A.晶體硅     B.食鹽晶體     C.固體碘      D.金屬鉀04.下列各原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是（　?。?/span>A．Na+:1s22s22p6               B．F:1s22s22p5C.Cl-:1s22s22p63s23p5           D．Mn:1s22s22p63s23p63d54s205．若某原子在處于能量最低狀態(tài)時(shí)，價(jià)電子排布為4d25s2，則下列說法正確的是（　　）A、該元素原子處于能量最低狀態(tài)時(shí)，原子中共有3個(gè)未成對(duì)電子B、該元素處于第五周期第IVA族C、該元素原子的N能層共有10個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子D、該元素原子最外能層共有4個(gè)電子06.下列每組物質(zhì)中化學(xué)鍵類型和分子極性都相同的是（   ）A.CO2 和CS2     B.  NaCl 和HCl    C.H2O和CH4      D.O2和HBr  07.已知某元素+3價(jià)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5,該元素在周期表中的位置正確的是（   ） A. 第三周期VIII族，P區(qū)      B. 第三周期VB族，ds區(qū)C. 第四周期VIII族，d區(qū)      D. 第四周期VB族， f區(qū)08.下列有關(guān)描述正確的是（　?。?/span>A.第一電離能：B>Be>Li              B. 電負(fù)性：F>N>OC. Fe2+的最外層電子排布式為：3s23p63d6D. 基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布圖：09.下列有關(guān)SO2和CO2的說法正確的是（　?。?/span>A. 都是非極性分子                B．中心原子都采取sp雜化C. S原子和C原子都沒有孤對(duì)電子      D． SO2為V形結(jié)構(gòu)，CO2為直線形結(jié)構(gòu)10.根據(jù)相似相溶規(guī)則和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，下列敘述不正確的是（　 ）A.白磷（P4）易溶于CS2，但難溶于水    B、NaCl易溶于水，也易溶于CCl4C.碘易溶于苯，微溶于水　　　　　　   D、鹵化氫易溶于水，難溶于CCl411.下列關(guān)于晶體與非晶體的說法正確的是（　　）A.晶體一定比非晶體的熔點(diǎn)高        B.晶體有自范性但排列無序 C.非晶體無自范性而且排列無序     D.固體SiO2一定是晶體12.下列金屬晶體的堆積方式的空間利用率最低的是（　?。?/span>
A．Na     B．Mg     C．Po      D．Au13.下列分子中，含有兩個(gè)π鍵的是（    ）①HCN（H-C≡N）  ②H2O  ③N2  ④H2O2  ⑤C2H4  ⑥C2H2A．①②③⑥　　　 B．③④⑤⑥　　　  C．①③⑥　   D．③⑤⑥14.下列說法錯(cuò)誤的是（　?。?/span>A.在NH4+和[Cu（NH3）4]2+中都存在配位鍵B.12g金剛石中含有的C-C鍵的個(gè)數(shù)為2NAC.SO2、SO3、BF3、NCl3都是極性分子D.向含有0. 1mol[Co（NH3）4Cl2]Cl的水溶液中加入足量AgNO3溶液只能生成0.1molAgCl15.下列說法不正確的是(    )A. 向硫酸銅溶液中加入氨水，首先形成藍(lán)色沉淀，繼續(xù)添加氨水，沉淀溶解后得到深藍(lán)色的透明溶液，形成該溶液是因?yàn)楫a(chǎn)生了配合離子[Cu(NH3)4] 2+B. NH4+的空間構(gòu)型是正四面體形C. 氨氣極易溶于水的重要原因之一：氨分子與水分子之間能形成氫鍵D. 由于氫鍵的作用，使NH3、H2O、HF的沸點(diǎn)反常，且沸點(diǎn)高低順序?yàn)?/span>HF＞H2O＞NH316.下列有關(guān)金屬晶體的說法錯(cuò)誤的是（　 ?。?/span>A. 溫度越高，金屬的導(dǎo)電性越差B. 金屬晶體中非密置層在三維空間可形成兩種堆積方式，其配位數(shù)都是6C. 鎂型堆積和銅型堆積是密置層在三維空間形成的兩種堆積方式，其配位數(shù)都是12D. 金屬離子與自由電子之間的強(qiáng)烈作用，在一定外力作用下，不因形變而消失17.下列關(guān)于晶體的敘述中不正確的是（   ）A.金剛石網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，由共價(jià)鍵構(gòu)成的碳原子環(huán)中，最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子
B.氯化鈉晶體中每個(gè)Na+周圍最近且等距離子Na+有6個(gè)
C.氯化銫晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰有8個(gè)Cl-，每個(gè)Cl-周圍緊鄰有8個(gè)Cs+
