-氮化碳的說(shuō)法錯(cuò)誤的是______。
A．與石墨相比，-氮化碳導(dǎo)電性增強(qiáng)
B．與金剛石相比，-氮化碳的熔點(diǎn)更高
C．-氮化碳中C、N的雜化方式相同
D．-氮化碳中C原子數(shù)與C-N鍵之比為1∶2
(4)一定條件下，和反應(yīng)生成碳單質(zhì)和化合物X。已知X屬于六方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，其中碳的化合價(jià)為＋4價(jià)。X的化學(xué)式為 。的配位數(shù)為 。若阿伏加德羅常數(shù)的值為，該晶體的摩爾體積 (列出算式)。
【答案】(1)[Ar]或
(2)三者均是分子晶體，吡咯分子間可形成氫鍵，呋喃及噻吩分子間只存在分子間作用力，而噻吩的相對(duì)分子質(zhì)量比呋喃的大，沸點(diǎn)較高
(3)AD
(4) 6
【詳解】（1）As和N同主族，基態(tài)As原子的核外電子排布式為：[Ar]或；
（2）沸點(diǎn)：吡咯>噻吩>呋喃，原因是：三者均是分子晶體，吡咯分子間可形成氫鍵，呋喃及噻吩分子間只存在分子間作用力，而噻吩的相對(duì)分子質(zhì)量比呋喃的大，沸點(diǎn)較高；
（3）A．由圖可知，C原子形成4個(gè)C-N鍵，不存在可自由移動(dòng)的電子，與石墨相比較，導(dǎo)電性變?nèi)?，A錯(cuò)誤；
B．N原子半徑比C原子小，C-N鍵長(zhǎng)比C-C鍵長(zhǎng)小，C-N鍵能更大，故β-氮化碳的熔點(diǎn)更高，B正確；
C．由圖可知，C原子形成4個(gè)C-N鍵，N原子形成3個(gè)N-C鍵和1個(gè)孤電子對(duì)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)都為4個(gè)，都為sp3雜化，C正確；
D．由圖可知，C原子形成4個(gè)C-N鍵，C原子數(shù)與C-N鍵之比為1：4，D錯(cuò)誤；
故選AD；
（4）一定條件下，和反應(yīng)生成碳單質(zhì)和化合物X，根據(jù)華合計(jì)啊和X的晶胞結(jié)構(gòu)可知，化合物X中含Ca、C、N三種元素，根據(jù)粒子半徑大小關(guān)系可知，Ca2+有8個(gè)在頂點(diǎn)，2個(gè)在晶胞中，故晶胞中Ca2+個(gè)數(shù)為：；陰離子有兩個(gè)N原子和1個(gè)C原子構(gòu)成，陰離子位于4個(gè)棱上和2個(gè)體內(nèi)，晶胞中陰離子個(gè)數(shù)為：，則化學(xué)式為CaCN2，1個(gè)晶胞的體積為：，晶胞的摩爾體積為：。
23．（2024屆·四川綿陽(yáng)·統(tǒng)考二模）配位化合物在化工、醫(yī)藥、催化劑等工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用，根據(jù)各種配合物的相關(guān)信息，回答下列問(wèn)題。
(1)鎳離子常與含的原子團(tuán)形成配位化合物。寫(xiě)出基態(tài)鎳原子的價(jià)電子排布式 ，元素的第一電離能由大到小的順序排列是 。
(2)下圖是的結(jié)構(gòu)示意圖。比較其中的鍵角：配體 普通(填“>”、“”、“；
③由鎵元素不存在+Ⅳ價(jià)可知，二氯化鎵中鎵元素的化合價(jià)為+Ⅰ價(jià)和+Ⅲ價(jià)，其中+Ⅲ價(jià)鎵元素與氯元素形成四氯合鎵離子，四氯合鎵離子與鎵離子形成離子化合物，則二氯化鎵的組成形態(tài)為Ga(Ⅰ)[Ga(Ⅲ)Cl4]，故答案為：Ga(Ⅰ)[Ga(Ⅲ)Cl4]；
（3）①設(shè)晶胞的邊長(zhǎng)為cpm，由晶胞結(jié)構(gòu)可，晶胞中位于頂點(diǎn)的鎵原子與位于體對(duì)角線上的砷原子距離最近，則體對(duì)角線的距離為4(a+b)pm，晶胞的邊長(zhǎng)c=pm，晶胞中位于頂點(diǎn)的鎵原子與位于面心的鎵原子距離最近，則最近的兩個(gè)鎵原子的距離為pm×=pm，故答案為：；
②沿晶胞對(duì)角線A→B方向進(jìn)行投影可得如下投影圖：，其中黑球?yàn)槲挥诰Оw內(nèi)的砷原子，故答案為：。
25．（2024屆·山東·校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）N、P及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)中起著重要的作用?；卮鹣铝袉?wèn)題：
