?2020_2021學(xué)年高二選擇性必修二（人教版2019）期末復(fù)習(xí)培優(yōu)與提升（十）


一、單選題
1．具有下列電子層結(jié)構(gòu)的原子或離子，其對(duì)應(yīng)元素一定屬于同一周期的是
A．兩原子核外全部都是s電子
B．最外層電子排布為3s23p6的原子和最外層電子排布為3s23p6的離子
C．原子核外M層上的s、p能級(jí)都充滿電子，而3d能級(jí)上沒有電子的兩種原子
D．3p能級(jí)上只有一個(gè)空軌道的原子和3p能級(jí)上只有一個(gè)未成對(duì)電子的原子
2．干冰氣化時(shí)，下列各項(xiàng)中發(fā)生變化的是
A．分子間化學(xué)鍵 B．分子間距離 C．分子構(gòu)型 D．分子大小
3．下列說法正確的是(　　)
A．s電子云是在空間各個(gè)方向上伸展程度相同的對(duì)稱形狀
B．p電子云是平面“8”字形的
C．2p能級(jí)有一個(gè)未成對(duì)電子的基態(tài)原子的電子排布式一定為1s22s22p5
D．2d能級(jí)包含5個(gè)原子軌道，最多容納10個(gè)電子
4．下列各組微粒的空間構(gòu)型和中心原子雜化方式均相同的是（ ）
①NH3和H2O②NH4+和H3O+③NH3和H3O+④O3和SO2⑤CO2和BeCl2⑥CO32-和SO42-⑦BF3和Al2Cl6
A．全部
B．④⑥⑦
C．③④⑤
D．②⑤⑥
5．已知鋇的某種同位素是，由學(xué)過的知識(shí)無法推斷出的信息是
A．鋇元素的相對(duì)原子質(zhì)量 B．鋇元素在周期表中的位置
C．鋇原子的核電荷數(shù) D．鋇原子的核外電子排布
6．下列說法中正確的是（ ）
A．HF、HCl、、的穩(wěn)定性依次增強(qiáng)
B．按Mg、Si、N、F的順序，原子半徑由小變大
C．某主族元素的電離能數(shù)據(jù)如下表所示單位：，可推測該元素位于元素周期表第ⅤA族
I
I
I
I
I
I
I
578








D．在①P、S，②、Ca，③、Si三組元素中，每組中第一電離能較大的元素的原子序數(shù)之和為41
7．下列敘述錯(cuò)誤的是（ ）
A．分子中有鍵
B．的中心原子是雜化
C．HCl和HI化學(xué)鍵的類型和分子的極性都相同
D．價(jià)電子構(gòu)型為的粒子其基態(tài)原子軌道表示式為：
8．下列各組晶體中化學(xué)鍵類型和晶體類型均相同的是( )
A．二氧化硅和二氧化碳 B．金剛石和石墨
C．氯化鈉和過氧化鈉 D．溴和白磷
9．下列說法不正確的是
A．同一原子中， ls、2s、3s電子的能量逐漸增多
B．同一原子中，2p、3p、4p能級(jí)的軌道數(shù)依次增多
C．任一原子的p能級(jí)電子云輪廓圖形狀均呈啞鈴形
D．任一能層的能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù)
10．下列有關(guān)共價(jià)鍵和鍵參數(shù)的說法不正確的是
A．一個(gè)丙烯（C3H6）分子中含有8個(gè)σ 鍵和1個(gè)π 鍵
B．碳碳雙鍵比碳碳單鍵鍵能更大，故碳碳雙鍵更穩(wěn)定
C．C-H鍵比Si-H鍵鍵長更短，故CH4比SiH4更穩(wěn)定
D．由于孤電子對(duì)的存在，H2O分子的鍵角小于109°28′
11．下列說法不正確的是
A．M 能層中的原子軌道數(shù)目為 9
B．各原子軌道的伸展方向種數(shù)按p、d、f的順序分別為3、5、7
C．sp 2 雜化表示 s 軌道的 1 個(gè)電子和 p 軌道的 2 個(gè)電子進(jìn)行雜化
D．氫原子光譜為線狀光譜
12．下列說法中錯(cuò)誤的是（ ）

