新高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)精品學(xué)案第6章熱點(diǎn)強(qiáng)化16　物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選擇題專練（含解析）-學(xué)案下載-教習(xí)網(wǎng)

熱點(diǎn)強(qiáng)化16　物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選擇題專練1．(2022·天津模擬)下列化學(xué)用語(yǔ)表達(dá)正確的是(　　)A．基態(tài)硫原子的軌道表示式： B．H2S的電子式：HSHC．SO3的VSEPR模型：D．SO2分子的空間填充模型：答案　C解析　硫原子的核外電子總數(shù)為16，基態(tài)硫原子的電子排布式為1s22s22p63s23p4，基態(tài)S原子的軌道表示式為，故A錯(cuò)誤；H2S為共價(jià)化合物，其電子式為，故B錯(cuò)誤；SO3分子中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3＋＝3，無(wú)孤電子對(duì)，其VSEPR模型為，故C正確；SO2中S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2＋＝3，故其空間結(jié)構(gòu)為V形，其空間填充模型為，故D錯(cuò)誤。2．(2022·江蘇，5)下列說(shuō)法正確的是(　　)A．金剛石與石墨烯中的C—C—C夾角都為120°B．SiH4、SiCl4都是由極性鍵構(gòu)成的非極性分子C．鍺原子(32Ge)基態(tài)核外電子排布式為4s24p2D．ⅣA族元素單質(zhì)的晶體類型相同答案　B解析　金剛石中的碳原子為正四面體結(jié)構(gòu)，C—C—C夾角為109°28′，故A錯(cuò)誤；SiH4的化學(xué)鍵為Si—H，SiCl4的化學(xué)鍵為Si—Cl，均為極性鍵，均為正四面體，正負(fù)電荷中心重合，均為非極性分子，故B正確；鍺原子(32Ge)基態(tài)核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2，故C錯(cuò)誤；ⅣA族元素中的碳元素形成的石墨為混合型晶體，而硅形成的晶體硅為共價(jià)晶體，故D錯(cuò)誤。3．(2022·山東，5)AlN、GaN屬于第三代半導(dǎo)體材料，二者成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶體中只存在N—Al、N—Ga。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(　　)A．GaN的熔點(diǎn)高于AlNB．晶體中所有化學(xué)鍵均為極性鍵C．晶體中所有原子均采取sp3雜化D．晶體中所有原子的配位數(shù)均相同答案　A解析　Al和Ga均為第ⅢA族元素，N屬于第ⅤA族元素，AlN、GaN的成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，則其均為共價(jià)晶體，由于Al原子的半徑小于Ga，N—Al的鍵長(zhǎng)小于N—Ga的鍵長(zhǎng)，則N—Al的鍵能較大，鍵能越大則其對(duì)應(yīng)的共價(jià)晶體的熔點(diǎn)越高，故GaN的熔點(diǎn)低于AlN，A說(shuō)法錯(cuò)誤；不同元素的原子之間形成的共價(jià)鍵為極性鍵，故兩種晶體中所有化學(xué)鍵均為極性鍵，B說(shuō)法正確；金剛石中每個(gè)C原子形成4個(gè)共價(jià)鍵(即C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4)，C原子無(wú)孤電子對(duì)，故C原子均采取sp3雜化，C原子的配位數(shù)是4，由于AlN、GaN與金剛石結(jié)構(gòu)相似，則其晶體中所有原子均采取sp3雜化，所有原子的配位數(shù)也均為4，C、D說(shuō)法正確。4．