1.下列敘述錯(cuò)誤的是( )
A.已知同周期X、Y、Z三種元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)?，則對(duì)應(yīng)陰離子的還原性按X、Y、Z的順序增強(qiáng)
B.代表阿伏加德羅常數(shù)的值，核素發(fā)生裂變反應(yīng)：，凈產(chǎn)生的中子數(shù)為
C.同主族元素形成的同一類型的化合物，往往結(jié)構(gòu)和性質(zhì)很相似，如的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與相似，則可由與化合生成
D.、、、四種短周期元素離子的電子層結(jié)構(gòu)相同，離子半徑由小到大的順序：
2.某軟包電池的關(guān)鍵組件是一種離子化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。X、Y、Z、W、M、Q為原子序數(shù)依次增大的短周期元素，Z的簡(jiǎn)單氫化物常用作制冷劑，W和Q同主族。下列說法正確的是( )
A.簡(jiǎn)單離子半徑：Q>M>W>X
B.實(shí)驗(yàn)室中用洗滌殘留在試管壁上的Q單質(zhì)，利用了Q單質(zhì)的還原性
C.加熱條件下W單質(zhì)可與X單質(zhì)化合生成
D.簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)：X>W>Z>Y
3.用α粒子（即氦核）轟擊產(chǎn)生的核反應(yīng)為。已知元素Y的氟化物分子的空間構(gòu)型是正四面體形。下列說法正確的是( )
A.與X同周期的元素中，第一電離能小于X的元素有兩個(gè)
B.原子半徑：Xb>a
B.原子的半徑：c>d>e>a>b
C.同溫下，等濃度的簡(jiǎn)單氫化物水溶液的pH值：a>d>e
D.b、c、e以原子個(gè)數(shù)比1：1：1形成的化合物可用于殺菌消毒
6.相變離子液體體系因節(jié)能潛力大被認(rèn)為是新一代吸收劑，某新型相變離子液體X吸收的過程如圖，已知X的陰離子中所有原子共平面，下列說法錯(cuò)誤的是( )
A.X的陽離子中所有原子(除H外)均達(dá)到最外層8電子穩(wěn)定狀態(tài)
B.真空條件下有利于Y解析出
C.X的陰離子中所有N均提供2個(gè)電子參與大π鍵的形成
D.Y的熔點(diǎn)比X的低，可推知陰離子半徑：Y>X
7.物質(zhì)W常用作漂白劑和氧化劑，其構(gòu)成元素均為短周期主族元素，各元素原子半徑與原子序數(shù)的關(guān)系如圖所示，實(shí)驗(yàn)室中常用洗滌殘留在試管壁上的N單質(zhì)。下列說法不正確的是( )
A.根據(jù)相似相溶原理，也可用熱的溶液洗滌殘留在試管壁上的N單質(zhì)
B.X、Z形成的化合物與M、N形成的化合物可以發(fā)生氧化還原反應(yīng)
C.Z的氫化物的沸點(diǎn)不一定大于Y的氫化物的沸點(diǎn)
D.化合物W常用作氧化劑，不宜在高溫下使用
8.短周期元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，其中W的陰離子的核外電子數(shù)與X、Y、Z原子的核外內(nèi)層電子數(shù)相同。X的一種核素在考古時(shí)常用來鑒定一些文物的年代，工業(yè)上采用液態(tài)空氣分餾方法來生產(chǎn)Y的單質(zhì)且Y元素能形成兩種單質(zhì)，而Z不能形成雙原子分子。根據(jù)以上敘述，下列說法中正確的是( )
A.上述四種元素的原子半徑大小順序?yàn)閃Z
B.W與X形成的一種高聚物可能具有導(dǎo)電性
C.Y與Z形成的化合物常用于工業(yè)上冶煉Z的單質(zhì)
D.QW3的VSEPR模型名稱為三角錐形
17.短周期元素X、Y、Z、R、Q原子序數(shù)依次增大，其原子半徑和最外層電子數(shù)之間的關(guān)系如圖所示。下列說法正確的是( )
A.YX的空間構(gòu)型為正四面體
B.第一電離能：QZ>W
C.Y和M的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物均為強(qiáng)酸
D.Z的單質(zhì)可與X的最高價(jià)氧化物發(fā)生置換反應(yīng)
