題型解讀六　物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)題型突破
縱觀近幾年各地新課標(biāo)高考試題，穩(wěn)定加創(chuàng)新是本專題的基本特點(diǎn)，命題采取結(jié)合新科技、新能源等社會(huì)熱點(diǎn)為背景，命題的形式?jīng)]有太大的變化，原子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、分子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)是命題的三大要點(diǎn)。從題目情況來看，給出一定的知識(shí)背景，然后設(shè)置成3～4個(gè)小題，每個(gè)小題考查一個(gè)知識(shí)要點(diǎn)是主要的命題模式。從題型分析主要以填空命題、內(nèi)容可考查基本概念，如電子排布式、軌道式、電離能、電負(fù)性、雜化方式以及空間構(gòu)型等，也可聯(lián)系有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)考查有機(jī)物中C原子的雜化，聯(lián)系數(shù)學(xué)幾何知識(shí)考查晶體的計(jì)算等。本專題的壓軸考點(diǎn)是利用均攤法考查晶胞中的原子個(gè)數(shù)，或者考查晶體的化學(xué)式的書寫、晶體類型的判斷等。
1．(2023·茂名一模)鍺及其化合物廣泛用于半導(dǎo)體、催化劑、光伏、制藥工業(yè)?；卮鹣铝袉栴}：(1)鍺的基態(tài)原子核外電子排布式為__________________________。(2)硅、鍺、鉛的氯化物的熔點(diǎn)如下表：
①GeCl4的分子空間構(gòu)型為____________。②熔點(diǎn)SiCl4②B．電子排布屬于基態(tài)原子(或離子)的是①②C．電離一個(gè)電子所需最低能量：①>②>③D．得電子能力：①>②
(3)Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如下圖。該晶體類型是________，該化合物的化學(xué)式為________。
解析：(1)Si(NH2)4分子可視為SiH4分子中的4個(gè)氫原子被—NH2(氨基)取代形成的，所以Si(NH2)4分子中Si原子軌道的雜化類型是sp3，分子的空間結(jié)構(gòu)(以Si為中心)名稱為四面體。氨基(—NH2)氮原子形成3個(gè)σ鍵，含有1對孤電子對，N原子雜化軌道數(shù)目為4，N原子軌道的雜化類型是sp3；Si周圍的NH2基團(tuán)體積較大，受熱時(shí)斥力較強(qiáng)[Si(NH2)4中Si—N鍵能相對較小]；產(chǎn)物中氣態(tài)分子數(shù)顯著增多(熵增)，故Si(NH2)4受熱不穩(wěn)定，容易分解生成Si3N4和NH3。
(2)由硅原子核形成的三種微粒電子排布式分別為①[Ne]3s23p2、②[Ne]3s23p1、③[Ne]3s23p14s1，可推知分別為基態(tài)Si原子、Si＋離子、激發(fā)態(tài)Si原子；激發(fā)態(tài)Si原子有四層電子，Si＋離子失去了一個(gè)電子，根據(jù)微粒電子層數(shù)及各層電子數(shù)多少可推知，微粒半徑：③>①>②，選項(xiàng)A正確；根據(jù)上述分析可知，電子排布屬于基態(tài)原子(或離子)的是①②，選項(xiàng)B正確；激發(fā)態(tài)Si原子不穩(wěn)定，容易失去電子；基態(tài)Si原子失去一個(gè)電子是硅的第一電離能，Si＋離子失去一個(gè)電子是硅的第二電離能，由于I2>I1，可以得出電離一個(gè)電子所需最低能量：②>①>③，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；由選項(xiàng)C的分析可知，②比①更難失電子，則②比①更容易得電子，即得電子能力：②>①，選項(xiàng)D錯(cuò)誤。故選AB。

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