A．從 CH4、為正四面體結(jié)構(gòu)，可推測 也為正四面體結(jié)構(gòu)
B．1 mol 金剛石晶體中，平均含有 2 mol C—C 鍵
C．堿金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)從 Li 到 Cs 逐漸減小
D．某氣態(tài)團(tuán)簇分子結(jié)構(gòu)如圖所示，該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為 EF 或 FE
13．環(huán)戊二烯可用于制備二茂鐵[Fe(C5H5)2]；二茂鐵分子是一種金屬有機(jī)配合物，結(jié)構(gòu)如圖所示，是燃料油的添加劑，用以提高燃燒的效率和去煙，可作為導(dǎo)彈和衛(wèi)星的涂料等。下列說法正確的是

A．1mol環(huán)戊二烯()中含有5NA σ鍵
B．二茂鐵分子中存在配位鍵
C．環(huán)戊二烯分子中所有原子共平面
D．Fe2+的價(jià)電子排布式為3d44s2
14．關(guān)于元素周期表的說法正確的是
A．元素周期表有8個(gè)主族 B．ⅠA族的元素全部是金屬元素
C．元素周期表有7個(gè)周期 D．0族原子的最外層電子數(shù)均為8
15．下面由原子構(gòu)成的物質(zhì)是（ ）
A．氯化鈉 B．鐵 C．水 D．二氧化碳
16．下列表達(dá)正確的是（　?。?br /> A．Cu+： B．NH4Cl的電子式：
C．As的簡化電子排布式：[Ar] D．中子數(shù)為6，質(zhì)子數(shù)為7的核素：


二、填空題
17．Q、X、Y、Z、W 五種元素的原子序數(shù)依次遞增，W 為第四周期元素，其余均為短周期主族元素，已知：
①Q(mào)原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2 倍
②Y、Z同主族，Y原子價(jià)電子排布圖為；
③W元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對(duì)電子，只有一個(gè)未成對(duì)電子。
請(qǐng)回答下列問題：
（1）基態(tài)Q 原子中，電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有_____種，電子占據(jù)的最高能級(jí)符號(hào)為_____，該能級(jí)含有的軌道數(shù)為________
（2）W的元素名稱為_____，其基態(tài)原子的電子排布式為________
（3）具有相同價(jià)電子數(shù)和相同原子數(shù)的分子或離子具有相同的結(jié)構(gòu)特征，這一原理稱為“等電子原理”，五種元素中電負(fù)性最強(qiáng)的非金屬元素形成的一種單質(zhì)A 與Y、Z 形成的化合物B 是等電子體物質(zhì)，A、B分子式分別為______、_______。
（4）Q、X、Y三種元素的第一電離能數(shù)值最大的是_____(用元素符號(hào)作答)，原因是______________________________
18．A+、B―、C、D四種微粒中均有氫原子，且電子總數(shù)均為10個(gè)。溶液中的A+和B―在加熱時(shí)相互反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為C和D。則A+是______，B―是_______。

三、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
19．硫酸是重要的化工原料，我國主要采用接觸法生產(chǎn)硫酸，主要過程如下：
FeS2 SO2 SO3 H2SO4
回答下列問題：
（1）基態(tài)V原子的電子排布式為________，基態(tài)Fe原子核外未成對(duì)電子數(shù)為______。
（2）組成H2SO4的元素中，電負(fù)性由大到小的順序是________，SO2分子的VSEPR模型為________。
（3）固態(tài)SO3能以無限長鏈形式存在（如圖所示）。其中S原子的雜化形式為______。長鏈結(jié)構(gòu)中，連接2個(gè)S原子的O原子稱為橋氧，連接1個(gè)S原子的O原子稱為端基氧，則與S原子形成化學(xué)鍵鍵長更大的是________（填“橋氧”或“端基氧”），原因是______________。

（4）綠礬是一種重要的硫酸鹽，其組成可寫成?[Fe(H2O)6]2+[SO4(H2O)]2-，水合陰離子中H2O通過氫鍵與SO42-?中的O原子相聯(lián)結(jié)，按圖示畫出含氫鍵的水合陰離子：______________。

（5）一種含F(xiàn)e、Cu、S三種元素的礦物晶胞如圖所示，屬于四方晶系（晶胞底面為正方形）。S2-的配位數(shù)為______。若晶胞的底面邊長為a pm，高為b pm，晶體密度為ρ g/cm3，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為____________（寫出表達(dá)式）。