(2022·遼寧，5)短周期元素X、Y、Z、W、Q原子序數(shù)依次增大?；鶓B(tài)X、Z、Q原子均有兩個(gè)單電子，W簡(jiǎn)單離子在同周期離子中半徑最小，Q與Z同主族。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(　　)A．X能與多種元素形成共價(jià)鍵B．簡(jiǎn)單氫化物沸點(diǎn)：Z<QC．第一電離能：Y>ZD．電負(fù)性：W<Z答案　B解析　短周期元素X、Y、Z、W、Q原子序數(shù)依次增大，W簡(jiǎn)單離子在同周期離子中半徑最小，說(shuō)明W為第三周期元素Al。短周期元素的基態(tài)原子中有兩個(gè)單電子，可分類討論：①為第二周期元素時(shí)，最外層電子排布為2s22p2或2s22p4，即C或O；②為第三周期元素時(shí)，最外層電子排布為3s23p2或3s23p4，即Si或S。Q與Z同主族，結(jié)合原子序數(shù)大小關(guān)系可知，則X、Z、Q分別為C、O和S，則Y為N。X為C，能與多種元素(H、O、N等)形成共價(jià)鍵，A正確；Z和Q形成的簡(jiǎn)單氫化物分別為H2O和H2S，由于H2O分子間能形成氫鍵，故H2O的沸點(diǎn)高于H2S，B錯(cuò)誤；Y為N，Z為O，N的最外層p軌道電子為半充滿結(jié)構(gòu)，比較穩(wěn)定，故其第一電離能比O大，C正確；W為Al，Z為O，O的電負(fù)性更大，D正確。5.(2022·丹東市模擬)蘿卜硫素是具有美容效果的天然產(chǎn)物，其結(jié)構(gòu)如圖所示，該物質(zhì)由五種短周期元素構(gòu)成，其中W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，Y、Z原子核外最外層電子數(shù)相等，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(　　)A．第一電離能：X>Y>ZB．簡(jiǎn)單離子半徑：Z>X>YC．W、X與氫原子可形成直線形化合物D．W、X、Y分別形成的簡(jiǎn)單氫化物的熔、沸點(diǎn)在同主族元素中均為最高答案　D解析　通過(guò)結(jié)構(gòu)可知，蘿卜硫素含H、C，蘿卜硫素由五種短周期元素構(gòu)成，則W、X、Y、Z中有一種是C，還有一種是S；W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，Y、Z原子核外最外層電子數(shù)相等，結(jié)合結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式中的成鍵數(shù)目可知：X為N，Y為O，Z為S，W為C。同一周期從左到右，元素的第一電離能呈增大的趨勢(shì)，其中第ⅡA族和第ⅤA族元素的第一電離能均高于其相鄰元素，即N的第一電離能大于O；同一主族從上到下，元素的第一電離能逐漸減小，即O的第一電離能大于S，故第一電離能：N＞O＞S，A正確；N3－和O2－的核外電子排布相同，N的原子序數(shù)小于O，故離子半徑：N3－＞O2－，N3－、O2－核外有2個(gè)電子層，S2－核外有3個(gè)電子層，則離子半徑：S2－＞N3－＞O2－，B正確；N、C、H組成的化合物為HCN，該分子的空間結(jié)構(gòu)為直線形，C正確；X為N，Y為O，W為C，它們的簡(jiǎn)單氫化物分別為NH3、H2O和CH4，NH3和H2O分子間均存在氫鍵，使得它們的熔、沸點(diǎn)在同主族元素中均為最高，CH4分子間沒(méi)有氫鍵，其熔、沸點(diǎn)在同主族元素中最低，D錯(cuò)誤。6．(2022·湖北，9)某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(　　)A．Ca2＋的配位數(shù)為6B．與F－距離最近的是K＋C．該物質(zhì)的化學(xué)式為KCaF3D．