
1.如圖1所示為回旋加速器的示意圖.兩個(gè)靠得很近的D形金屬盒處在與盒面垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,一質(zhì)子從加速器的A處開(kāi)始加速.已知D形盒的半徑為R,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,高頻交變電源的電壓為U、頻率為f,質(zhì)子質(zhì)量為m,電荷量為q.下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是( )
圖1
A.質(zhì)子的最大速度不超過(guò)2πRf
B.質(zhì)子的最大動(dòng)能為eq \f(q2B2R2,2m)
C.質(zhì)子的最大動(dòng)能與電壓U無(wú)關(guān)
D.只增大磁感應(yīng)強(qiáng)度B,可減小質(zhì)子的最大動(dòng)能
2.(2016·全國(guó)卷Ⅰ·15)現(xiàn)代質(zhì)譜儀可用來(lái)分析比質(zhì)子重很多倍的離子,其示意圖如圖2所示,其中加速電壓恒定.質(zhì)子在入口處從靜止開(kāi)始被加速電場(chǎng)加速,經(jīng)勻強(qiáng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后從出口離開(kāi)磁場(chǎng).若某種一價(jià)正離子在入口處從靜止開(kāi)始被同一加速電場(chǎng)加速,為使它經(jīng)勻強(qiáng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后仍從同一出口離開(kāi)磁場(chǎng),需將磁感應(yīng)強(qiáng)度增加到原來(lái)的12倍.此離子和質(zhì)子的質(zhì)量比約為( )
圖2
A.11B.12
C.121D.144
3.(2023·江蘇通州區(qū)、海門市、啟東三縣聯(lián)考)利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件,廣泛應(yīng)用于測(cè)量和自動(dòng)控制等領(lǐng)域.如圖3是霍爾元件的工作原理示意圖,磁感應(yīng)強(qiáng)度B垂直于霍爾元件的表面向下,通入圖示方向的電流I,C、D兩側(cè)面會(huì)形成電勢(shì)差UCD.下列說(shuō)法中正確的是( )
圖3
A.霍爾元件的上下表面的距離越大,UCD越大
B.若霍爾元件的載流子是自由電子,則電勢(shì)差UCD
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