20．（化學(xué)一選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）
某原料經(jīng)測定主要含有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，其相關(guān)信息如下：
元素
元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)
A
周期表中原子半徑最小的元素
B
原子核外有三種不同的能級(jí)且各個(gè)能級(jí)所填充的電子數(shù)相同
C
最外層p軌道半充滿
D
位于短周期，其原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍
E
位于ds區(qū)且原子的最外層電子數(shù)與A的相同
請(qǐng)回答下列問題(用A、B、C、D、E所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)作答)：
(1) B、C、D第一電離能由大到小的順序?yàn)開____。
(2) E的二價(jià)離子的電子排布式為_____。
(3) A2B2D4常用作除銹劑，該分子中B的雜化方式為_____；1 mol A2B2D4分子中含有σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_____。
(4) 與化合物BD互為等電子體的陰離子的化學(xué)式為_____(任寫一種)。
(5) B2A6、C2A4分子中均含有18個(gè)電子，它們的沸點(diǎn)相差較大，主要原因是___。
(6) 一種E和金（Au）形成的合金晶體具有面心立方最密堆積結(jié)構(gòu)，其晶胞中E原子處于面心，Au原子處于頂點(diǎn)，則該合金中E原子與Au原子的個(gè)數(shù)之比為___；若相臨兩個(gè)Au原子的最短距離為a厘米，則該合金的密度為_____g/cm3。又知上述晶體具有儲(chǔ)氫功能，氫原子可進(jìn)入到由E原子與Au原子構(gòu)成的四面體空隙中。若將E原子與Au原子等同看待，該晶體儲(chǔ)氫后的晶胞結(jié)構(gòu)與CaF2(見圖)的結(jié)構(gòu)相似，該晶體儲(chǔ)氫后的化學(xué)式應(yīng)為_____。


四、原理綜合題
21．(1)下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，電離最外層一個(gè)電子所需能量最小的是_______(填標(biāo)號(hào))。
A． B．
C． D．
(2)抗壞血酸的分子結(jié)構(gòu)如圖所示，分子中碳原子的軌道雜化類型為______；推測抗壞血酸在水中的溶解性：_______（填“難溶于水”或“易溶于水”）。

(3)下表列有三種物質(zhì)(晶體)的熔點(diǎn)：
物質(zhì)
SiO2
SiCl4
SiF4
熔點(diǎn)℃
1710
-70.4
-90.2
簡要解釋熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的原因：_______。
(4)磷化硼(BP)是一種超硬耐磨涂層材料，如圖為其晶胞，晶胞邊長為anm。則硼原子與磷原子最近的距離為_______。用Mg·mol-1表示磷化硼的摩爾質(zhì)量，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則磷化硼晶體的密度為_______g·cm-3。

以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，例如圖中原子1的坐標(biāo)為(，，0)，則原子2和3的坐標(biāo)分別為_______、______。

參考答案
1．D
【詳解】
A.氫原子和鋰原子都只有s電子但不在同一周期，A錯(cuò)誤；
B.最外層電子排布為3s23p6的微?？赡苁窃踊螂x子，其核外電子數(shù)相等，但質(zhì)子數(shù)可以不同，例如Ar和K+，兩者對(duì)應(yīng)元素不在同一周期，B錯(cuò)誤；
C.原子核外M層上的s、p能級(jí)都充滿電子，而3d能級(jí)上沒有電子的兩種原子，這里M層可能是最外層，則該原子為Ar，若M為次外層，該原子可能是K，兩者不在同一周期，C錯(cuò)誤；
D.3p能級(jí)上只有一個(gè)空軌道的原子，根據(jù)洪特規(guī)則可知該軌道電子為3p2，該原子可推知為Si，3p能級(jí)上只有一個(gè)未成對(duì)電子的原子，根據(jù)洪特規(guī)則可知該軌道電子為3p5，該原子可推知為Cl，兩者處于同一周期，D正確。


故答案選D。
2．B
【詳解】
干冰氣化時(shí)，由固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，分子間作用力被破壞，而分子間作用力屬于范德華力，不是化學(xué)鍵；氣化過程中，分子間的距離發(fā)生改變，但分子的大小和分子的構(gòu)型并未改變，
故選B。
【點(diǎn)睛】
干冰氣化的過程不是化學(xué)反應(yīng)，化學(xué)鍵沒有破壞。
3．A
【分析】
A.s電子云是球形；?
B.p電子云是啞鈴形,為立體結(jié)構(gòu)；