若F－換為Cl－，則晶胞棱長(zhǎng)將改變答案　B解析　Ca2＋配位數(shù)為與其距離最近且等距離的F－的個(gè)數(shù)，如圖所示，Ca2＋位于體心，F－位于面心，所以Ca2＋的配位數(shù)為6，A正確；F－與K＋的最近距離為棱長(zhǎng)的，F－與Ca2＋的最近距離為棱長(zhǎng)的，所以與F－距離最近的是Ca2＋，B錯(cuò)誤；K＋位于頂角，個(gè)數(shù)為×8＝1，F－位于面心，個(gè)數(shù)為×6＝3，Ca2＋位于體心，個(gè)數(shù)為1，綜上，該物質(zhì)的化學(xué)式為KCaF3，C正確；F－與Cl－半徑不同，替換后晶胞棱長(zhǎng)將改變，D正確。7．(2022·遼寧丹東模擬)某FexNy的晶胞如圖1所示，晶胞邊長(zhǎng)為a pm，Cu可以完全替代該晶體中a位置Fe或b位置Fe，形成Cu替代型產(chǎn)物Fe(x－n)CunNy。FexNy轉(zhuǎn)化為兩種Cu替代型產(chǎn)物的能量變化如圖2所示，下列說(shuō)法正確的是(　　)A．該FexNy的化學(xué)式為Fe2NB．與N等距且最近的N為8個(gè)C．兩個(gè)a位置Fe的最近距離為a pmD．其中較穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式為FeCu3N答案　C解析　根據(jù)均攤法，FexNy的晶胞中Fe原子數(shù)是8×＋6×＝4，N原子數(shù)是1，該FexNy的化學(xué)式為Fe4N，故A錯(cuò)誤；N原子位于晶胞體心，與N等距且最近的N為6個(gè)，故B錯(cuò)誤；兩個(gè)a位置Fe的最近距離為面對(duì)角線的一半，面對(duì)角線為a pm，所以兩個(gè)a位置Fe的最近距離為a pm，故C正確；能量越低越穩(wěn)定，Cu完全替代該晶體中b位置Fe形成的物質(zhì)能量低，穩(wěn)定性強(qiáng)，晶胞中銅原子數(shù)是8×＝1，鐵原子數(shù)是6×＝3，N原子數(shù)是1，化學(xué)式為Fe3CuN，故D錯(cuò)誤。8．第ⅤA族元素的原子(以R表示)與A原子結(jié)合形成RA3氣態(tài)分子，其空間結(jié)構(gòu)為三角錐形。PCl5在氣態(tài)和液態(tài)時(shí)，分子結(jié)構(gòu)如圖所示，下列關(guān)于PCl5分子的說(shuō)法不正確的是(　　)A．每個(gè)原子都達(dá)到最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)B．Cl—P—Cl的鍵角有120°、90°、180°三種C．PCl5受熱后會(huì)分解生成分子空間結(jié)構(gòu)呈三角錐形的PCl3D．分子中5個(gè)P—Cl的鍵能不都相同答案　A解析　P原子的最外層有5個(gè)電子，形成5個(gè)共用電子對(duì)，所以PCl5中P的最外層不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，A錯(cuò)誤；由圖可知，三角雙錐上下兩個(gè)頂點(diǎn)Cl原子與中心P原子形成的Cl—P—Cl的鍵角為180°，中間為平面三角形，其中兩個(gè)頂點(diǎn)Cl原子與中心P原子形成的Cl—P—Cl的鍵角為120°，通過(guò)中間的三角形所在的平面將三角雙錐截為兩個(gè)完全相同的三角錐，在上面的三角錐中Cl—P—Cl的鍵角為90°，所以Cl—P—Cl的鍵角有90°、120°、180°三種，B正確；PCl5PCl3＋Cl2↑，則PCl5受熱后會(huì)分解生成分子空間結(jié)構(gòu)呈三角錐形的PCl3，C正確；鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，因分子中P—Cl的鍵長(zhǎng)不都相同，所以鍵能不都相同，D正確。9．鋁離子電池常用離子液體AlCl3/[EMIM]Cl作電解質(zhì)，其中陰離子有AlCl、Al2Cl，陽(yáng)離子為EMIM＋()，EMIM＋以單個(gè)形式存在時(shí)可以獲得良好的溶解性能。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(　　)A．EMIM＋中存在大π鍵，表示為ΠB．Al2Cl中各原子最外層均達(dá)到8電子結(jié)構(gòu)C．1 mol EMIM＋中所含σ鍵數(shù)為17NAD．