1.用一種單色光照射某金屬,產(chǎn)生光電子的最大初動(dòng)能為Ek,單位時(shí)間內(nèi)發(fā)射光電子數(shù)量為n,若增大該入射光的強(qiáng)度,則(　　)A.Ek增加,n增加B.Ek增加,n不變C.Ek不變,n不變D.Ek不變,n增加
解析 根據(jù)光電效應(yīng)方程Ek=hν-W0可知,初動(dòng)能與光的頻率有關(guān),與光照強(qiáng)度無(wú)關(guān)。光電子的最大初動(dòng)能與入射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān),其隨入射光頻率的增大而增大,大于截止頻率的光照射金屬時(shí),光電流強(qiáng)度(反映單位時(shí)間內(nèi)發(fā)射出的光電子數(shù)的多少)與入射光強(qiáng)度成正比。
2.硅光電池是利用光電效應(yīng)原理制成的器件,下列表述正確的是(　　)A.硅光電池是把電能轉(zhuǎn)化為光能的一種裝置B.逸出的光電子的最大初動(dòng)能與入射光的強(qiáng)度有關(guān)C.在頻率一定的情況下,光照強(qiáng)度越強(qiáng),飽和光電流越大D.只要有光照射到硅光電池,就一定能夠發(fā)生光電效應(yīng)
解析 硅光電池是利用光電效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)化為電能的一種裝置,故A錯(cuò)誤;光電子的最大初動(dòng)能與入射光的頻率有關(guān),隨著入射光的頻率增大而增大,與入射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān),故B錯(cuò)誤;光照強(qiáng)度越強(qiáng),逸出的光電子越多,飽和光電流越大,故C正確;只有當(dāng)入射光的頻率大于金屬的截止頻率時(shí)才能發(fā)生光電效應(yīng),故D錯(cuò)誤。
3.1887年赫茲發(fā)現(xiàn)了光電效應(yīng)現(xiàn)象;1905年愛(ài)因斯坦用光量子理論對(duì)光電效應(yīng)進(jìn)行了全面的解釋;現(xiàn)在利用光電效應(yīng)原理制成的光電器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、生活、軍事等領(lǐng)域。用圖示電路圖研究光電效應(yīng),用頻率為ν的單色光照射光電管,能發(fā)生光電效應(yīng)現(xiàn)象,則(　　)A.此電路可用于研究光電管的飽和光電流B.用頻率小于ν的單色光照射陰極K時(shí),金屬的截止頻率不同C.增加入射光的強(qiáng)度,遏止電壓U不變D.滑動(dòng)變阻器滑片P從左端緩慢向右移動(dòng)時(shí),電流表示數(shù)逐漸增大
解析 此電路研究的是光電管的遏止電壓,不可用于研究光電管的飽和光電流,A錯(cuò)誤;金屬的截止頻率只與自身有關(guān),與外界光照條件無(wú)關(guān),B錯(cuò)誤;遏止電壓的大小與入射光的頻率有關(guān),與入射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān),C正確;因光電管所加電壓為反向電壓,滑片從左向右移動(dòng),電壓變大,則射到A極的電子變少,電流變小,D錯(cuò)誤。
4.(多選)(2023山東濱州高二期中)某種金屬逸出光電子的最大初動(dòng)能Ekm與入射光頻率ν的關(guān)系如圖所示,其中ν0為極限頻率。由圖可知(　　)A.ν0,只有當(dāng)入射光的頻率大于金屬的極限頻率,即ν>ν0時(shí)才會(huì)有光電子逸出,所以ν

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高中物理人教版 (2019)選擇性必修 第三冊(cè)電子課本

2 光電效應(yīng)

版本： 人教版 (2019)

年級(jí)： 選擇性必修 第三冊(cè)

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