C. 2p能級(jí)有一個(gè)未成對(duì)電子,則2p能級(jí)可能只有1個(gè)電子；?
D.從第三電子層開始出現(xiàn)d能級(jí)。
【詳解】
A.s電子云是球形,所以在空間各個(gè)方向上延展程度相同球形,故A正確；?
B.p電子云是啞鈴形,為立體結(jié)構(gòu)，“8”字形是平面結(jié)構(gòu),故B錯(cuò)誤；?
C. 2p能級(jí)有一個(gè)未成對(duì)電子,則2p能級(jí)可能只有1個(gè)電子，所以基態(tài)原子的電子排布式也可能為1s22s22p1，故C錯(cuò)誤；?
D.從第三電子層開始出現(xiàn)d能級(jí),即沒有2d能級(jí),d能級(jí)包含5個(gè)原子軌道,最多容納10個(gè)電子,故D錯(cuò)誤；?
綜上所述，本題選A。
4．C
【詳解】
①NH3中心原子為sp3雜化，有一對(duì)孤對(duì)電子，為三角錐形；H2O分子中心原子為sp3雜化，有2對(duì)孤對(duì)電子，為V形，故①不符合題意；
②NH4+中心原子為sp3雜化，不含孤對(duì)電子，為正四面體構(gòu)型；H3O+中心原子為sp3雜化，有一對(duì)孤對(duì)電子，為三角錐形，故②不符合題意；
③NH3中心原子為sp3雜化，有一對(duì)孤對(duì)電子，為三角錐形；H3O+中心原子為sp3雜化，有一對(duì)孤對(duì)電子，為三角錐形，故③符合題意；
④O3和SO2原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)相同，互為等電子體，具有相同的空間構(gòu)型和雜化方式，故④符合題意；
⑤CO2和BeCl2原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)相同，互為等電子體，具有相同的空間構(gòu)型和雜化方式，故⑤符合題意；
⑥CO32-和SO42-原子總數(shù)不相，價(jià)電子總數(shù)不同，空間構(gòu)型不同，故⑥不符合題意；
⑦BF3中B原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，為sp2雜化，Al2Cl6中Al原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，為sp3雜化，故⑦不符合題意；
故答案為C。
【點(diǎn)睛】
判斷兩種分子或離子雜化方式、空間構(gòu)型是否相同，可以根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論分別判斷各微粒的雜化方式、空間構(gòu)型；也可以根據(jù)等電子體原理判斷，原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)相同的分子或離子互為等電子體，等電子體具有相似的化學(xué)鍵特征、結(jié)構(gòu)特征。
5．A
【分析】
在表示原子組成時(shí)元素符號(hào)的左下角表示質(zhì)子數(shù)，左上角表示質(zhì)量數(shù)；質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)之和是質(zhì)量數(shù)，則根據(jù)可知Ba的原子序數(shù)是56，質(zhì)量數(shù)是130，中子數(shù)=130－56=74。
【詳解】
A.鋇有多種同位素，則不能只根據(jù)該同位素計(jì)算鋇元素的相對(duì)原子質(zhì)量，A錯(cuò)誤；
B.質(zhì)子數(shù)為56，則鋇原子核外電子數(shù)為56，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律，鋇原子核外K、L、M、N、O、P層依次排有2、8、18、18、8、2個(gè)電子，鋇元素在元素周期表中的位置為第6周期第IIA族，B正確；
C.質(zhì)子數(shù)=核電荷數(shù)=56，C正確；
D.鋇原子核外電子數(shù)是56，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律，鋇原子核外K、L、M、N、O、P層依次排有2、8、18、18、8、2個(gè)電子，D正確；
答案選A。
6．D
【詳解】
A．F、Cl位于同一主族，同主族從上到下，非金屬性減弱，非金屬性：F>Cl，P、S、Cl位于同一周期，同周期非金屬性增強(qiáng)，非金屬性：P＜S＜Cl，則非金屬性F＞Cl＞S＞P，HF、HCl、H2S、PH3的穩(wěn)定性依次減弱，故A錯(cuò)誤；
B．Mg、Si位于同一周期，同周期從左到右原子半徑逐漸減小，Mg>Si，N、F位于同一周期，同周期從左到右原子半徑逐漸減小，N>F ，Mg、Si位于N、F的下一周期故半徑Mg＞Si＞N＞F，原子半徑是由大到小，故B錯(cuò)誤；
C．表中電離能數(shù)據(jù)可知，突變?cè)诘?，其常見化合價(jià)為+3價(jià)，故C錯(cuò)誤；
