?2022-2023學(xué)年北京市通州區(qū)高二（下）期中化學(xué)試卷
學(xué)校:___________姓名：___________班級(jí)：___________考號(hào)：___________
第I卷（選擇題）
一、單選題（本大題共14小題，共42.0分）
1. 氮化硼是一種超硬、耐磨、耐高溫的新型材料。下列物質(zhì)的晶體類型與氮化硼相同的是(????)
A. C60 B. 鐵 C. 硝酸鈉 D. 金剛石
2. 某烷烴的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖所示，其系統(tǒng)命名正確的是(????)

A. 2，3，3?三甲基戊烷 B. 3，3，4?三甲基戊烷
C. 2，3?二甲基?2?乙基丁烷 D. 2，3?二甲基?3?乙基丁烷
3. 下列化學(xué)用語(yǔ)或圖示表達(dá)不正確的是(????)
A. 乙炔的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式：HC≡CH
B. 順?2?丁烯的分子結(jié)構(gòu)模型：
C. SO2的VSEPR模型
D. p?pπ鍵電子云輪廓圖
4. 下列關(guān)于丙烯的說法不正確的是(????)
A. 分子中總共有8個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵
B. 所有碳原子都在同一平面上
C. 碳原子均采用sp2雜化
D. 碳碳雙鍵中的π鍵鍵能比σ鍵的小，易斷裂，因此丙烯易發(fā)生加成反應(yīng)
5. H2O2是常用的氧化劑，其分子結(jié)構(gòu)如圖所示，兩個(gè)氫原子猶如在半展開的書的兩面上。下列說法不正確的是(????)


A. H2O2分子能形成氫鍵 B. 在H2O2分子中只有σ鍵沒有π鍵
C. O原子采取sp3雜化 D. H2O2為非極性分子，溶于CCl4
6. 下列事實(shí)不能用基團(tuán)間的相互作用解釋的是(????)
A. 乙烯能發(fā)生加成反應(yīng)而乙烷不能
B. 甲苯能使酸性KMnO4溶液褪色而甲烷不能
C. 苯在50～60℃時(shí)發(fā)生硝化反應(yīng)而甲苯在30℃時(shí)即可發(fā)生
D. 金屬鈉與水反應(yīng)劇烈程度比與乙醇反應(yīng)強(qiáng)
7. 下列有關(guān)晶體的敘述正確的是(????)
A. 粉末狀的固體肯定不是晶體
B. 晶胞是晶體中最小的平行六面體
C. 破損的晶體能夠在固態(tài)時(shí)自動(dòng)變成規(guī)則的多面體
D. 測(cè)定某一固體是否是晶體可用X射線衍射儀進(jìn)行測(cè)定
8. 下列敘述中，事實(shí)與對(duì)應(yīng)的解釋不正確的是 (????)

事實(shí)
解釋
A
H2O的穩(wěn)定性比H2S強(qiáng)
H?O鍵能大于H?S鍵能
B
NH3極易溶于水，PH3微溶于水
PH3相對(duì)分子質(zhì)量較大
C
對(duì)羥基苯甲醛的熔沸點(diǎn)比鄰羥基苯甲醛的高
對(duì)羥基苯甲醛只能形成分子間氫鍵，而鄰羥基苯甲醛可以形成分子內(nèi)氫鍵
D
NaCl晶體的熔點(diǎn)大于CsCl晶體
Na+的半徑小于Cs+，離子鍵強(qiáng)度NaCl大于
CsCl

A. A B. B C. C D. D
9. 氟化鈣被廣泛應(yīng)用于天文觀測(cè)、高分辨光學(xué)儀器中，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是(????)
A. 氟化鈣的化學(xué)式為CaF
B. 每個(gè)晶胞中含有14個(gè)Ca2+
C. 每個(gè)Ca2+周圍距離最近且等距的F?有4個(gè)
D. Ca2+和F?之間不只存在靜電引力