答案以及解析
1.答案：D
解析：A.已知同周期X、Y、Z三種元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)?，則非金屬性，那么對(duì)應(yīng)陰離子的還原性按X、Y、Z的順序增強(qiáng)，A正確；
B.235g核素的物質(zhì)的量為1ml，發(fā)生裂變反應(yīng)：，凈產(chǎn)生的中子9ml，數(shù)目為，B正確；
C.氨氣和氯化氫能合成氯化銨，的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與相似，則可由與HI化合生成，C正確；
D.電子層數(shù)越多半徑越大，電子層數(shù)相同時(shí)，核電荷數(shù)越大，半徑越??；、、、四種短周期元素離子的電子層結(jié)構(gòu)相同，則原子序數(shù)：，故離子半徑由小到大的順序：、、、，D錯(cuò)誤；
故選D。
2.答案：D
解析：A.簡(jiǎn)單離子的電子層數(shù)越多，半徑越大，當(dāng)簡(jiǎn)單離子的電子層數(shù)相同時(shí)質(zhì)子數(shù)越小，半徑越大，所以，簡(jiǎn)單離子半徑：O>W>M>X，故A錯(cuò)誤：B.實(shí)驗(yàn)室中用洗滌殘留在試管壁上的S單質(zhì)，利用了S單質(zhì)易溶于，不是還原性，故B錯(cuò)誤；C.W單質(zhì)為，X單質(zhì)為L(zhǎng)i，鋰在氧氣中反應(yīng)生成，不能化合生成，故C錯(cuò)誤；D.W、Z、Y形成的簡(jiǎn)單氫化物分別為，其中水分子間和氨氣分子間形成氫鍵，沸點(diǎn)反常的高，氫化物的沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋?，即W>Z>Y，故D正確。故選 D。
3.答案：C
解析：由于Mg的2s軌道處于半充滿狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，故與Al同周期的元素中第一電離能小于Al的只有Na元素，A錯(cuò)誤；
原子半徑：Al>Si，B錯(cuò)誤；
分子中1個(gè)Al的周圍有4個(gè)Cl原子，形成3個(gè)Al—Cl共價(jià)鍵，1個(gè)Cl→Al配位鍵：，C正確；
和互為同位素，D錯(cuò)誤；
故選C
4.答案：D
解析：A.電子層數(shù)越多，半徑越大，電子層數(shù)相同，核電荷數(shù)越小，半徑越大，則原子半徑由大到小的順序?yàn)椋?，A錯(cuò)誤；
B.N原子屬于半充滿狀態(tài)，第一電離能較高，H原子比C原子半徑小得多，核外電子受到原子核的引力大，電離需要更多的能量，故H>C，而Cu的電子層數(shù)最大，較容易失去一個(gè)電子，其第一電離能最小，故第一電離能由大到小的順序?yàn)椋?，B錯(cuò)誤；
C.該配合物中與W形成配位鍵的X，不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，C錯(cuò)誤；
D.該配合物中X的價(jià)層電子對(duì)有4和3，故其雜化類型有，D正確；
故選D。
5.答案：A
解析：a、b、c、d、e為原子序數(shù)依次遞增的短周期主族元素。a的氣態(tài)氫化物與其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物可反應(yīng)形成鹽，應(yīng)為銨鹽，則a為N元素，基態(tài)b原子電子總數(shù)是其最高能級(jí)電子數(shù)的2倍，則b為O元素，c的原子半徑是本周期最大的，則c是Na元素，d的單質(zhì)為淡黃色固體，d是S，e是Cl。
A.水分子間形成氫鍵，沸點(diǎn)最高，氨分子間形成氫鍵，但比水分子間作用力弱，硫化氫分子間不能形成氫鍵，簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)：，故A錯(cuò)誤；
B.電子層數(shù)越多，原子或離子的半徑越大，電子層數(shù)相同時(shí)，核電荷數(shù)越大，對(duì)核外電子的吸引能力越強(qiáng)，離子半徑越小，原子半徑：Na>S>Cl>N>O，故B正確；