D．同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族，第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，同一主族元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而減小，①P,S中第一電離能較大的是P，②Mg，Ca中第一電離能較大的是Mg，③、Si中第一電離能較大的是Si，電離能較大的分別為P、Mg、Si，原子序數(shù)之和為，故D正確；
答案選D。
7．D
【詳解】
A．乙烯分子中兩個(gè)C原子之間形成碳碳雙鍵，為一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵，故A正確；
B．甲烷分子中心碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，為sp3雜化，故B正確；
C．HCl和HI中的共價(jià)鍵均為極性共價(jià)鍵，且均為極性分子，故C正確；
D．根據(jù)洪特規(guī)則，電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋方向相同，所以價(jià)電子構(gòu)型為3s23p4的粒子的基態(tài)原子軌道表示式為，故D錯(cuò)誤；
故答案為D。
8．D
【解析】
【詳解】
A．二氧化硅是原子晶體，存在共價(jià)鍵，二氧化碳是分子晶體，分子內(nèi)為共價(jià)鍵，分子間為范德華力，二者晶體類型和化學(xué)鍵類型不同，A項(xiàng)不符合題意；
B．金剛石是原子晶體，存在共價(jià)鍵，石墨為層狀晶體，層內(nèi)是共價(jià)鍵，層間是范德華力，屬混合晶體，二者化學(xué)鍵類型和晶體類型不同，B項(xiàng)不符合題意；
C．氯化鈉是離子晶體，存在離子鍵，過氧化鈉為離子晶體，但既存在離子鍵，也存在共價(jià)鍵，二者化學(xué)鍵類型不相同，C項(xiàng)不符合題意；
D．溴是分子晶體，白磷是分子晶體，均存在共價(jià)鍵。二者化學(xué)鍵類型和晶體類型均相同，D項(xiàng)符合題意；
本題答案選D。
【點(diǎn)睛】
考查化學(xué)鍵類型和晶體類型的判斷，分清原子晶體，分子晶體，離子晶體等常見晶體的化學(xué)鍵是解答的關(guān)鍵。
9．B
【詳解】
A．同一原子中，ls、2s、3s電子的能量逐漸增多，選項(xiàng)A正確；
B．不同電子層中p軌道均為3個(gè)，則同一原子中，2p、3p、4p能級(jí)的軌道數(shù)相同，選項(xiàng)B不正確；
C．任一原子的p能級(jí)電子云輪廓圖形狀均呈啞鈴形，選項(xiàng)C正確；
D．任一能層的能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù)，選項(xiàng)D正確。
答案選B。
10．B
【解析】
【詳解】
A、丙烯的結(jié)構(gòu)簡式為CH2=CHCH3，成鍵原子之間只能形成一個(gè)σ鍵，因此丙烯中含有8個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，故A說法正確；B、碳碳雙鍵中有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵，π鍵不穩(wěn)定，容易斷裂，故B說法錯(cuò)誤；C、C的半徑小于Si，因此C－H鍵長比Si－H鍵長短，因此CH4比SiH4穩(wěn)定，故C說法正確；D、中心原子O含有孤電子對(duì)數(shù)為(6－2)/2=2，孤電子對(duì)之間的斥力>孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的斥力>成鍵電子對(duì)之間的斥力，因此H2O分子中鍵角小于109°28′，故D說法正確。
11．C
【詳解】
A．M能層中有1個(gè)s軌道、3個(gè)p軌道、5個(gè)d軌道，共9個(gè)軌道，A正確；
B．各原子軌道的伸展方向數(shù)按s、p、d、f的順序分別為1、3、5、7，s軌道為球形，p軌道為啞鈴形，B正確；
C．sp2雜化軌道是指同一電子層內(nèi)，1個(gè)s軌道和2個(gè)p軌道雜化，形成能量相等的三個(gè)sp2雜化軌道，C錯(cuò)誤；
D．原子光譜都是線狀光譜，則氫原子光譜為線狀光譜，D正確；
綜上所述答案為C。
12．D
【詳解】
A．分別是等的等電子體，所以根據(jù)等電子原理可知，這兩種離子均為正四面體結(jié)構(gòu)，故A項(xiàng)正確；
B．金剛石晶體中，每個(gè)C原子與其它4個(gè)C原子形成共價(jià)鍵，且每2個(gè)C原子形成1個(gè)共價(jià)鍵，則1mol金剛石晶體中，平均含有4mol×=2mol的C-C鍵，故B項(xiàng)正確；
C．堿金屬的溶沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)的增大而減小，Li的原子序數(shù)比Cs大，故C項(xiàng)正確；
D．由圖中的分子模型可以得出，團(tuán)簇分子中含有4個(gè)E、4個(gè)F原子，分子式應(yīng)為E4F4或F4E4，故D項(xiàng)錯(cuò)誤；
故選D。
13．B
【詳解】