為使EMIM＋獲得良好的溶解性，不能將與N原子相連的—CH3、—C2H5替換為H原子答案　C解析　中環(huán)上由5個(gè)原子參與成鍵，與乙基相連的N原子提供2個(gè)電子，每個(gè)碳原子提供1個(gè)電子，與甲基相連的N原子提供1個(gè)電子，故該大π鍵應(yīng)表示為Π，A正確；Al2Cl中每個(gè)Al原子周圍形成4個(gè)共用電子對(duì)，則其結(jié)構(gòu)式為，各原子最外層均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，B正確；單鍵為σ鍵，一個(gè)雙鍵中含有一個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，1 mol EMIM＋中所含σ鍵數(shù)為19NA，C錯(cuò)誤；氮原子上連H原子易形成分子間氫鍵，為防止離子間形成氫鍵而發(fā)生聚沉，使該離子不易以單個(gè)形式存在，所以與N原子相連的—CH3、—C2H5不能被氫原子替換，D正確。10．(2022·黃岡模擬)某物質(zhì)用途非常廣泛，可用來(lái)制造耐火陶瓷，作顏料，還可以用于冶煉金屬。其具有的長(zhǎng)方體形晶胞結(jié)構(gòu)可用如圖表示，已知6個(gè)N原子形成了正八面體，晶胞參數(shù)的單位為pm，M原子的相對(duì)原子質(zhì)量為m，N原子的相對(duì)原子質(zhì)量為n。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(　　)A．該物質(zhì)的化學(xué)式可能為MN2B．該晶胞密度為ρ＝×10－30 g·cm－3C．M原子的配位數(shù)為6，N原子的配位數(shù)為3D．若N1原子的坐標(biāo)為(x，x，0)，則N2原子的坐標(biāo)為(1－x，1－x，0)答案　B解析　由圖示晶胞可知，一個(gè)晶胞中含有M的個(gè)數(shù)為8×＋1＝2，N的個(gè)數(shù)為4×＋2＝4，故該物質(zhì)的化學(xué)式可能為MN2或N2M，A正確；一個(gè)晶胞的質(zhì)量為 g，一個(gè)晶胞的體積為a2c×10－30cm3，則該晶胞密度為ρ＝＝＝×1030g·cm－3，B錯(cuò)誤；由圖示晶胞可知，一個(gè)M原子周圍距離最近且相等的N原子個(gè)數(shù)為6，則M原子的配位數(shù)為6，一個(gè)N原子周圍距離最近且相等的M原子個(gè)數(shù)為3，則N原子的配位數(shù)為3，C正確；由圖示晶胞可知，N1、N2原子均在底面上，若N1原子的坐標(biāo)為(x，x，0)，則N2原子的坐標(biāo)為(1－x，1－x，0)，D正確。11．(2022·葫蘆島市模擬)砷化鎘晶胞結(jié)構(gòu)如圖。圖中“①”和“②”位是“真空”，晶胞參數(shù)為a pm，建立如圖的原子坐標(biāo)系，①號(hào)位的坐標(biāo)為(，，)。已知：砷化鎘的摩爾質(zhì)量為M g·mol－1，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(　　)A．砷化鎘中Cd與As原子個(gè)數(shù)比為3∶2B．兩個(gè)Cd原子間最短距離為0.5a pmC．③號(hào)位原子坐標(biāo)參數(shù)為(，1，)D．該晶胞的密度為 g·cm－3答案　D解析　由圖示晶胞可知，一個(gè)晶胞中As個(gè)數(shù)為8×＋6×＝4，Cd的個(gè)數(shù)為6，故砷化鎘中Cd與As原子個(gè)數(shù)比為6∶4＝3∶2，A正確；由圖示晶胞可知，平行于邊的同一直線上Cd原子將邊長(zhǎng) 4等分，故兩個(gè)Cd原子間最短距離為0.5a pm，B正確；由圖示可知，③號(hào)位原子位于右側(cè)面的面心上，故其坐標(biāo)參數(shù)為(，1，)，C正確；由A項(xiàng)分析可知，一個(gè)晶胞中含有6個(gè)Cd和4個(gè)As，即含有2個(gè)As2Cd3，故該晶胞的密度為g·cm－3，D錯(cuò)誤。

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