C.的水溶液顯堿性，為弱酸，HCl為強(qiáng)酸，則等濃度的和HCl，的酸性弱，又酸性越強(qiáng)，pH值越小，堿性越強(qiáng)pH值越大，故同溫下，等濃度的簡(jiǎn)單氫化物水溶液的pH值：a>d>e，故C正確；
D.b、c、e以原子個(gè)數(shù)比1∶1∶1形成的化合物是次氯酸鈉，可用于殺菌消毒，故D正確；
故選A。
6.答案：C
解析：A.C最外層4個(gè)電子，與其他原子形成四條共價(jià)鍵，達(dá)8電子穩(wěn)定狀態(tài)，P最外層5個(gè)電子，給外界1個(gè)電子顯正電荷，剩余4個(gè)電子和C原子形成四條共價(jià)鍵，達(dá)8電子穩(wěn)定狀態(tài)，A正確；
B.由方程式可知，與在空氣中相比，真空條件下相當(dāng)于減少二氧化碳的濃度，反應(yīng)逆向進(jìn)行，有利于Y解吸出二氧化碳，B正確；
C.由X的陰離子中所有原子共平面可知，陰離子中碳原子、氮原子均采取sp2雜化，形成大π鍵時(shí)，連有雙鍵的氮原子提供1個(gè)電子，連有單鍵的氮原子從外界得到一個(gè)電子，共提供2個(gè)電子，C錯(cuò)誤；
D.Y的熔點(diǎn)比X的低說明X中離子鍵強(qiáng)于Y，則Y的陰離子半徑大于X，D正確；
答案選C。
7.答案：A
解析：實(shí)驗(yàn)室中常用洗滌殘留在試管壁上的S單質(zhì)，則N為S；M原子半徑大于N，且M離子帶1個(gè)正電荷，則M為Na；Z形成兩個(gè)共價(jià)鍵，且原子序數(shù)小于M，則Z為O；X形成一個(gè)共價(jià)鍵，且原子半徑最小，則X為H；Y形成四個(gè)共價(jià)鍵，圖中所示的陰離子帶兩個(gè)負(fù)電荷且Y的原子半徑大于Z，則Y為C，據(jù)此解題。
A.根據(jù)硫能與氫氧化鈉溶液反應(yīng)，實(shí)驗(yàn)室中可用熱的氫氧化鈉溶液洗滌殘留在試管壁上的S單質(zhì)，A錯(cuò)誤；
B.X、Z形成的化合物與M、N形成的化合物可以發(fā)生氧化還原反應(yīng)，B正確；
C.O的氫化物為水、過氧化氫，C的氫化物為烴，它們的沸點(diǎn)沒有絕對(duì)關(guān)系，C正確；
D.化合物W中含有H-O-O-H結(jié)構(gòu)，結(jié)合過氧化氫的性質(zhì)可知，化合物W具有強(qiáng)氧化性，常用作氧化劑，但過氧化氫不穩(wěn)定，故不宜在高溫下使用，D正確；
故選A。
8.答案：C
解析：在考古時(shí)常用來鑒定一些文物的年代，用的是，則X為C；工業(yè)上采用液態(tài)空氣分餾方法來生產(chǎn)Y的單質(zhì)，且Y元素能形成兩種單質(zhì)，則Y為O；Z的原子序數(shù)大于X、Y，且不能形成雙原子分子，X、Y、Z核外內(nèi)層電子數(shù)相同，均是2個(gè)，所以Z只能是稀有氣體Ne；W的陰離子的核外電子數(shù)與X、Y、Z原子的核外內(nèi)層電子數(shù)相同，則W是H。
X為C，Y為O，同周期主族元素從左到右元素的原子半徑逐漸減小，測(cè)原子半徑C>O，Z為Ne，原子半徑測(cè)定依據(jù)不同，一般不與主族元素的原子半徑相比較，A錯(cuò)誤。W、X、Y、Z原子的核外最外層電子數(shù)的總和為，B錯(cuò)誤。W與Y可形成，既含極性共價(jià)鍵又含非極性共價(jià)鍵，C正確。W為H元素，X為C元素，Y為O元素，C和H可形成多種烴類化合物，當(dāng)相對(duì)分子質(zhì)量較大時(shí)，形成的烴在常溫下為液體或固體，沸點(diǎn)較高，可能高于由W與Y形成的化合物，D錯(cuò)誤。
9.答案：B
解析：A.由分析可知X為H，Z為O，則其形成的10電子微粒有H2O、OH-、H3O+，A錯(cuò)誤；
B.由分析可知Z為O，Q為Cl，可形成，有氧化性，可用于自來水消毒，B正確；
C.由分析可知Z為O，M為Na，Q為Cl，則為，為離子晶體，MQ為NaCl，為離子晶體，晶體類型相同，C錯(cuò)誤；
D.由分析可知X為H，Y為N，Z為O，這三種元素可以形成，其溶液顯堿性，D錯(cuò)誤；
故選B。
10.答案：A
