
第二課時(shí) 構(gòu)造原理與電子排布式
基礎(chǔ)達(dá)標(biāo)
1.觀察1s軌道電子云示意圖,判斷下列說(shuō)法正確的是( )
A.一個(gè)小黑點(diǎn)表示1個(gè)自由運(yùn)動(dòng)的電子
B.1s軌道的電子云為圓形
C.電子在1s軌道上運(yùn)動(dòng)像地球圍繞太陽(yáng)旋轉(zhuǎn)
D.1s軌道電子云的點(diǎn)的疏密表示電子在某一位置出現(xiàn)概率的大小
2.下列關(guān)于電子云的說(shuō)法中,正確的是( )
A.電子云表示電子在原子核外運(yùn)動(dòng)的軌跡
B.電子云表示電子在核外單位體積的空間出現(xiàn)的機(jī)會(huì)的多少
C.電子云界面圖中的小點(diǎn)越密表示該核外空間的電子越多
D.電子云可表示電子在核外運(yùn)動(dòng)的方向
3.“各能級(jí)最多容納的電子數(shù)是該能級(jí)原子軌道數(shù)的兩倍”支撐這一結(jié)論的理論是( )
A.構(gòu)造原理 B.泡利原理 C.洪特規(guī)則 D.能量最低原理
4.某原子核外電子排布為ns2np7,它違背了( )
A.能量最低原理 B.泡利不相容原理 C.洪特規(guī)則 D.洪特規(guī)則特例
5.在d軌道中電子排布成,而不排布成,遵循的是( )
A.能量最低原理 B.泡利原理 C.原子軌道構(gòu)造原理 D.洪特規(guī)則
6.下列離子中d軌道達(dá)半充滿狀態(tài)的是( )
A. Cr3+ B. Cu+ C. C3+ D.Fe3+
7.如圖所示是s能級(jí)和p能級(jí)的電子云輪廓圖,試回答下列問(wèn)題。
(1)s電子云輪廓圖呈 形,每個(gè)s能級(jí)有 個(gè)原子軌道;p電子云輪廓圖呈
形,每個(gè)p能級(jí)有 個(gè)原子軌道,其能量關(guān)系為
(2)元素X的原子最外層電子排布式為nsnnpn+1,原子中能量最高的是 電子,其電子云在空間 的方向伸展;元素X的名稱(chēng)是 ,它的氣態(tài)氫化物的電子式是 。若元素Y的原子最外層電子排布式為nsn-1npn+1,那么Y的元素符號(hào)應(yīng)為 ,原子的電子排布圖為 。
能力提升
8.下列說(shuō)法中正確的是( )
A.同一原子中,1s、2s、3s上的電子的能量逐漸減小
B.3p2表示3p能級(jí)有兩個(gè)軌道
C.K、L、M、N能層的能級(jí)數(shù)分別為1、2、3、4
D.同一原子中,2p、3p、4p能級(jí)的軌道數(shù)依次增多
9.下列說(shuō)法正確的是( )
A.因?yàn)閜軌道是“8”字形的,所以p電子是“8”字形
B.能層數(shù)為3時(shí),有3s、3p、3d、3f四個(gè)軌道
C.氫原子中只有一個(gè)電子,故氫原子只有一個(gè)軌道
D.原子軌道與電子云都是用來(lái)形象描述電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的
10.在短周期元素中,元素的基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)等于能層數(shù)的元素有a種,
元素的基態(tài)原子最外層電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)2倍的元素有b種,則a:b的值為( )
A.1 B.2 C.3 D.4
11.(1)以下列出的是一些原子的2p能級(jí)和3d能級(jí)中電子排布的情況。試判斷,哪些違反了泡利原理? 哪些違反了洪特規(guī)則?
(2)某元素的激發(fā)態(tài)(不穩(wěn)定狀態(tài))原子的電子排布式為1s22s22p63s13p33d2,則該元素基態(tài)原子的電子排布式為 其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的化學(xué)式是
(3)將下列多電子原子的原子軌道按軌道能量由低到高順序排列。
①2s ②3d ③4s ④3s ⑤4p ⑥3p
軌道能量由低到高排列順序是 (填序號(hào))
直擊高考
12.具有如下電子層結(jié)構(gòu)的原子,其相應(yīng)元素一定屬于同一主族的是( )
A.3p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子的原子和4p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子的原子
B.3p軌道上只有1個(gè)空軌道的原子和4p軌道上只有1個(gè)空軌道的原子
C.最外層電子排布式為1s2的原子和最外層電子排布式為2s22p6的原子
D.最外層電子排布式為1s2的原子和最外層電子排布式為2s2的原子
13.已知A原子中只含1個(gè)電子;B原子的3p軌道上得到個(gè)電子后不能容納外來(lái)電子;C原子的2p軌道上有1個(gè)電子的自旋方向與其他電子的自旋方向相反;D原子的第三能層上有8個(gè)電子,第四能層上只有1個(gè)電子;E原子的最外層電子排布式為3s23p6。
(1)按要求書(shū)寫(xiě)下列圖式
①B原子的結(jié)構(gòu)示意圖:
②C原子的電子排布圖:
③D原子的核外電子排布式:
(2)寫(xiě)出由上述元素組成的物質(zhì)制得A的單質(zhì)的化學(xué)方程式:
(至少寫(xiě)出2個(gè))。
(3)要證明太陽(yáng)光中含有E元素,可采用的方法是
這是一份高中人教版 (2019)第二節(jié) 分子晶體與共價(jià)晶體精品課時(shí)作業(yè),共5頁(yè)。試卷主要包含了下列說(shuō)法正確的是,耐高溫高硬度的氮化硅制備反應(yīng)為,是阿伏加德羅常數(shù)的值等內(nèi)容,歡迎下載使用。
這是一份人教版 (2019)選擇性必修2第一節(jié) 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與晶體的常識(shí)精品課后復(fù)習(xí)題,共7頁(yè)。試卷主要包含了硅烷SiH4可用于制造高純硅,已知等內(nèi)容,歡迎下載使用。
這是一份人教版 (2019)選擇性必修2第一節(jié) 原子結(jié)構(gòu)優(yōu)秀課后作業(yè)題,共8頁(yè)。
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