一、選擇題（共24題，每題只有一個答案，分值2分，共48分）
1.據(jù)報道，某些建筑材料在使用過程中會產(chǎn)生放射性同位素氡 ，從而對人體產(chǎn)生傷害。該同位素原子的中子數(shù)和質(zhì)子數(shù)之差是（ ）
A. 136 B. 50 C. 86 D. 222
【答案】B
【詳解】由題意可知該原子的質(zhì)子數(shù)是86，由質(zhì)子數(shù)（Z）+中子數(shù)（N）=質(zhì)量數(shù)（A）得：中子數(shù)（N）=質(zhì)量數(shù)（A）-質(zhì)子數(shù)（Z）=222-86=136，所以，該原子的中子數(shù)與質(zhì)子數(shù)之差是：136-86=50；故B正確。
【點睛】了解原子的定義和構(gòu)成：原子由原子核和核外電子構(gòu)成，其中原子核由質(zhì)子和中子構(gòu)成的；熟記規(guī)律“原子序數(shù)=核內(nèi)質(zhì)子數(shù)=原子核外電子數(shù)=核電荷數(shù)”和“質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)=質(zhì)量數(shù)”。
2.在d軌道中電子排布成，而不能排布成，其最直接的根據(jù)是（ ）
A. 能量最低原理 B. 泡利原理
C. 原子軌道構(gòu)造原理 D. 洪特規(guī)則
【答案】D
【解析】試題分析：當電子排布在同一能級的不同軌道時，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道，且自旋狀態(tài)相同，稱為洪特規(guī)則，根據(jù)圖片知，4個電子占據(jù)不同的軌道且自旋方向相同，所以其根據(jù)是洪特規(guī)則，答案選D。
考點：考查了洪特規(guī)則、泡利原理、能量最低原理的相關(guān)知識。
3.下列關(guān)于氫原子的電子云圖的描述中，正確的是 ( )
A. 電子云是一團帶負電荷的云霧
B. 每個小黑點表示一個核外電子
C. 小黑點多的區(qū)域電子多
D. 小黑點的疏密表示電子在核外單位體積內(nèi)出現(xiàn)機會的多少
【答案】D
【詳解】A．電子在原子核外的概率密度分布看起來像一團云霧，形象化地稱作電子云，不是一團帶負電荷的云霧，故A錯誤；
B．小黑點表示電子在核外空間某處出現(xiàn)的概率，不表示電子數(shù)目，故B錯誤；
C．小黑點多的區(qū)域表示電子在原子核外空間的單位體積內(nèi)電子出現(xiàn)的機會大，不是電子多，故C錯誤；
D．小黑點的疏密表示電子在核外單位體積內(nèi)出現(xiàn)機會的多少，小黑點密則出現(xiàn)的機會大，小黑點疏則出現(xiàn)的機會小，故D正確；
4.下列符號正確的是( )
A. 2d B. 3p C. 3f D. 1p
【答案】B
【詳解】任一能層能級總是從s能級開始，且能級數(shù)等于能層數(shù)；第二能層只有2s和2p兩個能級，不會出現(xiàn)d能級；第三能層有3s、3p和3d三個能級，不會出現(xiàn)f能級；第一能層只有1s能級，不會出現(xiàn)p能級，故A，C，D錯誤；B正確。
5.下列電子層中，原子軌道數(shù)目為4的是（ ）
A. K層 B. L層 C. M層 D. N層
【答案】B
【解析】試題分析：s、p、d、f含有的軌道數(shù)目分別是1、3、5、7，所以K層原子軌道的數(shù)目為1，L層原子軌道的數(shù)目為4，M層原子軌道的數(shù)目為9，N層原子軌道的數(shù)目為16，答案選B。
考點：考查原子軌道的數(shù)目的計算
點評：該題是基礎(chǔ)性試題的考查，試題注重基礎(chǔ)，難度不大。該題的關(guān)鍵是記住能級對應的軌道數(shù)目以及能層包含的能級數(shù)目，然后靈活運用即可。
6.下列軌道表示式能表示氮原子的最低能量狀態(tài)的是（ ）
A.
B.
C.
D.