解析：A.同一周期，從左到右，元素的第一電離能呈增大的趨勢(shì)，N原子中2p能級(jí)上電子為半滿結(jié)構(gòu)，較為穩(wěn)定，第一電離能大于同周期與之相鄰的元素，則第一電離能：CN，簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：庚>己>戊，B正確；
C.氫氧化鋁是兩性氫氧化物，Na、Al、N三種元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物之間可以相互反應(yīng)，C正確；
D.若甲為鋰，其與氧氣反應(yīng)只生成氧化鋰，D錯(cuò)誤；
故選D。
14.答案：A
解析：基態(tài)N原子核外電子有5種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，并有1個(gè)單電子，推測(cè)N元素為F元素，結(jié)合物質(zhì)的結(jié)構(gòu)圖可知M只能形成一個(gè)共價(jià)鍵且原子半徑比F小推測(cè)為H，Z形成2個(gè)共價(jià)鍵且半徑比F大推測(cè)為O元素，Y形成3個(gè)共價(jià)鍵且半徑比F大推測(cè)為N元素，X形成4個(gè)共價(jià)鍵且半徑比F大推測(cè)為C元素，T與F形成，推測(cè)為B元素。
A.元素Y是氮元素，與氮元素同周期且比氮元素第一電離能大的元素有氟、氖兩種元素，A正確；
B.Y和Z的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為氨氣和水，氨氣分子含有一個(gè)孤電子對(duì)，水分子含有兩個(gè)孤電子對(duì)，水分子孤電子對(duì)對(duì)鍵的排斥力較大，故鍵角：，B錯(cuò)誤；
C.最高價(jià)含氧酸的酸性強(qiáng)弱可以通過元素的非金屬性強(qiáng)弱來比較，氟元素的非金屬性最強(qiáng)，但是氟元素沒有含氧酸，氧元素沒有最高正價(jià)，所以上述元素中氮元素的最高價(jià)含氧酸酸性最強(qiáng)，C錯(cuò)誤；
D.M與X形成的化合物種類有很多，例如苯的沸點(diǎn)比M與Y形成的的沸點(diǎn)要高，D錯(cuò)誤；
故選A。
15.答案：B
解析：A.由分析可知，Y為O，故Y位于第二周期第ⅥA族，A正確；
B.由分析可知，X為C，X單質(zhì)中的石墨是能導(dǎo)電的晶體，B錯(cuò)誤；
C.Y與Z之間可能存在配位鍵，因?yàn)閅形成兩條共價(jià)鍵，含有1對(duì)孤電子，鈉上有空軌道，C正確；
D.利用該超分子可以分離簡(jiǎn)單Z離子和鋇離子，簡(jiǎn)單鈉離子會(huì)與該超分子形成配合物，兒鋇離子不會(huì)，D正確；故答案為：B。
16.答案：D
解析：A.由分析可知，Y為O、Z為Al、Q為P，根據(jù)元素電負(fù)性同一周期從左往右依次增強(qiáng)，同一主族從上往下依次減小可知，元素電負(fù)性O(shè)＞P＞Al即Y>Q>Z，A正確；
B.由分析可知，W為H、X為C，則W與X形成的一種高聚物聚乙炔存在單鍵雙鍵交替出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)，具有導(dǎo)電性，B正確；
C.由分析可知，Y為O、Z為Al，則工業(yè)上通過電解熔融的來冶煉金屬Al，即Y與Z形成的化合物常用于工業(yè)上冶煉Z的單質(zhì)，C正確；
D.由分析可知，W為H，Q為P，則即中心原子P周圍的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為：3+=4，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型可知，其VSEPR模型名稱為四面體形，D錯(cuò)誤；
故答案為：D。
17.答案：A
解析：A.X為H、Y為Al元素，中Al的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為，無孤對(duì)電子，則空間構(gòu)型為正四面體，A正確；
B.R為S、Q為Cl元素，同周期元素從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，則第一電離能：S

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