Ⅰ.一種比率光聲探針M與配位，可用于小鼠腦內(nèi)銅（Ⅱ）的高時空分辨率動態(tài)成像，反應如下所示：
（1）H、C、N、F四種元素電負性由大到小的順序為________，M中鍵角F-B-F________（填“>”“①>②
B.電子排布屬于基態(tài)原子（或離子）的是：①②
C.電離一個電子所需最低能量：①>②>③
D.得電子能力：①>②
（3）Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖。該晶體類型是________，該化合物的化學式為________。
3.銅錫硫（）為P型直接帶隙半導體材料，光電學性質(zhì)優(yōu)良，是薄膜太陽能電池吸收層較佳候選材料?？捎?、硫脲（）等為原料制備。
（1）圖甲、乙、丙分別表示Si、P、S和Cl的逐級電離能I變化趨勢（縱坐標的標度不同）。第二電離能的變化圖是______（填“甲”“乙”或“丙”）。
（2）原子核外電子發(fā)生躍遷時會吸收或釋放不同的光，可以用______攝取Na元素的原子光譜?；鶓B(tài)S原子中，核外存在______對自旋相反的電子。
（3）冰和干冰同為分子晶體，但干冰中的配位數(shù)（一個分子周圍最鄰近的分子數(shù)目）大于冰中水分子的配位數(shù)，其原因是__________________。
（4）硫脲（）是一種有機化合物，分子中N的一個______雜化軌道與H的1s軌道形成N-H______鍵。硫氰酸（）的沸點比異硫氰酸（）低，原因是__________________。
（5）是p型半導體材料，屬于立方晶體，如圖所示，其晶胞參數(shù)為543 pm，為阿伏加德羅常數(shù)的值，x:y:z=_____（最簡整數(shù)比），該晶體的密度為___________（列出計第式）。若圖中原于1的坐標為（0,0,0）。2的坐標為，則原子3的坐標為__________________。
4.基于生物質(zhì)資源開發(fā)常見的化工原料是綠色化學的重要研究方向。常采用醋酸、醋酸鈷和Rn-Sn-B等為催化劑，以木質(zhì)纖維素為起始原料合成聚碳酸對二甲苯酯（）。
（1）基態(tài)鈷原子的價電子排布式為__________________。
（2）聚碳酸對二甲苯酯中，各元素電負性由小到大的順序為__________________。
（3）醋酸分子中碳原子的軌道雜化類型有_______，醋酸和的相對分子質(zhì)量接近，而醋酸的熔點卻比的熔點高許多，原因是__________________。
（4）鈷元素可以形成多種配合物，將溶于濃氨水和的混合液并暴露于空氣中發(fā)生反應，可生成配合物，寫出該反應的化學方程式：__________________，1 ml 中含有________ml σ鍵。
（5）Sn可與Nb形成金屬互化物，晶胞結構如圖所示。該晶胞在面對角線方向的投影為_______（填標號）；若晶胞密度為，代表阿伏加德羅常數(shù)的值，則該金屬互化物的摩爾質(zhì)量為_________（列出計算式）。
5.高純電子級氫氟酸主要用于高端晶圓刻蝕，是半導體生產(chǎn)的關鍵材料之一。由螢石生產(chǎn)的氫氟酸需經(jīng)除砷、脫水、蒸餾等多步凈化提純技術。請回答：
（1）基態(tài)F原子的價層電子排布圖（軌道表達式）為__________。
（2）是氫氟酸中的主要雜質(zhì)之一，可用等氧化脫除。分子的空間結構為__________；分子中鍵角比分子中的大，其原因是__________。
（3）氫氟酸分子間以氫鍵締合，畫出的氫鍵圖示結構__________。
（4）的晶胞結構如圖所示，晶胞參數(shù)。與間的最近距離為________pm（列出計算式即可，下同），設為阿伏加德羅常數(shù)的值，的密度為_________。
答案以及解析
1.答案：（1）F>N>C>H①>②，選項A正確；
B.根據(jù)上述分析可知，電子排布屬于基態(tài)原子（或離子）的是：①②，選項B正確；
C.激發(fā)態(tài)Si原子不穩(wěn)定，容易失去電子；基態(tài)Si原子失去一個電子是硅的第一電離能，離子失去一個電子是硅的第二電離能，由于，可以得出電離一個電子所需最低能量：②>①>③，選項C錯誤；
D.由C可知②比①更難失電子，則②比①更容易得電子，即得電子能力：②>①，選項D錯誤；
答案選AB；
（3）Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖可知，原子間通過共價鍵形成的空間網(wǎng)狀結構，形成共價晶體；根據(jù)均攤法可知，一個晶胞中含有個Si，8個P，故該化合物的化學式為。
3.答案：（1）丙
（2）光譜儀；7
（3）冰晶體中存在氫鍵，氫鍵具有方向性，氫鍵的存在迫使在四面體中心的每個水分子與四面體頂角方向的4個相鄰水分子形成氫鍵，其配位數(shù)為4。而在干冰晶體中分子間只存在范德華力，其分子是密堆積的，配位數(shù)為12
（4）；σ；異硫氰酸分子間可形成氫鍵
（5）2:1:3；；
解析：（1）失去1個電子之后各元素原子的價電子排布式如下：Si為、P為、S為、Cl為，再失去第2個電子時，S需要破壞半充滿的3p軌道結構，第二電離能最大，故第二電離能的變化圖為丙。
（2）不同元素原子的電子發(fā)生躍遷時會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取各種元素原子的吸收光譜或發(fā)射光譜?；鶓B(tài)S原子的核外電子排布式為，根據(jù)洪特規(guī)則，3p能級有1對自旋相反的電子，故基態(tài)S原子中，核外存在7對自旋相反的電子。
（3）冰晶體中存在氫鍵，氫鍵具有方向性，這迫使在四面體中心的每個水分子與四面體頂角方向的4個相鄰水分子形成氫鍵，其配位數(shù)為4.而在干冰晶體中，之間沒有氫鍵，只有范德華力，其分子是密堆的，配位數(shù)為12。
（4）分子中N原子采取雜化，因此N原子一個雜化軌道與H的1s軌道形成1個N-Hσ鍵。異硫氰酸分子中N原子上連接有H原子，分子間可形成氫鍵，硫氰酸分子間不能形成氫鍵。
（5）1個晶胞中含有的Cu原子為，Sn原子為，原子為，故。，每個晶胞中有個該晶體的密度為：。結合圖中原子1的坐標為（0,0,0）及2的坐標為，原子3的坐標為。
4.答案：（1）
（2）H

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