備戰(zhàn)2025年高考化學(xué)搶押秘籍(江蘇專用)搶分秘籍3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(學(xué)生版+解析)練習(xí)

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物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的相關(guān)知識(shí)不論在必修模塊還是選修模塊中均處于相當(dāng)重要的地位，是分析物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)重要的理論依據(jù)，隨著新課標(biāo)新高考的實(shí)施，在選擇題中涉及物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的題目增多，創(chuàng)新
增大，綜合性增強(qiáng)。木專題的考查點(diǎn)主要圍繞原子、分子和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)設(shè)置的，根據(jù)試題的外觀征以及考查模塊的不同，可將物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分為四個(gè)考查熱點(diǎn)：一是原子、分子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤判斷；二是“位一構(gòu)一性”的元素綜合推斷；三是晶胞結(jié)構(gòu)分析與計(jì)算；四是選擇性必修2模塊單設(shè)題目的考查。
技法1 原子或離子中各微粒間的數(shù)量關(guān)系
（1）對(duì)于原子:質(zhì)子數(shù)=核電荷數(shù)=核外電子數(shù)=原子序數(shù)。
（2）質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)。
（3）質(zhì)子數(shù)=陽離子的核外電子數(shù)+陽離子所帶正電荷數(shù)。
（4）質(zhì)子數(shù)=陰離子的核外電子數(shù)-陰離子所帶負(fù)電荷數(shù)。
技法2 元素、核素、同位素之間的關(guān)系
技法3 核外電子排布
（1）核外電子排布規(guī)律
（2）原子結(jié)構(gòu)示意圖
（3）基態(tài)原子的核外電子排布原理
1)能量最低原理：即電子盡可能地先占有能量低的軌道，然后進(jìn)入能量高的軌道，使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)。如圖為構(gòu)造原理示意圖，即基態(tài)原子核外電子在原子軌道上的排布順序圖：
2)泡利不相容原理
每個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子，且自旋狀態(tài)相反。
如2s軌道上的電子排布為，不能表示為。
3)洪特規(guī)則
當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋狀態(tài)相同。如2p3的電子排布為
，不能表示為或
洪特規(guī)則特例：當(dāng)能量相同的原子軌道在全滿(p6、d10、f14)、半滿(p3、d5、f7)和全空(p0、d0、f0)狀態(tài)時(shí)，體系的能量最低，如：24Cr的電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1。
（4）表示基態(tài)原子核外電子排布的四種方法
技法4 微粒半徑的比較（以短周期為例）
1.相同電性微粒半徑大小的比較
①原子半徑：左下角的鈉最大
②陽離子半徑：左下角的鈉離子最大
③陰離子半徑：左下角的磷離子最大
2.不同電性微粒半徑大小的比較
①同周期：陰離子半徑＞陽離子半徑，如Na+＜Cl－
②同元素：電子數(shù)越多，微粒半徑越大，如Fe2+＞Fe3+
③同結(jié)構(gòu)：質(zhì)子數(shù)越多，離子半徑越小，如Na+＜O2－
技法5 根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu)
1.方法I
根據(jù)上述方法I計(jì)算出σ鍵電子對(duì)數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，在確定了σ鍵電子對(duì)數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)后，可以依據(jù)下面的方法確定相應(yīng)的較穩(wěn)定的分子或離子的空間結(jié)構(gòu)：
σ鍵電子對(duì)數(shù)+孤電子對(duì)數(shù)=價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型分子的空間結(jié)構(gòu)
以CO2、NH4+、NF3為例：
①CO2：中心C原子的價(jià)電子為4，配位原子為氧原子，配位原子數(shù)為2，即有2對(duì)σ鍵電子對(duì)數(shù)，中心C原子上的孤電子對(duì)數(shù)=[4-2x(8-6)]/2=0，即中心C原子無孤電子對(duì)，VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2的VSEPR模型為直線形，則CO2的實(shí)際構(gòu)型為直線形。