【答案】B
【詳解】N原子最外層有7個電子，根據(jù)構(gòu)造原理，基態(tài)N原子的核外電子排布式為1s22s22p3，根據(jù)洪特規(guī)則可知基態(tài)原子中的電子優(yōu)先單獨占據(jù)1個軌道，且自旋方向相同，因此氮原子的最低能量狀態(tài)軌道表示式是：，答案選B。
【點睛】本題考查核外電子排布規(guī)律，注意核外電子排布規(guī)律的理解與靈活運用。關(guān)于核外電子排布需要注意以下幾個要點，即三、二、一：三個原理：核外電子排布三個原理——能量最低原理、泡利原理、洪特規(guī)則；兩個圖式：核外電子排布兩個表示方法——電子排布式、電子排布圖；一個順序：核外電子排布順序——構(gòu)造原理。
7.下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是（ ）
A. Na+： 1s22s22p6 B. F：1s22s22p5
C. O2-：1s22s22p4 D. Ar：1s22s22p63s23p6
【答案】C
【解析】試題分析：A、鈉離子的核外有10個電子，符合電子排布原理，正確；B、F原子核外有9個電子，符合電子排布原理，正確；C、氧負離子的核外有10個電子，所以2p軌道應排6個電子，錯誤；D、Ar的核外有18個電子，符合電子排布原理，正確，答案選C。
考點：考查粒子的核外電子排布
8.一個電子排布為1s22s22p63s23p1的元素最可能的價態(tài)是（ ）
A. +1 B. +2 C. +3 D. -1
【答案】C
【解析】試題分析：電子排布為1s22s22p63s23p1的元素是13號元素鋁，最外層電子數(shù)是3，則最可能的化合價是＋3價，答案選C。
考點：考查化合價判斷
9.下列微粒中，外圍電子中未成對電子數(shù)最多是（ ）
A. O B. P C. Mn D. Cr
【答案】D
【詳解】A.O的外圍電子排布式為2s22p4，2p能級上有2個未成對電子；
B．P的外圍電子排布式為3s23p3，3p能級上有3個未成對電子；
C．Mn的外圍電子排布式為3d54s2，3d能級上有5個未成對電子；
D．Cr的外圍電子排布式為3d54s1，3d能級上有5個未成對電子、4s能級上有1個未成對電子，未成對電子數(shù)是6；
比較可知Cr的外圍電子中未成對電子數(shù)最多，故選D。
10.已知某+2價離子的電子排布式為1s22s22p6，該元素在周期表中所屬的族是（ ）
A. IIA B. IIB C. VIII D. IB
【答案】A
【詳解】某+2價離子的電子排布式為1s22s22p6，該原子的電子排布式為[Ne]3s2，故為IIA族，故A正確。
11.具有下列電子排布式的原子中，半徑最大的是（ ）
A. 1s22s22p63s1 B. 1s22s22p2
C. 1s22s22p3 D. 1s22s22p63s2
【答案】A
【詳解】1s22s22p63s1為第三周期第IA族的Na，1s22s22p2為第二周期第IVA的C，1s22s22p3為第二周期第VA族的N，1s22s22p63s2為第三周期第IIA族的Mg，根據(jù)“層多徑大，序大徑小”，原子半徑由大到小的順序為Na>Mg>C>N，原子半徑最大的是A，故選A。
【點睛】本題考查了原子半徑大小的比較，先比較電子層數(shù)，再根據(jù)元素周期律判斷同一周期元素原子半徑相對大小，難度不大。
12.下列原子中，第一電離能最大的是( )
A. B B. C C. Al D. Si
【答案】B
【解析】試題分析：非金屬性越強，第一電離能越大，四種元素中碳元素的非金屬性最強，第一電離能最大，答案選B。
考點：考查電離能判斷
13.下列元素的電負性最大的是：( )
A. Na B. S C. O D. C
【答案】C
【解析】非金屬性越強，電負性越大，在四個選項中，氧元素的非金屬性最強，所以氧元素的電負性最大，因此正確的答案選C。
14.金屬具有延展性的原因是（ ）
A. 金屬原子半徑都較大，價電子數(shù)較少
B. 金屬受外力作用變形時，金屬陽離子與自由電子間仍保持較強烈的作用
C. 金屬中大量自由電子受外力作用時，運動速率加快
D. 自由電子受外力作用時能迅速傳遞能量
【答案】B
【解析】試題分析： 本題考查金屬物理性質(zhì)的通性原因。