D.證明固態(tài)氨是分子晶體的事實(shí)是常溫下氨為氣態(tài)18.下列物質(zhì)所屬晶體類型分類正確的是（     ） 原子晶體分子晶體離子晶體金屬晶體A石墨冰金剛石硫酸鐵B生石灰固態(tài)氨食鹽汞C石膏氯化銫明礬氯化鎂D金剛石干冰芒硝鐵19.下列事實(shí)與氫鍵有關(guān)的是（　?。?/span>
A．水加熱到很高的溫度都難以分解     B．水結(jié)成冰體積膨脹，密度變小
C．CH4、SiH4、GeH4、SnH4熔點(diǎn)遞增   D．HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱20.最近發(fā)現(xiàn)，只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導(dǎo)性。鑒于這三種元素都是常見元素，從而引起廣泛關(guān)注。該新型超導(dǎo)晶體的一個(gè)晶胞如下圖所示，則該晶體的化學(xué)式為（     ）A. Mg2CNi3        B. MgC2Ni       C. MgCNi2      D. MgCNi321.根據(jù)雜化軌道理論和價(jià)層電子對(duì)互斥模型，判斷下列分子或者離子的空間構(gòu)型正確的是（　　）選項(xiàng)分子式中心原子雜化方式價(jià)層電子對(duì)互斥模型分子或離子立體構(gòu)型ASO2sp直線形直線形BHCHOsp2平面三角形三角錐形CNF3sp2四面體形平面三角形DNH4+Sp3正四面體形正四面體形22. 有關(guān)金屬晶體的說法不正確的是（　?。?/span>A.金屬Cu的晶體的配位數(shù)為12       B.金屬鍵是金屬陽離子與自由電子間的相互作用C.金屬的延展性可以用電子氣理論解釋  D.金屬Mg、Zn、Ti都是六方最密堆積，空間利用率是68%23.下列說法不正確的是（　?。?/span>A.離子晶體的晶格能越大離子鍵越強(qiáng)    B.晶格能：BaCl2>MgCl2C.通常陰、陽離子的半徑越小、電荷越大，該陰陽離子組成離子化合物的晶格能越大D.只含共價(jià)鍵的晶體不一定具有較高的熔沸點(diǎn)及硬度24.下列說法正確的是（　?。?/span>A.分子晶體中一定存在分子間作用力，不一定存在共價(jià)鍵B.水加熱到很高的溫度都難以分解于氫鍵有關(guān)C.CO2晶體是分子晶體，可推測SiO2晶體也是分子晶體D.HF、HCl、HBr、HI的熔沸點(diǎn)隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增加依次升高25.A12O3在一定條件下可轉(zhuǎn)化為硬度、熔點(diǎn)都很高的氮化鋁晶體，氮化鋁的晶胞如圖所示。下列說法正確的是A. 氮化鋁屬于離子晶體 B. 氮化鋁可用于制造切割金屬的刀具C. 一個(gè)氮化鋁晶胞中含有9個(gè)A1原子D. 氮化鋁晶體中A1的配位數(shù)為226.下列對(duì)各組物質(zhì)性質(zhì)的比較中，正確的是(　　)A. 硬度：Li＞Na＞K     B. 熔點(diǎn)：金剛石>晶體硅>石英C. 第一電離能：Na＜Mg＜AlD. 空間利用率：體心立方＜六方密堆積＜面心立方27.通常情況下，氯化鈉、氯化銫、二氧化碳和二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)分別如下圖所示下列關(guān)于這些晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的敘述不正確的是（   ）A．同一主族的元素與另一相同元素所形成的化學(xué)式相似的物質(zhì)不一定具有相同的晶體結(jié)構(gòu)B．氯化鈉、氯化銫和二氧化碳的晶體都有立方的晶胞結(jié)構(gòu)，它們具有相似的物理性質(zhì)C．二氧化碳晶體是分子晶體，其中不僅存在分子間作用力，而且也存在共價(jià)鍵 D．在二氧化硅晶體中，平均每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-O共價(jià)單鍵28.已知結(jié)構(gòu)為正四面體型的離子A和直線型離子B反應(yīng)，生成三角錐形分子C和V形分子D（A、B、C、D均為10電子微粒，組成它們的元素原子序數(shù)均小于10），下列說法正確的是（　　）A．分子C中存在π鍵B．微粒A的空間結(jié)構(gòu)與CH4相似，它們均為正四面體，所以A是非極性分子C．固態(tài)D的熔沸點(diǎn)明顯高于固態(tài)H2S的原因在于D分子中的共價(jià)鍵強(qiáng)于S-H鍵D．D分子呈V型與其分子中存在孤電子對(duì)有關(guān)29.已知某離子晶體晶胞如下圖所示，其摩爾質(zhì)量為M，阿伏加德羅常數(shù)為NA，晶體的密度為d g/cm3。下列說法中正確的是A. 晶體晶胞中陰、陽離子的個(gè)數(shù)都為1B. 該晶體中兩個(gè)距離最近的同種離子的核間距為cmC. 其中陰、陽離子的配位數(shù)都是4D. 該晶胞可能是NaCl的晶胞30.硅酸鹽與二氧化硅一樣，都是以硅氧四面體作為基本結(jié)構(gòu)單元。硅氧四面體可以用投影圖表示成（如下圖）；其中O表示氧原子，中心黑點(diǎn)硅原子。硅氧四面體通過不同方式的連接可以組成各種不同的硅酸根離子。試確定在無限長的單鏈陰離子中（見圖），硅原子與氧原子的個(gè)數(shù)比為A.1：2        B.1：3        C.2：5       D.2：7 二、填空題(共40分)31.