②NH4+：中心N原子的價(jià)電子為5，配位原子為氫原子，配位原子數(shù)為4，NH4+帶1個(gè)正電荷，中心N原子上的孤電子對(duì)數(shù)=[5-1-4x(2-1)]/2=0，即中心N原子無孤電子對(duì)，VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NH4+的實(shí)際構(gòu)型為正四面體形。
③NF3：中心N原子的價(jià)電子為5，配位原子為氟原子，配位原子數(shù)為3，不帶電荷，中心N原子上的孤電子對(duì)數(shù)=[5-3x(8-7)]/2=1，即中心N原子有1孤電子對(duì)，VSEPR模型略去1孤電子對(duì)才是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NF3的實(shí)際構(gòu)型為三角錐形。
2.方法II
根據(jù)上述方法II計(jì)算出價(jià)層電子對(duì)總數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)總數(shù)得出VSEPR模型，由VSEPR模型略去孤電子對(duì)就可以得出分子的實(shí)際構(gòu)型。
價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型分子的空間結(jié)構(gòu)
以CO2、NH4+、NF3為例：
①CO2：中心C原子的價(jià)電子為4，配位原子為氧原子，不計(jì)算配位原子數(shù)，中心C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4/2=2，中心碳原子與兩個(gè)氧原子結(jié)合，故CO2中C原子孤電子對(duì)數(shù)=2-2=0，即中心C原子無孤電子對(duì)，VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2的VSEPR模型為直線形，則CO2的實(shí)際構(gòu)型為直線形。
②NH4+：中心N原子的價(jià)電子為5，配位原子為氫原子，配位原子數(shù)為4，NH4+帶1個(gè)正電荷，中心N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=(5+4-1)/2=4，中心N原子與4個(gè)氫原子結(jié)合，故NH4+中N原子孤電子對(duì)數(shù)=4-4=0，即中心N原子無孤電子對(duì)，VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NH4+的實(shí)際構(gòu)型為正四面體形。
③NF3：中心N原子的價(jià)電子為5，配位原子為氟原子，配位原子數(shù)為3，不帶電荷，中心N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=(5+3)/2=4，中心N原子與3個(gè)氟原子結(jié)合，故NF3中N原子孤電子對(duì)數(shù)=4-3=1，即中心N原子有1孤電子對(duì)，VSEPR模型略去1孤電子對(duì)才是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NF3的實(shí)際構(gòu)型為三角錐形。
【特別說明】①中心原子不含孤電子對(duì)的分子(或離子)，VSEPR模型與分子(或離子)的空間結(jié)構(gòu)一致。
②中心原子若有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)也要占據(jù)中心原子周圍的空間，并與成鍵電子對(duì)互相排斥，則 VSEPR模型與分子的空間結(jié)構(gòu)不一致。推測(cè)分子的立體模型必須略去 VSEPR模型中的孤電子對(duì)。
技法6 雜化軌道類型的判斷方法
1.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷中心原子的雜化類型、空間結(jié)構(gòu)
在確定了分子或離子的中心原子上的成鍵電子對(duì)數(shù)和孤電子對(duì)數(shù)后，可以依據(jù)下面的方法確定其中心原子的雜化軌道類型：σ鍵電子對(duì)數(shù)(成鍵電子對(duì)數(shù))+孤電子對(duì)數(shù)=價(jià)電子對(duì)數(shù)=雜化軌道數(shù)
根據(jù)雜化類型及孤電子對(duì)數(shù)即可判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu)，列表如下：
2.根據(jù)雜化軌道間的夾角判斷
3.根據(jù)分子或離子的空間結(jié)構(gòu)判斷
4.根據(jù)共價(jià)鍵類型判斷
由雜化軌道理論可知，原子之間成鍵時(shí)，未參與雜化的軌道用于形成π鍵，雜化軌道用于形成σ鍵或用來容納未參與成鍵的孤電子對(duì)。對(duì)于能明確結(jié)構(gòu)式的分子、離子，其中心原子的雜化軌道數(shù)n=中心原子形成的σ鍵數(shù)+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，即可將結(jié)構(gòu)式和電子式相結(jié)合，從而判斷中心原子形成的σ鍵數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，進(jìn)而判斷雜化軌道數(shù)。例如：
