2024屆高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 課時(shí)跟蹤檢測（二十六）辨析比較原因類簡答題的答題規(guī)范（含答案）-試卷下載-教習(xí)網(wǎng)

課時(shí)跟蹤檢測（二十六）辨析比較原因類簡答題的答題規(guī)范[課時(shí)跟蹤檢測]1．(1)乙二胺(H2NCH2CH2NH2)能與Mg2＋、Cu2＋等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子，其原因是________________________________________________________________________。(2)一些氧化物的熔點(diǎn)如下表所示：氧化物Li2OMgOP4O6SO2熔點(diǎn)/℃1 5702 80023.8－75.5 解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因：______________________________________________________________________________________________________。 2．硅與碳位于同主族，碳的化合物中往往有碳碳雙鍵、碳碳三鍵，但是硅的化合物中只存在硅硅單鍵，其主要原因是____________________________________________________________________________________________________________。常溫常壓下，SiF4呈氣態(tài)，而SiCl4呈液態(tài)，其主要原因是____________________________________________________________________________________________。 3．(1)CO2在低壓合成甲醇的反應(yīng)(CO2＋3H2===CH3OH＋H2O)中，所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)開______________，原因是________________________________________________________________________________________________________。(2)硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4藍(lán)色溶液。氨的沸點(diǎn)________(填“高于”或“低于”)膦(PH3)，原因是___________________________________________。(3)GaF3的熔點(diǎn)高于1 000 ℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ℃，其原因是________________________________________________________________________。(4)乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是_________________________________________________________________________________________________________。 4．(1)已知Al的第一電離能為578 kJ·mol－1、Mg的第一電離能為740 kJ·mol－1，請解釋Mg的第一電離能比Al大的原因：_________________________________________________________________________________________________________________。(2)某儲氫材料是第三周期金屬元素M的氫化物，M的部分電離能如下表所示：電離能/(kJ·mol－1)I1I2I3I4I57381 4517 73310 54013 630 M是________(填元素符號)，判斷理由為_______________________________________________________________________________________________________________。(3)Na、K的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。鈉的熔點(diǎn)比鉀更高，原因是____________________________________________________________________________________________________。(4)碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是____________________________________________________________________________________。 5．(1)類鹵素(SCN)2對應(yīng)的酸有兩種，理論上硫氰酸(H—S—C≡N)的沸點(diǎn)低于異硫氰酸(H—N===C===S)的沸點(diǎn)，其原因是___________________________________________________________________________________________________________________。(2)NH3常作制冷劑，其鍵角________(填“大于”或“小于”)NH的鍵角，NH3的沸點(diǎn)高于N2沸點(diǎn)的主要原因是___________________________________________________________________________________________________________。(3)已知聯(lián)氨(N2H4)的物理性質(zhì)與水接近，其原因是_______________________________。(4)硫同族的硒元素有兩種常見的二元含氧酸，請比較它們酸性強(qiáng)弱：__________>__________(填化學(xué)式)，理由是_________________________________________________________________________________________________________________。 6．(1)氧化銅的熔點(diǎn)為1 326 ℃、沸點(diǎn)為1 800 ℃；氧化亞銅的熔點(diǎn)為1 235 ℃、沸點(diǎn)為1 100 ℃，試解釋導(dǎo)致這種差異最可能的原因：____________________________________________________________________________________________________________。(2)CO2和SiO2均是第ⅣA族元素氧化物，CO2常溫為氣態(tài)，SiO2為高熔點(diǎn)固體。