10. 下列實(shí)驗(yàn)中，不能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康牡氖?(????)
選項(xiàng)
A
B
C
D
裝置




實(shí)驗(yàn)?zāi)康?br /> 由海水制取蒸餾水
萃取碘水中的碘
分離粗鹽中的不溶物
證明乙炔可使溴水褪色

A. A B. B C. C D. D
11. 一種葉綠素的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示，下列說法不正確的是(????)

A. Mg2+是中心離子 B. N是配位原子
C. 該葉綠素含有1種含氧官能團(tuán) D. 該葉綠素能使酸性高錳酸鉀褪色
12. 下列與有機(jī)物的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)有關(guān)的敘述正確的是(????)
A. 烷烴的沸點(diǎn)高低僅取決于碳原子數(shù)的多少
B. 甲烷和氯氣的反應(yīng)與乙烯和Br2的反應(yīng)不屬于同一類型的反應(yīng)
C. 乙烯與聚乙烯均能使酸性高錳酸鉀褪色
D. 甲苯與氯氣在光照下發(fā)生一元取代反應(yīng)，主要生成
13. 己二酸是一種重要的化工原料，合成途徑有如下兩種：
途徑一：
途徑二：
下列說法正確的是(????)
A. 苯與溴水混合充分振蕩后靜置，下層溶液呈橙紅色
B. 環(huán)己醇與乙醇互為同系物
C. 環(huán)己烷分子中所有原子共平面
D. 與途徑一相比，途徑二可減少污染物排放
14. 為研究配合物的形成及性質(zhì)，研究小組進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)。下列說法不正確的是 (????)
序號(hào)
實(shí)驗(yàn)步驟
實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象或結(jié)論
①
向CuSO4溶液中逐滴加入氨水至過量
產(chǎn)生藍(lán)色沉淀，后溶解，得到深藍(lán)色的溶液
②
再加入無(wú)水乙醇
得到深藍(lán)色晶體
③
測(cè)定深藍(lán)色晶體的結(jié)構(gòu)
晶體的化學(xué)式為[Cu(NH3)4]SO4?H2O
④
將深藍(lán)色晶體洗凈后溶于水配成溶液，再加入稀NaOH溶液
無(wú)藍(lán)色沉淀生成
⑤
向?qū)嶒?yàn)①溶液中插入光亮鐵絲
一段時(shí)間后鐵絲表面有金屬光澤的紅色固體析出