①在SiF4分子中，基態(tài)硅原子有4個(gè)價(jià)電子，與4個(gè)氟原子形成4個(gè)σ鍵，沒有孤電子對(duì)，n=4，則SiF4分子中硅原子采用sp3雜化。
②在HCHO分子中，基態(tài)碳原子有4個(gè)價(jià)電子，與2個(gè)氫原子形成2個(gè)σ鍵，與氧原子形成C=O，C=O中有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵，沒有孤電子對(duì)，n=3，則HCHO分子中碳原子采用sp2雜化。
5.以碳原子為中心原子的分子中碳原子的雜化類型
①?zèng)]有形成π鍵，為sp3雜化：CH4、CCl4、
②形成一個(gè)π鍵，為sp2雜化：CH2=CH2、苯(大π鍵)、、
③形成兩個(gè)π鍵，為sp雜化：CH≡CH、O=C=O(CO2)、S=C=S(CS2)
技法7 確定等電子體的方法
1.確定方法：同主族代換或同周期相鄰元素替換，交換過程中注意電荷變化。變換過程中注意電荷變化，并伴有元素種類的改變
2.常見的等電子體匯總
技法8 晶體類型的判斷方法
1.依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間作用力判斷
由陰、陽離子形成離子鍵構(gòu)成的晶體為離子晶體；由原子形成的共價(jià)鍵構(gòu)成的晶體為原子晶體；由分子依靠分子間作用力形成的晶體為分子晶體；由金屬陽離子、自由電子以金屬鍵形成的晶體為金屬晶體
2.依據(jù)物質(zhì)的分類判斷
①活潑金屬氧化物和過氧化物(如K2O、Na2O2等)，強(qiáng)堿(如NaOH、KOH等)，絕大多數(shù)的鹽是離子晶體
②部分非金屬單質(zhì)、所有非金屬氫化物、部分非金屬氧化物、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物的晶體是分子晶體
③常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的化合物類原子晶體有SiC、SiO2、AlN、BP、CaAs等
④金屬單質(zhì)、合金是金屬晶體
3.依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷
不同類型晶體熔點(diǎn)大小的一般規(guī)律：原子晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔點(diǎn)很高，銫等熔點(diǎn)很低
4.依據(jù)導(dǎo)電性判斷
①離子晶體溶于水及熔融狀態(tài)時(shí)均能導(dǎo)電
②原子晶體一般為非導(dǎo)體
③分子晶體為非導(dǎo)體，但分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水時(shí)，分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由移動(dòng)的離子，也能導(dǎo)電
④金屬晶體是電的良導(dǎo)體
5.依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷
一般情況下，硬度：原子晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較小的，且具有延展性
技法9 晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法——均攤法
1.原則：晶胞中任意位置上的一個(gè)原子如果是被n個(gè)晶胞所共有，那么，每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得的份額就是eq \f(1,n)
2.方法：
①長方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算
a．處于頂點(diǎn)上的粒子，同時(shí)為8個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有eq \f(1,8)屬于該晶胞
b．處于棱邊上的粒子，同時(shí)為4個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有eq \f(1,4)屬于該晶胞
c．處于晶面上的粒子，同時(shí)為2個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有eq \f(1,2)屬于該晶胞
d．處于晶胞內(nèi)部的粒子，則完全屬于該晶胞
②非長方體晶胞中粒子視具體情況而定
3.熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目
技法10 原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)的確定方法
1．原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)
（1）概念：以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)
（2）原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)的確定方法
①依據(jù)已知原子的坐標(biāo)確定坐標(biāo)系取向
②一般以坐標(biāo)軸所在正方體的棱長為1個(gè)單位