A．環(huán)戊二烯中有3個(gè)碳碳單鍵為σ鍵，2個(gè)碳碳雙鍵中有2個(gè)σ鍵，此外還有6個(gè)碳?xì)鋯捂I為σ鍵，所以1 mol環(huán)戊二烯中含有11mol σ鍵，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；
B．Fe2+含有空軌道，環(huán)戊二烯離子(C5H5-)含孤電子對(duì)，所以二茂鐵中Fe2+與環(huán)戊二烯離子(C5H5-)之間的化學(xué)鍵類型是配位鍵，選項(xiàng)B正確；
C．環(huán)戊二烯中有飽和碳原子，與飽和碳原子相連的4個(gè)原子形成四面體結(jié)構(gòu)，不可能所有原子共面，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；
D．Fe2+由Fe原子失去最外層二個(gè)電子形成，價(jià)電子排布式為3d6，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；
答案選B。
14．C
【詳解】
A．元素周期表有7個(gè)主族，故A錯(cuò)誤；
B．ⅠA族的元素除H元素外都是金屬元素，故B錯(cuò)誤；
C．元素周期表有7個(gè)周期，故C正確；
D．0族元素除He原子最外層電子數(shù)為2外，其余原子的最外層電子數(shù)均為8，故D錯(cuò)誤；
故答案為C。
15．B
【詳解】
A. 氯化鈉由氯離子和鈉離子構(gòu)成，故A錯(cuò)誤；
B. 鐵單質(zhì)是由鐵原子構(gòu)成，故B正確；
C. 水是由H2O分子構(gòu)成的，故C錯(cuò)誤；
D. 二氧化碳是由CO2構(gòu)成的，故D錯(cuò)誤；
故答案為B。
16．D
【詳解】
A．銅為29號(hào)元素，則其正確的電子排布式為：1s22s22p63s23p63d10，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；B．氯化銨的電子式中，必須標(biāo)出氯離子的最外層電子，氯化銨正確的電子式為：，選項(xiàng)B錯(cuò)誤；C、As的原子序數(shù)為33，屬于主族元素，由構(gòu)造原理可知電子排布為1s22s22p63s23p63d104s24p3，所以As原子的簡化電子排布式為：[Ar]3d104s24p3，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；D、中子數(shù)為6，質(zhì)子數(shù)為7的核素為：，選項(xiàng)D正確；答案選D。
17． .6 2p 3 銅元素 [Ar]3d104s1 O3 SO2 N 非金屬性越強(qiáng)，第一電離能越大，但由于N原子2p軌道電子半充滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，比O原子更難失去電子，N原子的第一電離能最大
【解析】Q原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍，即Q為C，根據(jù)Y的價(jià)電子排布圖，推出Y為O，Y和Z屬于同主族，則Z為S，W元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對(duì)電子，只有一個(gè)未成對(duì)電子，即W為Cu，原子序數(shù)依次增大，則X為N，（1）考查電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、能級(jí)、原子軌道，Q為C，核外有6個(gè)電子，即核外有6種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，電子占據(jù)的最高能級(jí)符號(hào)是2p，p能級(jí)有3個(gè)原子軌道；（2）考查電子排布式的書寫，W為銅元素，電子排布式為 [Ar]3d104s1或1s22s22p63s23p63d104s1；（3）考查等電子體，五種元素種電負(fù)性最強(qiáng)的元素是O，O形成的單質(zhì)為O2、O3，Y和Z形成的化合物是SO2、SO3，O3和SO2互為等電子體，因此A為O3，B為SO2；（4）同周期從左向右，第一電離能增大，但I(xiàn)IA>IIIA，VA>VIA，因此有N>O>C，原因是：非金屬性越強(qiáng)，第一電離能越大，但由于N原子2p軌道電子半充滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，比O原子更難失去電子，N原子的第一電離能最大。
18． NH4+ OH-
【解析】分析：電子總數(shù)為10個(gè)的粒子一般在氖原子附近尋找，然后跟氫元素搭配，把含10電子的元素都一一寫出來，然后帶入題目，結(jié)合溶液中的A+和B―在加熱時(shí)相互反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為C和D，此反應(yīng)應(yīng)為NH4+?+OH-?=NH3?+H2O,不難得出上述答案。