請分析原因：________________________________________________________________________________________________________________________________________________。(3)常溫常壓下硼酸(H3BO3)的晶體結(jié)構(gòu)為層狀，其二維平面結(jié)構(gòu)如圖所示。B原子的雜化方式為__________雜化。從氫鍵的角度解釋硼酸在冷水中的溶解度小而加熱時(shí)溶解度增大：__________________________________________________________________________________________________。課時(shí)跟蹤檢測（二十六）辨析比較原因類簡答題的答題規(guī)范[課時(shí)跟蹤檢測]1．(1)乙二胺(H2NCH2CH2NH2)能與Mg2＋、Cu2＋等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子，其原因是________________________________________________________________________。(2)一些氧化物的熔點(diǎn)如下表所示：氧化物Li2OMgOP4O6SO2熔點(diǎn)/℃1 5702 80023.8－75.5 解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因：______________________________________________________________________________________________________。解析：(1)由于乙二胺的兩個(gè)N可提供孤電子對給金屬離子形成配位鍵，因此乙二胺能與Mg2＋、Cu2＋等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子。(2)由于Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體。晶格能MgO＞Li2O，分子間作用力(相對分子質(zhì)量)P4O6＞SO2，所以熔點(diǎn)大小順序是MgO＞Li2O＞P4O6＞SO2。答案：(1)乙二胺的兩個(gè)N提供孤電子對給金屬離子形成配位鍵　(2)Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體，晶格能MgO>Li2O，分子間作用力(相對分子質(zhì)量)P4O6>SO22．硅與碳位于同主族，碳的化合物中往往有碳碳雙鍵、碳碳三鍵，但是硅的化合物中只存在硅硅單鍵，其主要原因是____________________________________________________________________________________________________________。常溫常壓下，SiF4呈氣態(tài)，而SiCl4呈液態(tài)，其主要原因是____________________________________________________________________________________________。解析：碳碳雙鍵、碳碳三鍵都有π鍵，硅原子的半徑大于碳原子，硅原子的原子軌道肩并肩重疊程度小于碳原子，π鍵不穩(wěn)定。四氯化硅、四氟化硅都是分子構(gòu)成的物質(zhì)，組成、結(jié)構(gòu)相似，四氯化硅的相對分子質(zhì)量大于四氟化硅，故四氯化硅的分子間作用力較大，沸點(diǎn)較高。答案：硅原子半徑大于碳，硅原子的原子軌道肩并肩重疊程度小，形成的雙鍵、三鍵不穩(wěn)定　SiF4和SiCl4組成、結(jié)構(gòu)相似，SiCl4的相對分子質(zhì)量較大3．(1)CO2在低壓合成甲醇的反應(yīng)(CO2＋3H2===CH3OH＋H2O)中，所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)開______________，原因是________________________________________________________________________________________________________。(2)硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4藍(lán)色溶液。氨的沸點(diǎn)________(填“高于”或“低于”)膦(PH3)，原因是___________________________________________。(3)GaF3的熔點(diǎn)高于1 000 ℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ℃，其原因是________________________________________________________________________。(4)乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是_________________________________________________________________________________________________________。答案：(1)H2O>CH3OH>CO2>H2　H2O與CH3OH均為極性分子，水分子間含氫鍵比甲醇中多；CO2與H2均為非極性分子，CO2相對分子質(zhì)量較大，范德華力較大(2)高于　氨氣分子間可形成氫鍵(3)GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體(4)CH3COOH存在分子間氫鍵4．(1)已知Al的第一電離能為578 kJ·mol－1、Mg的第一電離能為740 kJ·mol－1，請解釋Mg的第一電離能比Al大的原因：_________________________________________________________________________________________________________________。(2)某儲氫材料是第三周期金屬元素M的氫化物，M的部分電離能如下表所示：電離能/(kJ·mol－1)I1I2I3I4I57381 4517 73310 54013 630 M是________(填元素符號)，判斷理由為_______________________________________________________________________________________________________________。(3)Na、K的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。鈉的熔點(diǎn)比鉀更高，原因是____________________________________________________________________________________________________。(4)碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是____________________________________________________________________________________。