(1)由磷原子核形成的三種微粒：a．([Ne]3s23p3)、b．([Ne]3s23p2)、c．([Ne]3s23p24s1)，半徑由大到小的順序?yàn)? (填標(biāo)號(hào)，下同)；再失去一個(gè)電子所需最低能量由大到小的順序?yàn)? 。
(2)已知HSCN的結(jié)構(gòu)有兩種，這兩種分子結(jié)構(gòu)中除氫外各原子均滿(mǎn)足八電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)(無(wú)配位鍵)，請(qǐng)畫(huà)出沸點(diǎn)高的分子的結(jié)構(gòu)式 。
(3)雜環(huán)化合物咪唑結(jié)構(gòu)如圖，其分子中的大π鍵可表示為，則其結(jié)合質(zhì)子能力更強(qiáng)的氮原子是 (填“①”或“②”)，其原因是 。
(4)氮、銅形成的一種化合物，為立方晶系晶體，晶胞參數(shù)為apm，沿體對(duì)角線投影如下圖所示。已知該晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如下：Cu：(0，0，)；(0，，0)；(，0，0)；N：(0，0，0)，其中與Cu原子等距且最近的Cu原子有 個(gè)，則該化合物的化學(xué)式為 。
(5)PCl5是一種白色晶體，其晶胞如圖所示。該晶體熔融時(shí)形成一種能導(dǎo)電的液體，測(cè)得其中含有一種正四面體形陽(yáng)離子和一種正八面體形陰離子。
①寫(xiě)出PCl5熔融時(shí)的電離方程式 。
②若晶胞參數(shù)為anm，則晶體的密度為 (列出計(jì)算式)。
【答案】(1) c>a>b c>b>a
(2)H-N=C=S
(3) ① ①號(hào)N原子連接著雙鍵，而N原子電負(fù)性大于C，將使得電子云密度偏向N原子
(4) 8 Cu3N
(5) 2PCl5(熔融)＝+
【詳解】（1）a([Ne]3s23p3)為基態(tài)P原子，b([Ne]3s23p2)為基態(tài)P原子失去一個(gè)電子，c ([Ne]3s23p24s1)為基態(tài)P原子一個(gè)電子躍遷至4s1軌道，半徑由大到小的順序?yàn)閏>a>b，再失去一個(gè)電子所需最低能量由大到小的順序?yàn)閏>b>a，故答案為c>a>b；c>b>a。
（2）HSCN的結(jié)構(gòu)有兩種，這兩種分子結(jié)構(gòu)中除氫外各原子均滿(mǎn)足八電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，沸點(diǎn)高的分子的結(jié)構(gòu)式為H-N=C=S，故答案為H-N=C=S。
（3）由圖可知，①號(hào)N原子連接著雙鍵，而N原子電負(fù)性大于C，將使得電子云密度偏向N原子，從而大于②號(hào)N原子的電子云密度，使得其結(jié)合質(zhì)子的能力大，故答案為①；①號(hào)N原子連接著雙鍵，而N原子電負(fù)性大于C，將使得電子云密度偏向N原子。
（4）由體對(duì)角線投影圖和部分Cu、N原子的坐標(biāo)可知，N原子位于頂點(diǎn)，個(gè)數(shù)為，Cu原子位于棱心，個(gè)數(shù)為，故化學(xué)式為Cu3N，與Cu原子等距且最近的Cu原子位于相鄰的棱心上，共8個(gè)，故答案為8；Cu3N。
（5）①根據(jù)題中信息以及晶胞圖可知，正四面體形的陽(yáng)離子說(shuō)明有4個(gè)σ鍵，無(wú)孤電子對(duì)，陽(yáng)離子是，陰離子為正八面體形，一個(gè)P對(duì)應(yīng)六個(gè)Cl，該陰離子為，電離方程式為2PCl5(熔融)＝+；故答案為2PCl5(熔融)＝+；
②根據(jù)晶胞圖，位于頂點(diǎn)，個(gè)數(shù)為，位于體心，個(gè)數(shù)為1，因此晶胞的質(zhì)量為
，晶胞的體積為（a×10?7）3cm3，晶胞的密度為，故答案為。
26．（2024屆·陜西寶雞·統(tǒng)考模擬預(yù)測(cè)）國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《自然》最近報(bào)道，我國(guó)科學(xué)家選擇碲化鋯(ZrTe5)和砷化鎘(Cd3As2)為材料驗(yàn)證了三維量子霍爾效應(yīng)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)Zr是Ti的同族相鄰元素，位于周期表的 區(qū)；Ti元素在周期表中的位置 。