詳解： A+、B―、C、D四種微粒中均有氫原子，且電子總數(shù)均為10個(gè)。溶液中的A+和B―在加熱時(shí)相互反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為C和D，根據(jù)此信息可知，NH4+?、OH-均為10電子的陰陽離子，二者混合后加熱反應(yīng)：NH4++OH-?=NH3↑+H2O，生成10電子的分子NH3?和H2O，因此A+是NH4+，B―是OH-。正確答案：NH4+ ；OH-。
點(diǎn)睛：10電子的微粒：原子：Ne；分子：CH4 、NH3 、H2O 、HF ；離子：NH4+?、OH-、H3O+；掌握這些常見離子，易于問題的解決。
19．[Ar]3d34s2 4 O＞S＞H 平面三角形 sp3 橋氧 端基氧與硫原子形成雙鍵，橋氧為硫氧單鍵，硫氧單鍵鍵長比硫氧雙鍵大 4
【詳解】
(1)V原子為23號(hào)元素，基態(tài)原子核外有23個(gè)電子，所以電子排布式為：[Ar]3d34s2；基態(tài)Fe原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，3d軌道有4個(gè)電子未成對(duì)；
(2)非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，所以H、S、O三種元素電負(fù)性由大到小為O＞S＞H；二氧化硫分子中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為=3，所以為sp2雜化，其VSEPR模型為平面三角形；
(3)根據(jù)固體SO3的結(jié)構(gòu)可知每個(gè)S原子形成4個(gè)σ鍵，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，所以為sp3雜化；端基氧與硫原子形成雙鍵，橋氧為硫氧單鍵，硫氧單鍵鍵長比硫氧雙鍵大，所以橋氧化學(xué)鍵鍵長更大；
(4)氫鍵結(jié)合的情況可用X－H…Y表示，所以含氫鍵的水合陰離子為；
(5)根據(jù)晶胞示意圖可知S2-連接兩個(gè)亞鐵離子和兩個(gè)銅離子，所以S2-的配位數(shù)為4；根據(jù)均攤法晶胞中S2-的個(gè)數(shù)為8，F(xiàn)e2+的個(gè)數(shù)為，Cu2+個(gè)數(shù)為=4，所以晶胞的質(zhì)量m=，晶胞體積V=a2b pm3= a2b×10-30 cm3，所以晶胞的密度ρ=，可解得NA=。
【點(diǎn)睛】
氫鍵通?？捎肵-H…Y來表示，式中X和Y代表F，O，N等電負(fù)性大而原子半徑較小的非金屬原子，其中X以共價(jià)鍵（或離子鍵）與氫相連， X和Y可以是兩種相同的元素，也可以是兩種不同的元素。
20．N>O>C 1s22s22p63s23p63d9(或[Ar]3d9) sp2 7 ：2 CN-(或) N2H4分子間形成氫鍵 3∶1 389/(NA.a3） H8AuCu3
【詳解】
A、B、C、D、E五種前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大；周期表中A元素原子半徑最小，故A為H元素；B元素原子核外有三種不同的能級(jí)且各個(gè)能級(jí)所填充的電子數(shù)相同，核外電子排布為1s22s22p2，故B為碳元素；D位于短周期，其原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍，而短周期中原子單電子處于p能級(jí)最多有3個(gè)，故成對(duì)電子總數(shù)只能為6，單電子數(shù)為2，核外電子排布為1s22s22p4，則D為O元素；C元素原子最外層P軌道半充滿，原子序數(shù)小于氧，故其核外電子排布為1s22s22p3，則C為N元素；E位于ds區(qū)且原子的最外層電子數(shù)與A的相同，外圍電子排布為3d104s1，則E為Cu。
（1）同周期隨原子序數(shù)增大，第一電離能呈增大趨勢，但N元素2p能級(jí)容納3個(gè)電子，為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能N＞O＞C；（2）E為Cu元素，Cu2+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d9 (或[Ar]3d9) ；（3）H2C2O4為乙二酸，分子中C原子形成3個(gè)σ鍵，沒有孤對(duì)電子，為sp2雜化；分子中共含有7個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵，故為7：2；（4）原子總數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的微粒互為等電子體，與化合物CO互為等電子體的陰離子為CN-、C22-等；（5）C2H6、N2H4分子中均含有18個(gè)電子，因?yàn)镹2H4分子間存在氫鍵，所以它們的沸點(diǎn)相差較大；（6）項(xiàng)點(diǎn)：8× = 1，面心：6× = 3，所以Au：Cu = 1：3；總質(zhì)量：3×M(Cu)/NA + M(Au)/NA，晶胞體積：a3 cm3，密度=總質(zhì)量/ 晶胞體積=(197+64×3) / (NA?a3)= 389/(NA?a3）；由CaF2的結(jié)構(gòu)知，Cu原子處于面心，所以晶胞中Cu原子個(gè)數(shù)為6×=3，Au原子處于頂點(diǎn)位置，所以晶胞中Au原子個(gè)數(shù)為8×=1，氫原子可進(jìn)入到由Cu原子與Au原子構(gòu)成的四面體空隙中，則H原子應(yīng)位于晶胞內(nèi)部，則應(yīng)含有8個(gè)H，則化學(xué)式為Cu3AuH8。