A、金屬價電子較少，容易失去電子，是能說明有還原性，A錯誤；
B、金屬鍵存在于整個金屬中，且一般較強，難以斷裂。金屬通常采取最密集的堆積方式，鍛壓或者錘打時，金屬原子之間容易滑動，但不影響緊密的堆積方式，故有延展性，B正確；
C、金屬延展性是原子的相對滑動，而不是電子的運動，C錯誤；
D、自由電子傳遞能量，與延展性無關(guān)，可以影響金屬的導熱性，D錯誤。
考點：金屬物理性性質(zhì)通性
點評：本題相對簡單，只要掌握物理性質(zhì)通性原理，學生作答一般不會出現(xiàn)太多錯誤。
15.對Na、Mg、Al的有關(guān)性質(zhì)的敘述正確的是( )
A. 堿性：NaOH< Mg(OH)2< Al(OH)3
B. 第一電離能：Na< Mg Mg >Al
D. 熔點：Na< Mg< Al
【答案】D
【分析】同周期元素從左到右，元素的金屬性逐漸減弱，對應的最高價氧化物的水化物的堿性減弱；同周期元素從左到右，元素的非金屬性、電負性逐漸增強，第一電離能呈增大的趨勢，但Mg的3s為全充滿狀態(tài)，能量低，第一電離能較大，金屬晶體的熔點與金屬鍵強弱有關(guān)，以此解答該題。
【詳解】A．同周期元素從左到右，元素的金屬性逐漸減弱，對應的最高價氧化物的水化物的堿性減弱，金屬性：Na＞Mg＞Al，則堿性：NaOH＞Mg（OH）2＞Al（OH）3，故A錯誤；
B．同周期元素從左到右，第一電離能呈增大趨勢，但Mg的3s為全充滿狀態(tài)，能量低，第一電離能較大，第一電離能：Mg＞Al＞Na，故B錯誤；
C．同周期元素從左到右，元素的電負性逐漸增強，則電負性：Na＜Mg＜Al，故C錯誤；
D．金屬晶體中陽離子半徑越小，所帶電荷越多，則金屬鍵越強，金屬的熔點越高，離子半徑：Na+＞Mg2+＞Al3+，所帶電荷Na+＜Mg2+＜Al3+，金屬鍵強度：Na＜Mg＜Al，所以熔點：Na＜Mg＜Al，故D正確；故選D。
【點睛】本題考查同周期元素的性質(zhì)的遞變規(guī)律，題目難度不大，本題注意第一電離能的變化規(guī)律，為該題的易錯點，答題時要注意把握。
16.下例各組數(shù)值是相應元素的原子序數(shù)，其中所表示的原子能以離子鍵結(jié)合成穩(wěn)定化合物的是( )
A. 1與6 B. 2與8 C. 9與11 D. 8與14
【答案】C
【解析】一般活潑的金屬和活潑的非金屬容易形成離子鍵，根據(jù)所給的原子序數(shù)可知A、C、D形成的化合物分別是CH4、NaF、SiO2。He由于最外層已經(jīng)達到2電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以不能和氧形成化合物，故正確的答案是C。
17.下列晶體中，熔點最高的是 ( )
A. KF B. MgO C. CaO D. NaCl
【答案】B
【解析】四種晶體都是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強，熔點越高。而構(gòu)成離子鍵的離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強，所以答案是B。
18.下列各組指定的元素，不能形成AB2型化合物的是（ ）
A. 2s22p2 和2s22p4 B. 3s23p4 和2s22p4
C. 3s2和2s22p5 D. 3s1和3s23p5
【答案】D
【詳解】A．價層電子排布為2s22p2的元素為C，價層電子排布為2s22p4的元素為O，二者可形成CO2，故A不選；
B．價層電子排布為3s23p4的元素為S，價層電子排布為2s22p4的元素為O，二者可形成SO2，故B不選；
C．價層電子排布為3s2的元素為Mg，價層電子排布為2s22p5的元素為F，二者可形成MgF2，故C不選；
D．價層電子排布為3s1的元素為Na，價層電子排布為3s23p5的元素為Cl，二者可形成NaCl，故D選；
答案：D。
19.下列鹵化氫分子中鍵長最短的是（　?。?br /> A. HF B. HCl C. HBr D. HI
【答案】A
【解析】試題分析：鍵長是形成共價鍵的兩個原子之間的核間距，故鍵長大小受成鍵原子半徑大小決定，應為鹵素原子半徑:F

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