(2)周期表中As與Se同周期相鄰，Te與Se同主族且相鄰，這三種元素第一電離能由大到小的順序是 。基態(tài)As原子的價(jià)電子排布式是 。
(3)Cd2+與NH3可形成配離子[Cd(NH3)4]2+。
①該離子中不含的化學(xué)鍵類(lèi)型有 (填字母)。
A．離子鍵 B．配位鍵 C．σ鍵 D．共價(jià)鍵 E．π鍵
②已知該離子中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-替代只得到一種結(jié)構(gòu)，則該離子的立體構(gòu)型為 。
(4)含砷有機(jī)物“對(duì)氨基苯砷酸”的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖所示，As原子的軌道雜化類(lèi)型為 ，1個(gè)對(duì)氨基苯砷酸分子中含有σ鍵的數(shù)目為 。
(5)以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱(chēng)作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系Cd-Sn-As形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如下表所示。
①找出此晶胞中距離Cd(0，0，0)最遠(yuǎn)的As的位置 或 (用分?jǐn)?shù)坐標(biāo)表示)。
②該化合物的化學(xué)式為 ，此晶體的密度為 g/cm3(列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)。
【答案】(1) d ； 第四周期IVB族；
(2) As>Se> Te 1s22s22p63s23p63d104s24p3
(3) AE； 正四面體；
(4) sp3 ； 19 ；
(5) (0.25，0.75，0.875)； (0.75，0.25，0.875) ； CdSnAs2 ； ；
【詳解】（1）Zr是Ti的同族相鄰元素，價(jià)電子排布式為4d25s2，位于周期表的d區(qū)；Ti原子為22號(hào)元素，位于周期表第四周期第IVB族；
（2）同一周期元素，第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，同一主族元素，第一電離能從上到下逐漸減小，故第一電離能由大到小的順序是：As>Se> Te；基態(tài)As原子的價(jià)電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s24p3；
（3）①[Cd(NH3)4]2+中不存在離子鍵，鎘原子和氮原子間存在配位鍵，含有N-H單鍵存在σ鍵，氮原子和氫原子之間存在共價(jià)鍵，所以不存在的化學(xué)鍵是離子鍵、π鍵，故選AE；
②已知該離子中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl- 替代只得到一種結(jié)構(gòu)，說(shuō)明二取代物只有一種結(jié)構(gòu)，該離子的立體構(gòu)型為正四面體形；
（4）根據(jù)對(duì)氨基苯砷酸的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知As原子與周?chē)有纬?個(gè)σ鍵(As=O鍵有一個(gè)σ鍵一個(gè)π鍵)，不含孤電子對(duì)，所以雜化軌道類(lèi)型為sp3，苯環(huán)上6個(gè)碳原子之間有6個(gè)C-C單鍵為σ鍵，還有4個(gè)C-H單鍵為σ鍵，As=O鍵有一個(gè)σ鍵一個(gè)π鍵，其他共價(jià)鍵均為σ鍵，所以一個(gè)對(duì)氨基苯砷酸分子中有19個(gè)σ鍵，則1ml對(duì)氨基苯砷酸含σ鍵數(shù)目19NA；
（5）①由晶胞結(jié)構(gòu)和部分原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可知，黑球表示Cd原子，白球表示Sn原子，灰球表示As原子；此晶胞中距離Cd(0，0，0)，最遠(yuǎn)的As的位置(0.25，0.75，0.875)、(0.75，0.25，0.875)；