A. 由實(shí)驗(yàn)①～③可知，配離子的穩(wěn)定性：[Cu(H2O)4]2+C>Si? CO2? 直線形? sp? sp3? SiO2是共價(jià)晶體，CO2是分子晶體? bc? Mg2Si?304NA?a3?
【解析】解：(1)①基態(tài)C原子的核外電子排布為1s22s22p2，電子占據(jù)最高能級(jí)為2p，p軌道的形狀為啞鈴形，
故答案為：?jiǎn)♀徯危?
②基態(tài)Si原子的價(jià)電子排布式為3s23p2，軌道表示式為，
故答案為：；
③電負(fù)性的變化規(guī)律為同周期從左向右逐漸增大，同主族由上至下逐漸減小，所以電負(fù)性O(shè)>C>Si，
故答案為：O>C>Si；
(2)①CO2的結(jié)構(gòu)式為O=C=O，含有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，但原子半徑Si>O，導(dǎo)致SiO2的結(jié)構(gòu)只含有Si?O鍵，不含有π鍵，則CO2和SiO2中同時(shí)存在σ鍵和π鍵的是CO2，
故答案為：CO2；
②CO2的結(jié)構(gòu)式為O=C=O，中心C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2，不含有孤電子對(duì)，其VSEPR模型和空間構(gòu)型均為直線形，C原子采取sp雜化；SiO2晶體圖中硅原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，其VSEPR模型為正四面體，Si原子采取sp3雜化，
故答案為：直線形；sp；sp3；
(3)①共價(jià)鍵的作用遠(yuǎn)大于分子間作用力，使共價(jià)晶體熔沸點(diǎn)比分子晶體熔沸點(diǎn)高，SiO2是共價(jià)晶體、CO2是分子晶體，所以SiO2的熔沸點(diǎn)高于CO2，
故答案為：SiO2是共價(jià)晶體，CO2是分子晶體；
②a.SiO2其存在形態(tài)有結(jié)晶形和無(wú)定形兩大類，存在非晶態(tài)的，則固體SiO2不一定是晶體，故a錯(cuò)誤；
b.干冰晶體中頂點(diǎn)處CO2分子緊鄰的CO2分子位于面心處，數(shù)目為3×8×12=12，故b正確；
c.SiO2晶跑中，4個(gè)Si處于晶胞內(nèi)部，其他的Si原子處于頂點(diǎn)、面心位置，Si原子數(shù)目=4+8×18+6×12=8，16個(gè)Si原子均位于體內(nèi)，即SiO2晶胞中，含有Si原子8個(gè)和O原子16個(gè)，故c正確；
故答案為：bc；
③含硅化合物晶胞圖中，8個(gè)Mg原子位于體內(nèi)，Si原子處于頂點(diǎn)、面心位置，數(shù)目為8×18+6×12=4，Mg、Si數(shù)目之比為2：1，其化學(xué)式為Mg2Si，
故答案為：Mg2Si；
④該化合物中含有8個(gè)Mg原子，4個(gè)Si原子，則晶胞的質(zhì)量m=4×76NAg，晶胞的體積V=a3cm3，晶體的密度ρ=mV=4×76gNAa3cm3=304NA?a3g/cm3，
故答案為：304NA?a3。
(1)①基態(tài)C原子的核外電子排布為1s22s22p2，電子占據(jù)最高能級(jí)為2p；
②基態(tài)Si原子的價(jià)電子排布式為3s23p2，結(jié)合洪特規(guī)則寫出軌道表示式；
③電負(fù)性的變化規(guī)律：同周期從左向右逐漸增大，同主族由上至下逐漸減??；
(2)①單鍵屬于σ鍵，雙鍵中含有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵；
②CO2的結(jié)構(gòu)式為O=C=O，中心C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2，不含有孤電子對(duì)，其VSEPR模型和空間構(gòu)型均為直線形；SiO2晶體圖中硅原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，
其VSEPR模型為正四面體；
(3)①分子晶體中分子間存在弱的分子間作用力，共價(jià)晶體中原子之間存在較強(qiáng)的共價(jià)鍵，共價(jià)鍵的作用遠(yuǎn)大于分子間作用力；
②a.SiO2其存在形態(tài)有結(jié)晶形和無(wú)定形兩大類；
b.干冰晶體中CO2分子位于頂點(diǎn)和面心位置，頂點(diǎn)處CO2分子緊鄰的CO2分子位于面心處；
c.SiO2晶跑中，4個(gè)Si處于晶胞內(nèi)部，其他的Si原子處于頂點(diǎn)、面心位置，根據(jù)均攤法計(jì)算Si原子數(shù)目，O原子均位于體內(nèi)；
③含硅化合物晶胞圖中，8個(gè)Mg原子位于體內(nèi)，Si原子處于頂點(diǎn)、面心位置，數(shù)目為8×18+6×12=4，Mg、Si數(shù)目之比為2：1；
④該化合物中含有8個(gè)Mg原子，4個(gè)Si原子，則晶胞的質(zhì)量m=4×76NAg，晶胞的體積V=a3cm3，根據(jù)ρ=mV計(jì)算晶體的密度。
本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及核外電子排布、雜化類型及空間構(gòu)型、化學(xué)鍵、晶體類型及晶胞計(jì)算等知識(shí)，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算、VSEPR模型的應(yīng)用是解題關(guān)鍵，側(cè)重基礎(chǔ)知識(shí)檢測(cè)和運(yùn)用能力考查，題目難度中等。

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