③從原子所在位置分別向x、y、z軸作垂線，所得坐標(biāo)軸上的截距即為該原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)
（3）示例
2．典型晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)
（1）簡(jiǎn)單立方體模型粒子坐標(biāo)
（2）體心晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖
（3）面心立方晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖
（4）金剛石晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖
技法11 計(jì)算晶體密度的思維方法
技法12 計(jì)算晶體中粒子間距離的思維方法
1、關(guān)于元素周期律、元素周期表的認(rèn)識(shí)誤區(qū)
（1）誤認(rèn)為主族元素的最高正價(jià)一定等于族序數(shù)。但是，F(xiàn)無正價(jià)。
（2）誤認(rèn)為元素的非金屬性越強(qiáng)，其氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性就越強(qiáng)。但是，HClO、H2SO3是弱酸，忽略了關(guān)鍵詞“最高價(jià)”。
（3）誤認(rèn)為同周期相鄰兩主族元素原子序數(shù)之差等于1。忽視了相差11(第4、5周期)和25(第6、7周期)。
（4）誤認(rèn)為失電子難的原子得電子的能力一定強(qiáng)。碳原子、稀有氣體元素的原子失電子難，得電子也難。
（5）誤認(rèn)為得失電子多的原子，得失電子的能力一定強(qiáng)。
（6）誤認(rèn)為最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)絕對(duì)值相等的元素只有第ⅣA族的某些元素。忽視了第ⅠA族的H的最高正價(jià)為＋1價(jià)，最低負(fù)價(jià)為－1價(jià)。
2、分子結(jié)構(gòu)性質(zhì)認(rèn)識(shí)的5個(gè)易錯(cuò)易混點(diǎn)
（1）誤認(rèn)為分子的穩(wěn)定性與分子間作用力和氫鍵有關(guān)，其實(shí)分子的穩(wěn)定性與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)。
（2）誤認(rèn)為組成相似的分子，中心原子的雜化類型相同，其實(shí)要看其σ鍵和孤電子對(duì)數(shù)是否分別相同。如CO2和SO2中心原子的雜化方式不同，CO2分子中C原子是sp雜化，SO2分子中S原子是sp2雜化。
（3）誤認(rèn)為只要含有氫鍵物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就高，其實(shí)不一定，分子間的氫鍵會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高，而分子內(nèi)氫鍵一般會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)降低。
（4）誤認(rèn)為只含有極性鍵的分子都一定是極性分子，其實(shí)不ー定。如CO2、BF3等是非極性分子。
（5）誤認(rèn)為雜化軌道構(gòu)型和分子構(gòu)型一致，其實(shí)不一定。如H2O中氧原子是sp3雜化，雜化軌道構(gòu)型為四面體，但由于分子中存在孤對(duì)電子，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知，H2O的分子構(gòu)型是V形。
3、晶胞計(jì)算易錯(cuò)提醒
（1）在使用均攤法計(jì)算晶胞中微粒個(gè)數(shù)時(shí)，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有。如六棱柱晶胞中，頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心原子依次被6、3、4、2個(gè)晶胞所共有。
（2）在計(jì)算晶胞中粒子個(gè)數(shù)的過程中，不是任何晶胞都可用均攤法。
（3）注意晶胞與團(tuán)簇分子的區(qū)別，前者可用均攤法計(jì)算，后者不能用均攤法計(jì)算，而是直接數(shù)原子個(gè)數(shù)計(jì)算分子式。
【熱點(diǎn)一】原子、分子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤判斷
1．（2025·山東煙臺(tái)·一模）SO3固態(tài)時(shí)有無限長鏈形式(β-SO3)和三聚分子形式(γ-SO3)，其結(jié)構(gòu)如圖所示，受熱可分解生成以單分子形式存在的 SO3(g)。下列說法正確的是
A．β-SO3中鍵長：m>n
B．分子中O-S-O鍵角：SO3(g)Z>Y
B．X、Z、W三種元素形成的化合物只含共價(jià)鍵
C．ZX3和X3W+空間結(jié)構(gòu)均為三角錐型
D．R元素在元素周期表中屬于s區(qū)
7．（2025·四川宜賓·二模）某營養(yǎng)補(bǔ)充劑的結(jié)構(gòu)如圖所示。W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期元素，X、Y、Z同周期，的電子總數(shù)為23，R是血紅蛋白中重要的金屬元素。下列說法正確的是