②一個(gè)晶胞中，由部分Cd原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)(0，0，0)，可知8個(gè)Cd在晶胞的頂點(diǎn)，4個(gè)Cd在晶胞的面心，1個(gè)在晶胞的體心，Cd原子個(gè)數(shù)為；部分Sn原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0.5)，4個(gè)Sn在晶胞的棱上，6個(gè)Sn在晶胞的面心，含有Sn的個(gè)數(shù)為：+；部分As原子的坐標(biāo)為(0.25，0.25，0.125)，8個(gè)As在晶胞的體心，As原子個(gè)數(shù)為8，Cd-Sn-As原子個(gè)數(shù)比：4:4:8=1:1:2，該化合物的化學(xué)式為CdSnAs2，晶胞質(zhì)量為，晶胞體積為，晶胞密度為。
27．（2024屆·四川綿陽(yáng)·校聯(lián)考三模）鐵及其化合物在生活、生產(chǎn)中有重要應(yīng)用?；卮鹣铝袉?wèn)題：
(1)乳酸亞鐵[CH3CH(OH)COO]2Fe是一種常用的補(bǔ)鐵劑。
①Fe2+的價(jià)層電子排布式是 。
②乳酸分子()中 σ 鍵與π鍵的數(shù)目比為 。
③乳酸亞鐵中各元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)? 。
(2)無(wú)水FeCl2可與NH3形成[Fe(NH3)6]Cl2。
①[Fe(NH3)6]Cl2中Fe2+的配位數(shù)為 。
②NH3的空間構(gòu)型是 ，其中N原子的雜化方式是 。
(3)由鐵、鉀、硒形成的一種超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。
①該超導(dǎo)材料的化學(xué)式是 。
②該晶胞參數(shù)a=0.4 nm、c=1.4 nm，該晶體密度ρ= g·cm-3。(用 NA表示阿伏加德羅常數(shù)，寫(xiě)出計(jì)算表達(dá)式即可)
③該晶胞在xy平面投影如圖2所示，將圖2補(bǔ)充完整 。
【答案】(1) 3d6 11∶1 O>C>H>Fe
(2) 6 三角錐形 sp3雜化
(3) KFe2Se2
【詳解】（1）①基態(tài)Fe原子核外電子排布式為[Ar]3d64s2，F(xiàn)e2+核外電子排布式為[Ar]3d6，因此亞鐵離子的價(jià)層電子排布式為3d6，故答案為3d6；
②成鍵原子之間單鍵有1個(gè)σ鍵，雙鍵之間有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，三鍵有1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵，根據(jù)乳酸結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式，σ鍵和π鍵數(shù)目比為11∶1；故答案為11∶1；
③乳酸亞鐵中含有元素為H、C、O、Fe，鐵元素為金屬元素，電負(fù)性最小，同周期從左向右電負(fù)性逐漸增大，氧元素的電負(fù)性最大，碳?xì)浠衔餁錇檎齼r(jià)，則碳的電負(fù)性大于氫，因此電負(fù)性由大到小順序是O＞C＞H＞Fe；故答案為O＞C＞H＞Fe；
（2）①[Fe(NH3)6]Cl2中[Fe(NH3)6]2+為內(nèi)界，2個(gè)Cl-為外界，6個(gè)NH3與Fe2+形成配位鍵，亞鐵離子的配位數(shù)為6，故答案為6；
②NH3中中心原子N有3個(gè)σ鍵，有1個(gè)孤電子對(duì)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，空間構(gòu)型為三角錐形，雜化軌道數(shù)等于價(jià)層電子對(duì)數(shù)，因此N的雜化類(lèi)型為sp3，故答案為三角錐形；sp3；
（3）①K位于頂點(diǎn)和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為=2，Se位于棱上和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為=4，F(xiàn)e位于面上，個(gè)數(shù)為=4，因此化學(xué)式為KFe2Se2；故答案為KFe2Se2；
②晶胞的質(zhì)量為g，晶胞的體積為a2cnm3=0.4×0.4×1.4nm3，則晶胞的密度為g/cm3；故答案為；
