考生須知：
1.本卷共7頁(yè)滿分100分，考試時(shí)間90分鐘。
2.答題前，在答題卷指定區(qū)域填寫班級(jí)、姓名、考場(chǎng)號(hào)、座位號(hào)及準(zhǔn)考證號(hào)并填涂相應(yīng)數(shù)字。
3.所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷上無(wú)效。
4.考試結(jié)束后，只需上交答題紙。
可能用到的相對(duì)原子質(zhì)量：H-1；B-11；C-12；N-14；O-16；F-19；Na-23；Ce-140。
選擇題部分
一、選擇題(本大題共16小題，每小題3分，共48分)
1. 化學(xué)與材料密切相關(guān)。下列屬于新型無(wú)機(jī)非金屬材料的是
A. 酚醛樹脂B. 氮化硼陶瓷C. 特種鋼D. 儲(chǔ)氫合金
【答案】B
【解析】
【詳解】A．酚醛樹脂，是由苯酚或取代苯酚與甲醛反應(yīng)得到的合成聚合物，屬于有機(jī)材料，A不符合；
B．氮化硼陶瓷是一種耐高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，屬于新型無(wú)機(jī)非金屬材料，B符合；
C．鋼是鐵的一種合金，是用量最大的合金材料，在鋼中加入稀土元素可以提高鋼的強(qiáng)度和耐腐蝕性從而改善鋼的性能，屬于金屬材料，C不符合；
D．儲(chǔ)氫合金一類儲(chǔ)氫材料，儲(chǔ)氫過(guò)程生成金屬氫化物，可用于解決氫能儲(chǔ)存和運(yùn)輸難題，D不符合；
答案選B。
2. 下列化學(xué)用語(yǔ)表示不正確的是
A. H2O的VSEPR模型：B. Cr3+的最外層電子排布式：3s23p63d3
C. HCl中σ鍵的電子云圖：D. HClO的電子式：
【答案】C
【解析】
【詳解】A．H2O中O上的孤電子對(duì)數(shù)為×(6-2×1)=2，σ鍵電子對(duì)數(shù)為2，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，VSEPR模型為四面體形：，A項(xiàng)正確；
B．Cr原子核外有24個(gè)電子，基態(tài)Cr原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，Cr3+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d3，Cr3+的最外層電子排布式為3s23p63d3，B項(xiàng)正確；
C．HCl中H原子的1s軌道提供1個(gè)未成對(duì)的電子與Cl原子的3p軌道提供1個(gè)未成對(duì)的電子形成H—Cl的s-pσ鍵，電子云圖為，C項(xiàng)錯(cuò)誤；
D．HClO中O原子分別與H、Cl形成1對(duì)共用電子對(duì)，電子式為，D項(xiàng)正確；
答案選C。
3. 下列有關(guān)SiO2的說(shuō)法正確的是
A. SiO2屬于酸性氧化物
B. 工業(yè)上用焦炭還原石英砂制得高純硅
C. SiO2可用來(lái)制作華為麒麟芯片
D. 可以在石英坩堝中熔融碳酸鈉
【答案】A
【解析】
【詳解】A．二氧化硅與NaOH反應(yīng)生成硅酸鈉鹽和水，SiO2是酸性氧化物，故A正確；
B．工業(yè)上用焦炭還原石英砂制得的是粗硅，故B錯(cuò)誤；
C．用作芯片的原料是純硅，故C錯(cuò)誤；
D．加熱時(shí)碳酸鈉與SiO2反應(yīng)生成硅酸鈉，不能用石英坩堝熔融碳酸鈉，故D錯(cuò)誤；
答案選A。
4. 物質(zhì)的結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)和用途，下列兩者對(duì)應(yīng)關(guān)系正確的是
A. 鹽酸酸性比次氯酸強(qiáng)，故往漂白液中加入濃鹽酸可有效提高漂白性
B. BaCO3不溶于水，故可用作醫(yī)療上檢查腸胃的鋇餐
C. 常溫下鋁遇濃硫酸會(huì)鈍化，故可用鋁槽車運(yùn)輸濃硫酸
D. MgO是離子化合物，故工業(yè)上常采用電解熔融的MgO制取金屬鎂
【答案】C
【解析】
【詳解】A．濃鹽酸和次氯酸鈉會(huì)反應(yīng)使漂白液失去漂白性且生成有毒的氯氣污染環(huán)境，A錯(cuò)誤；
B．硫酸鋇不溶于鹽酸，可用于檢查腸胃的內(nèi)服藥劑，碳酸鋇會(huì)和稀鹽酸生成有毒鋇離子，B錯(cuò)誤；
C．濃硫酸具有強(qiáng)氧化性，常溫下可使鐵鈍化，所以常溫下可用鐵罐儲(chǔ)運(yùn)濃硫酸，C正確；
D．MgO是離子化合物熔點(diǎn)很高，工業(yè)上常采用電解熔融的氯化鎂制取金屬鎂，D錯(cuò)誤；
故選C。
5. 下列裝置按制備、收集、驗(yàn)證漂白性及尾氣處理的順序進(jìn)行實(shí)驗(yàn)(“→”表示氣流方向)，能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康牡氖?br>A. B.