點(diǎn)睛：本題主要考查了元素推斷、電離能、雜化軌道、核外電子排布、等電子體、氫鍵、晶胞的計(jì)算等知識(shí)，綜合性較強(qiáng)，有一定難度，解題的難點(diǎn)在第（6）中，注意均攤法的運(yùn)用。
21．C sp3、sp2 易溶于水 SiO2是原子晶體，微粒間作用力為共價(jià)鍵。SiCl4是分子晶體，微粒間作用力為范德華力，故SiO2熔點(diǎn)高于SiCl4和SiF4。SiCl4和SiF4均為分子晶體，微粒間作用力為范德華力，結(jié)構(gòu)相似時(shí)相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，故SiCl4熔點(diǎn)高于SiF4 nm (，，) (，，)
【分析】
(1)能量越高越不穩(wěn)定，越易失電子，所以激發(fā)態(tài)的微粒易失電子，電離最外層一個(gè)電子所需能量最小，據(jù)此分析解答；
(2)根據(jù)分子中C原子的價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)，結(jié)合價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該分子中C原子軌道雜化類型；抗壞血酸中羥基屬于親水基，增大其水解性；
(3)根據(jù)構(gòu)成微粒的作用力大小分析、比較；
(4)晶體中硼原子與磷原子最近的距離為晶胞體對(duì)角線的，根據(jù)晶體密度與摩爾質(zhì)量換算關(guān)系計(jì)算；根據(jù)圖中各個(gè)原子的相對(duì)位置確定2、3號(hào)原子的坐標(biāo)。
【詳解】
(1)A、有1個(gè)電子躍遷到2s軌道的激發(fā)態(tài)；B、有2個(gè)電子躍遷到2s、2p軌道的激發(fā)態(tài)；C、有2個(gè)電子躍遷到2p軌道的激發(fā)態(tài)；D、屬于基態(tài)原子；所以C中電子能量最高，越不穩(wěn)定，越易失電子，則電離最外層一個(gè)電子所需能量最?。还蔬x：C；
(2) 中1、2、3號(hào)C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4，4、5、6號(hào)碳原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該分子中C原子軌道雜化類型，1、2、3號(hào)C原子采用sp3雜化，4、5、6號(hào)C原子采用sp2雜化；抗壞血酸中羥基屬于親水基，增大其水解性，所以抗壞血酸易溶于水；
(3)SiO2是原子晶體，原子間以極強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合，斷裂消耗很高的能量，而SiCl4、SiF4都是由分子通過分子間作用力結(jié)合形成的分子晶體，分子間作用力非常微弱，所以SiO2熔點(diǎn)高于SiCl4和SiF4。對(duì)于由分子構(gòu)成的分子晶體，若物質(zhì)結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)就越高，所以SiCl4熔點(diǎn)高于SiF4；
(4)BP晶體中晶胞參數(shù)是anm，晶胞的對(duì)角線長度為L=，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知：在晶體中硼原子與磷原子晶胞體對(duì)角線的，因此二者的最近的距離為nm。在一個(gè)晶胞中含有B、P原子個(gè)數(shù)為P：=4；含有的B原子數(shù)目為4個(gè)，所以一個(gè)晶胞中含有4個(gè)BP，用Mg·mol-1表示磷化硼的摩爾質(zhì)量，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則磷化硼晶體的密度=g/cm3；以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，例如圖中原子1的坐標(biāo)為(，，0)，則原子2的坐標(biāo)為(，，)，原子3的坐標(biāo)為(，，)。
【點(diǎn)睛】
本題考查了物質(zhì)結(jié)構(gòu)的有關(guān)知識(shí)。掌握原子的構(gòu)造原理、晶體結(jié)構(gòu)的有關(guān)知識(shí)，注意晶體中B、P原子之間的距離與晶胞棱長的關(guān)系，用均攤方法進(jìn)行計(jì)算是本題解答的關(guān)鍵。

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