③K位于頂點(diǎn)和體內(nèi)，Se位于棱上和體內(nèi)，F(xiàn)e位于面上，按照xy平面投影得到；故答案為。
28．（2024屆·四川成都·校聯(lián)考一模）鈾氮化合物是核燃料循環(huán)系統(tǒng)中的重要材料。已知?；卮鹣铝袉?wèn)題：
(1)基態(tài)氮原子價(jià)電子軌道表達(dá)式為 。
(2)反應(yīng)中斷裂的化學(xué)鍵有 (填標(biāo)號(hào))。
a．氫鍵 b．極性鍵 c．非極性鍵 d．離子鍵 e．配位鍵
(3)反應(yīng)所得的氣態(tài)產(chǎn)物中屬于非極性分子的是 (填化學(xué)式，下同)；氫化物中更易與形成配離子的是 。向溶液中滴加少量氨水，反應(yīng)現(xiàn)象為 ，繼續(xù)滴加氨水可得到深藍(lán)色透明溶液，寫(xiě)出該反應(yīng)的離子方程式 。
(4)基態(tài)U原子的外圍電子排布式為，則處于下列狀態(tài)的鈾原子或離子失去一個(gè)電子所需能量最高的是___________(填標(biāo)號(hào))。
A．B．C．D．
(5)的空間構(gòu)型為 ，其結(jié)構(gòu)中存在大鍵，可表示為 (用表示，m代表參與形成大鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大鍵的電子數(shù))。
(6)某種鈾氮化物的晶胞如圖。已知晶胞密度為，U原子半徑為nm，N原子半徑為nm，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶胞的空間利用率為 (含d、、、的計(jì)算表達(dá)式)。
【答案】(1)
(2)bde
(3) 、 產(chǎn)生藍(lán)色沉淀 (或)
(4)A
(5) 平面三角形
(6)或
【詳解】（1）基態(tài)氮原子的價(jià)電子排布式為2s22p3，根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)基態(tài)N原子價(jià)電子軌道表示式為；
（2）(NH4)4[UO2(CO3)3]中，(NH4)+與[UO2(CO3)3]-之間存在離子鍵，(NH4)+中N原子與H+間存在配位鍵，N原子與H原子間存在極性鍵，故反應(yīng)中斷裂的化學(xué)鍵有離子鍵、配位鍵、極性鍵，故答案為：bde；
（3）正負(fù)電荷中心重合的分子為非極性分子，CO2和N2是非極性分子，電負(fù)性N＜O，N原子更容易提供孤對(duì)電子，則NH3與Cu2+形成的配離子穩(wěn)定性強(qiáng)于H2O與Cu2+形成的配離子穩(wěn)定性，所以NH3更易與Cu2+形成配離子；向CuSO4溶液中滴加少量氨水，首先反應(yīng)生成氫氧化銅藍(lán)色沉淀，反應(yīng)現(xiàn)象為生成藍(lán)色沉淀；繼續(xù)滴加氨水，氫氧化銅和氨水生成銅氨離子，可得到深藍(lán)色透明溶液，該反應(yīng)的離子方程式(或)；
（4）基態(tài)U原子的外圍電子排布式為5f36d17s2，5f37s27p1、5f47s2、5f36d17s2均為其基態(tài)原子的激發(fā)態(tài)，5f36d17s1 為U+，由第二電離明顯高于第一電離可知，5f36d17s1 再失去1個(gè)電子所需要的能量最高，故答案為：A；
（5）中C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+=3且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該離子VSEPR模型為平面三角形，中形成大π鍵的電子個(gè)數(shù)=(4+2+6×3)-3×2-4×3=6，為4原子、6電子形成的大π鍵，所以其大π鍵，故答案為：平面三角形；；
（6）晶胞中U原子個(gè)數(shù)=8×+6×=4，N原子個(gè)數(shù)4×2=8，則U和N的總體積為，晶胞體積為=，則該晶胞的空間利用率為×100%=。
29．（2024屆·山東·校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）硒是典型的半導(dǎo)體材料。
(1)是硒的一種放射性同位素，其中子數(shù)與價(jià)電子數(shù)之差為 ，、、其沸點(diǎn)從大到小的順序是 。
(2)是一種無(wú)色液體，其分子空間構(gòu)型是 (填標(biāo)號(hào))。
a． b． c． d． e．