C. D.
【答案】D
【解析】
【詳解】A．銅與濃硫酸需加熱才反應(yīng)生成二氧化硫，故A不選；
B．二氧化硫密度比空氣大，應(yīng)該采用長(zhǎng)進(jìn)短出的方法進(jìn)行收集，故B不選；
C．具有漂白性，但不能漂白酸堿指示劑，故C不選；
D．二氧化硫與NaOH能發(fā)生反應(yīng)，可以采用氫氧化鈉溶液進(jìn)行尾氣處理，且要防倒吸，故D選；
故選D。
6. 下列說(shuō)法正確的是
A. 聚酯纖維(如滌綸)是以纖維素為原料加工而成
B. 氨基酸都是兩性分子，且都含有手性碳原子
C. 乙醇、苯酚可作為消毒防腐藥，可使微生物的蛋白質(zhì)變性而失去生理活性
D. 油脂長(zhǎng)期放置在空氣中因發(fā)生加成反應(yīng)而出現(xiàn)“哈喇味”
【答案】C
【解析】
【詳解】A．聚酯纖維是由羧酸和醇縮聚而成的聚酯經(jīng)紡絲所得的合成纖維，A錯(cuò)誤；
B．氨基酸含有羧基和氨基，是兩性分子，但不都含有手性碳原子，如甘氨酸HOOCCH2NH2，B錯(cuò)誤；
C．乙醇、苯酚可作為消毒防腐藥，可使微生物的蛋白質(zhì)變性而失去生理活性達(dá)到殺菌目的，C正確；
D．油脂長(zhǎng)期放置在空氣中，因被氧氣氧化發(fā)生氧化反應(yīng)而出現(xiàn)“哈喇味”，D錯(cuò)誤；
故選C。
7. 已知NA為阿伏加德羅常數(shù)，下列有關(guān)說(shuō)法正確的是
A. 1mlNH4NO3完全溶于稀氨水中，溶液呈中性，溶液中NH的數(shù)目為NA
B. 0.1ml/L的Na2S溶液中：N(S2-)+N(HS-)+N(H2S)=0.1NA
C. 含1mlCr2O的酸性溶液與足量H2O2反應(yīng)生成的過(guò)程中轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8NA
D. 標(biāo)況下22.4LCH2Cl2中含有2NA氯原子
【答案】A
【解析】
【詳解】A．1mlNH4NO3完全溶于稀氨水中，溶液呈中性，根據(jù)電荷守恒可知，，則溶液中NH的數(shù)目為NA，A正確；
B．沒(méi)有溶液體積，不確定硫原子的物質(zhì)的量，B錯(cuò)誤；
C．含1mlCr2O的酸性溶液與足量H2O2反應(yīng)生成，由結(jié)構(gòu)可知，反應(yīng)前后鉻元素、氧元素化合價(jià)沒(méi)有改變，不是氧化還原反應(yīng)，不存在電子轉(zhuǎn)移，C錯(cuò)誤；
D．標(biāo)況下CH2Cl2不是氣體，不確定其物質(zhì)的量，D錯(cuò)誤；
故選A。
8. 下列反應(yīng)的離子方程式正確的是
A. 向溶液中加入H2S：
B. 用Fe作陽(yáng)極電解飽和食鹽水：2Cl-+2H2OH2+Cl2↑+2OH-
C. 向氨水中滴入少量硫酸銅溶液：
D. 向CuCl2稀溶液中通入HCl氣體：[Cu(H2O)4]2++4Cl-[CuCl4]2-+4H2O
【答案】D
【解析】
【詳解】A．不能拆成離子，正確的離子方程式為：，故A錯(cuò)誤；
B．Fe作陽(yáng)極，陽(yáng)極Fe失去電子生成Fe2+，F(xiàn)e +2H2OH2+Fe(OH)2，故B錯(cuò)誤；
C．氨水中滴入少量硫酸銅，生成的氫氧化銅最終溶于氨水生成[Cu(NH3)4]2+，反應(yīng)離子方程式為：，故C錯(cuò)誤；
D．CuCl2稀溶液中銅離子以[Cu(H2O)4]2+形式存，通入HCl氣體，形成 [CuCl4]2-，離子方程式正確，故D正確；
故選：D。
9. 抗壞血酸(即維生素C，結(jié)構(gòu)如圖)是常用的抗氧化劑，下列有關(guān)說(shuō)法正確的是

A. 屬于脂溶性維生素
B. 存在3種官能團(tuán)，能發(fā)生取代反應(yīng)、氧化反應(yīng)
C. 維生素C分子內(nèi)存在1個(gè)手性碳原子
D. 該物質(zhì)與足量金屬Na反應(yīng)，最多可生成
【答案】B
【解析】
【詳解】A．維生素C含有多個(gè)醇羥基，屬于水溶性維生素，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；
B．維生素C中含有醇羥基、碳碳雙鍵、酯基三種官能團(tuán)，能發(fā)生取代反應(yīng)、氧化反應(yīng)等反應(yīng)，選項(xiàng)B正確；
C．維生素C分子內(nèi)存在2個(gè)手性碳原子，如圖 ，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；
D．未指明標(biāo)準(zhǔn)狀況，無(wú)法計(jì)算氫氣的體積，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；
答案選B。
10. 如圖，M、W、X、Y、Z五種元素原子序數(shù)依次增大，基態(tài)Z原子的電子填充了3個(gè)能級(jí)，其中有2個(gè)未成對(duì)電子。下列說(shuō)法不正確的是
A. 氫化物沸點(diǎn)：X>YB. 電負(fù)性：M

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