解析：(1)Mg的電子排布式為[Ne]3s2，Al的電子排布式為[Ne]3s23p1，鎂的3s處于全滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，不易失去一個(gè)電子，鋁的最外層為3p1，易失去一個(gè)電子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以Mg原子的第一電離能比Al大。(2)該元素的第三電離能比第二電離能大很多，說明最外層有2個(gè)電子，則該元素屬于第ⅡA族，為Mg元素。(3)K和Na都為金屬晶體，K和Na價(jià)電子數(shù)相同，但Na原子半徑小于K原子半徑，所以Na金屬鍵更強(qiáng)，熔點(diǎn)更高。(4)共價(jià)鍵為原子之間以共用電子對成鍵，碳原子核外有4個(gè)電子，且元素的非金屬性較弱，但半徑較小，反應(yīng)中難以失去(或得到)電子。答案：(1)Mg的電子排布式為[Ne]3s2，Al的電子排布式為[Ne]3s23p1，鎂的3s處于全滿狀態(tài)，較穩(wěn)定不易失去一個(gè)電子，鋁的最外層為3p1，易失去一個(gè)電子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)(2)Mg　該元素的第三電離能比第二電離能大很多，說明最外層有2個(gè)電子(3)電子數(shù)相同，但Na原子半徑小于K原子半徑，所以Na金屬鍵更強(qiáng)，熔點(diǎn)更高(4)C有4個(gè)價(jià)電子且半徑較小，難以通過得(或失)電子達(dá)到穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)5．(1)類鹵素(SCN)2對應(yīng)的酸有兩種，理論上硫氰酸(H—S—C≡N)的沸點(diǎn)低于異硫氰酸(H—N===C===S)的沸點(diǎn)，其原因是___________________________________________________________________________________________________________________。(2)NH3常作制冷劑，其鍵角________(填“大于”或“小于”)NH的鍵角，NH3的沸點(diǎn)高于N2沸點(diǎn)的主要原因是___________________________________________________________________________________________________________。(3)已知聯(lián)氨(N2H4)的物理性質(zhì)與水接近，其原因是_______________________________。(4)硫同族的硒元素有兩種常見的二元含氧酸，請比較它們酸性強(qiáng)弱：__________>__________(填化學(xué)式)，理由是_________________________________________________________________________________________________________________。解析：(1)由于異硫氰酸分子間可形成氫鍵，而硫氰酸分子間不能形成氫鍵，所以硫氰酸(H—S—C≡N)的沸點(diǎn)低于異硫氰酸。(2)孤電子對與成鍵電子對間的排斥力大于成鍵電子對與成鍵電子對間的排斥力，NH3分子中存在孤電子對，使得鍵角小于NH的鍵角，NH3分子間存在氫鍵，使得氨氣的沸點(diǎn)高于N2沸點(diǎn)。(3)聯(lián)氨(N2H4)的分子中的氮原子可與氫原子形成氫鍵，并且分子間氫鍵數(shù)目較多，水分子間氧原子與氫原子也能形成氫鍵，則聯(lián)氨(N2H4)的物理性質(zhì)與水接近。(4)與硫同族的硒元素有兩種常見的二元含氧酸，分別為H2SeO4和H2SeO3，因?yàn)镠2SeO4中非羥基氧數(shù)目比H2SeO3多，導(dǎo)致H2SeO4中Se元素的正電性更高，對羥基中共用電子對的吸引能力更強(qiáng)，使得羥基氫更易電離。答案：(1)異硫氰酸中H—N鍵極性強(qiáng)，分子間存在氫鍵，而硫氰酸分子間只存在分子間作用力，所以異硫氰酸的沸點(diǎn)高于硫氰酸(2)小于　NH3分子間有氫鍵，N2分子間無氫鍵，氫鍵使NH3的沸點(diǎn)更高(3)聯(lián)氨分子間能形成較多氫鍵(4)H2SeO4　H2SeO3　因?yàn)镠2SeO4中非羥基氧數(shù)目比H2SeO3多，導(dǎo)致H2SeO4中Se元素的正電性更高，對羥基中共用電子對的吸引能力更強(qiáng)，使得羥基氫更易電離6．(1)氧化銅的熔點(diǎn)為1 326 ℃、沸點(diǎn)為1 800 ℃；氧化亞銅的熔點(diǎn)為1 235 ℃、沸點(diǎn)為1 100 ℃，試解釋導(dǎo)致這種差異最可能的原因：____________________________________________________________________________________________________________。(2)CO2和SiO2均是第ⅣA族元素氧化物，CO2常溫為氣態(tài)，SiO2為高熔點(diǎn)固體。請分析原因：________________________________________________________________________________________________________________________________________________。(3)常溫常壓下硼酸(H3BO3)的晶體結(jié)構(gòu)為層狀，其二維平面結(jié)構(gòu)如圖所示。B原子的雜化方式為__________雜化。從氫鍵的角度解釋硼酸在冷水中的溶解度小而加熱時(shí)溶解度增大：__________________________________________________________________________________________________。解析：(1)兩種銅的氧化物均屬于離子晶體，CuO中的銅離子帶兩個(gè)單位的正電荷而Cu2O中的銅離子只帶一個(gè)單位的正電荷，CuO中的離子鍵強(qiáng)于Cu2O中的離子鍵，從而導(dǎo)致其熔點(diǎn)較高。(2)二者結(jié)構(gòu)不同，CO2是分子晶體，SiO2是共價(jià)晶體，CO2熔化要克服分子間作用力，SiO2熔化要克服共價(jià)鍵，共價(jià)鍵比分子間作用力強(qiáng)，所以SiO2的熔點(diǎn)比CO2高。(3)由圖可知，硼酸中每個(gè)B原子與O原子形成3個(gè)σ鍵，即B原子有3個(gè)成鍵軌道，且沒有孤電子對，故為sp2雜化，加熱時(shí)，硼酸的溶解度增大，可分析出，升溫時(shí)硼酸分子中的部分氫鍵被破壞。答案：(1)CuO中的銅離子帶兩個(gè)單位的正電荷而Cu2O中的銅離子只帶一個(gè)單位的正電荷，CuO中的離子鍵強(qiáng)于Cu2O中的離子鍵(2)兩者的結(jié)構(gòu)不同，SiO2為共價(jià)晶體，CO2是分子晶體，CO2熔化要克服分子間作用力，SiO2熔化要克服共價(jià)鍵(3)sp2　硼酸分子間通過氫鍵締合，加熱時(shí)，部分氫鍵被破壞

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