(13分)(1). 氯酸鉀熔化，粒子間克服了______   __的作用力；二氧化硅熔化，粒子間克服了_____  ___的作用力；碘的升華，粒子間克服了__ ______的作用力。三種晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序是_____   ___。(2).下列六種晶體：①CO2，②NaCl，③Na，④Si，⑤CS2，⑥金剛石，它們的熔點(diǎn)從低到高的順序?yàn)?/span>____           ____(填序號(hào))。(3). A、B、C、D為四種晶體，性質(zhì)如下：A．固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電，能溶于鹽酸     B．能溶于CS2，不溶于水C．固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，液態(tài)時(shí)能導(dǎo)電，可溶于水D．固態(tài)、液態(tài)時(shí)均不導(dǎo)電，熔點(diǎn)為3 500℃試推斷它們的晶體類型：A．______ __；B._____  ___；C.___  _____；D.___  _____。(4).下圖中A～D是中學(xué)化學(xué)教科書上常見的幾種晶體結(jié)構(gòu)模型，請(qǐng)?zhí)顚懴鄳?yīng)物質(zhì)的名稱：A．________； B. ______ _； C. ______ _； D. ________。32.（14分）A、B、C、D是四種短周期元素，E是過渡元素。A、B、C同周期，C、D同主族，A的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 。B是同周期第一電離能最小的元素，C的最外層有三個(gè)成單電子，E的外圍電子排布式為3d64s2．回答下列問題：（1）.寫出下列元素的符號(hào)：A______、B______．（2）.用元素符號(hào)表示D所在周期（除稀有氣體元素外）第一電離能最大的元素是______，電負(fù)性最大的元素是______．（3）.已知元素周期表可按電子排布分為s區(qū)、p區(qū)等，則E元素在______區(qū)．
（4）.寫出A的核外電子排布式______．（5）. NCl3是一種淡黃色油狀液體，下列對(duì)NCl3的有關(guān)描述不正確的是_______A.該分子呈平面三角形     B.該分子中的化學(xué)鍵為極性鍵C.該分子為極性分子       D.因N-Cl鍵的鍵能大，故NCl3穩(wěn)定33.（13分)東晉《華陽國志?南中志》卷四中已有關(guān)于白銅的記載，云南鎳白銅（銅鎳合金）聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品?；卮鹣铝袉栴}：（1）.鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為___          ______，3d能級(jí)上的未成對(duì)的電子數(shù)為____              __。（2）.硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4藍(lán)色溶液。①[Ni(NH3)6]SO4中陰離子的立體構(gòu)型是__________，②在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為___________，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是________。③氨的沸點(diǎn)（填“高于”或“低于”）膦（PH3），原因是_________________；氨是_____分子（填“極性”或“非極性”），中心原子的軌道雜化類型為____________。（3）.單質(zhì)銅及鎳都是由______鍵形成的晶體：元素銅與鎳的第二電離能分別為：ICu=1959kJ/mol，INi=1753kJ/mol，ICu>INi的原因是____________________。（4）.某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為__________。②若合金的密度為dg/cm3，晶胞參數(shù)a=______________nm。
參考答案第Ⅰ卷  選擇題 (共60分)一、01-05  CCCCC    06-10  ACCDD    11-15  CCCCD     16-20  BBDBD    21-25  DDBAB    26-30  ABDDB第Ⅱ卷 非選擇題 (共 40分)二、填空題（共40分）31.(每空2分，共10分)(1)離子鍵　共價(jià)鍵　分子間　SiO2>KClO3>I2              (2)  ①⑤③②④⑥(3)金屬晶體　分子晶體　離子晶體　原子晶體(4)CsCl　NaCl　SiO2　金剛石32. (每空1分，共9分)(1) Si   Na (2)Li  F　(3)d　(4) 1s22s22p63s23p4　(5)A33.(每空2分，共10分）  

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