與結(jié)構(gòu)相似，其鍵角較大的是 。
(3)鋰硒電池正極的充放電原理為
硒晶胞中含有 個(gè)原子，若晶胞參數(shù)邊長(zhǎng)為，在晶胞中2個(gè)、間距離是 ，填充在的 型空隙中，充電過(guò)程正極材料體積 (填“膨脹”、“不變”或“收縮”)
(4)與可形成直線型陰離子(結(jié)構(gòu)如下)，其中 。
【答案】(1) 42
(2) b
(3) 3 立方體 收縮
(4)10
【詳解】（1）是硒的一種放射性同位素，的中子數(shù)為，價(jià)層電子排布式為，價(jià)層電子為6，其中子數(shù)與價(jià)電子數(shù)之差為42；三種分子結(jié)構(gòu)相似，分子間能形成氫鍵，故沸點(diǎn)最高，分子間不能形成氫鍵，的相對(duì)分子質(zhì)量大，故沸點(diǎn)高，、、其沸點(diǎn)從大到小的順序是。故答案為：42；；
（2）分子中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為5，必有一對(duì)孤對(duì)電子，VSEPR模型為三角雙雉，所以d、是錯(cuò)誤的，a、b、c中都為孤對(duì)電子留下位置，填上孤對(duì)電子，比較孤對(duì)電子與成鍵電子對(duì)間的斥力可知，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)斥力最小，體系能量最低，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子斥力大于成鍵電子對(duì)間斥力大，故結(jié)構(gòu)最合理，故選b；與結(jié)構(gòu)相似，中心原子都只有一個(gè)孤電子對(duì)，的電負(fù)性大，電子對(duì)距離中心原子近，斥力大，鍵角大，其鍵角較大的是。故答案為：b；；
（3）觀察晶體結(jié)構(gòu)中重復(fù)的結(jié)構(gòu)為，將看做一個(gè)球，則晶體為簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)，含一個(gè)重復(fù)的結(jié)構(gòu)，故硒晶胞中含有3個(gè)原子。在晶胞中2個(gè)間距離是占據(jù)了面心立方中不相鄰的兩個(gè)四面體空隙，距離為體對(duì)角線的長(zhǎng)度一半，即。在圍成的空隙中，只有當(dāng)陽(yáng)離子將陰離子撐開(kāi)時(shí)晶體才穩(wěn)定：，因此嵌入，晶體會(huì)膨脹，反之減小。填充在的立方體型空隙中，充電過(guò)程正極材料體積收縮，故答案為：3；；立方體；收縮；
（4）
圖中個(gè)數(shù)為，則該陰離子為，其中價(jià)，Se為-2價(jià)，所以有，解得，題中，故；故答案為：10。
30．（2024屆·四川綿陽(yáng)·校聯(lián)考一模）硒(Se)是人體必需微量元素之一，含硒化合物在材料和藥物領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。自我國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)聚來(lái)誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)效應(yīng)以來(lái)，AIE在發(fā)光材料、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)城引起廣泛關(guān)注。一種含Se的新型AIE分子Ⅳ的合成路線如圖：
(1)Se與S同族，基態(tài)硒價(jià)電子排布簡(jiǎn)式為 ，基態(tài)Se原子核外電子有 種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子。
(2)H2Se的沸點(diǎn)低于H2O，其原因是 。
(3)關(guān)于上圖4種物質(zhì)，下列說(shuō)法正確的有 。
A．Ⅰ中僅有鍵
B．Ⅰ中的Se-Se鍵為非極性共價(jià)鍵
C．II易溶于水
D．II中原子的雜化軌道類(lèi)型只有sp與sp3
E. Ⅰ~Ⅲ含有的元素中，O電負(fù)性最大
F.Ⅳ中具有孤對(duì)電子的原子只有O
(4)酸性強(qiáng)弱H2SeO4 H2SeO3(填“>”或“

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