A．電負(fù)性：
B．第一電離能：
C．簡(jiǎn)單氫化物的熱穩(wěn)定性：
D．基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)：
8．（2025·四川遂寧·三模）短周期主族元素X、Y、Z、M、N的原子序數(shù)依次增大，其中基態(tài)Y原子s能級(jí)電子數(shù)是p能級(jí)電子數(shù)的兩倍，Z和M位于同一主族且其基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)在同周期元素中最多，由上述五種元素形成的某化合物可作離子導(dǎo)體，其結(jié)構(gòu)如圖所示，陽離子有類似苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。下列說法錯(cuò)誤的是
A．該離子導(dǎo)體中含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵
B．簡(jiǎn)單陰離子半徑大小順序：Z > N > M
C．電負(fù)性大小順序：X < Y < Z
D．化合物ZN3的水解產(chǎn)物之一可用于漂白
9．（2025·湖北·二模）X、Y、Z、W為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，其中Y、Z、W在第二周期且相鄰：M的基態(tài)原子3d軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子，且價(jià)層電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有6種。由該五種元素形成的一種配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示，其中Y、Z、W原子的最外層均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。下列說法正確的是
A．該配合物中存在的化學(xué)鍵有共價(jià)鍵、配位鍵、氫鍵
B．1ml該配合物中含有4ml配體，且M的化合價(jià)為+2
C．X、Y、Z三種元素可以形成鹽
D．ZX3形成的晶體中配位數(shù)為12
10．（2025·河南信陽·二模）原子序數(shù)依次增大的短周期元素、、、，在一定條件下形成結(jié)構(gòu)如圖所示的一種團(tuán)簇分子。是宇宙中含量最多的元素，元素基態(tài)原子的價(jià)層電子排布是， 元素基態(tài)原子最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相等，元素基態(tài)原子最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù)。下列說法確的是
A．該團(tuán)簇分子的分子式為
B．基態(tài)原子第一電離能：
C．工業(yè)上主要采用電解水溶液法制備的單質(zhì)
D．常溫下的單質(zhì)能溶于濃硝酸
【熱點(diǎn)三】晶胞結(jié)構(gòu)分析與計(jì)算
11．（2025·陜西·二模）砷化鎵(GaAs)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示，下列說法正確的是
A．圖甲中，As原子位于Ga原子構(gòu)成的正四面體空隙中
B．圖甲中，距離As原子最近的As原子數(shù)為6
C．圖甲中，若晶胞參數(shù)為apm，則Ga原子與As原子的最短距離為
D．稀磁性半導(dǎo)體材料中，Mn、As的原子個(gè)數(shù)比為1：2
12．（2025·四川·二模）一種鉭(Ta)的化合物的四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示()。已知為阿伏加德羅常數(shù)的值。原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)x、y、，原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為1時(shí)記為0。M、N的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為，，下列說法錯(cuò)誤的是
A．P的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B．該化合物的化學(xué)式為
C．與Q距離相等且最近的有8個(gè)D．該晶體的密度是
13．（2025·江西贛州·一模）汞及其化合物在我國應(yīng)用的歷史悠久，可用作醫(yī)藥、顏料等。一種含汞化合物的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞的密度為，A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。
下列說法正確的是
A．B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為
B．晶胞中相鄰的兩個(gè)之間的距離為
C．阿伏加德羅常數(shù)為
D．圖2是晶胞的俯視圖
14．（2025·黑龍江哈爾濱·二模）銻酸亞鐵晶胞的結(jié)構(gòu)如圖，其晶胞參數(shù)分別為anm、anm、cnm，，以晶胞參數(shù)建立分?jǐn)?shù)坐標(biāo)系，原子填充在原子形成的八面體空隙中。下列說法正確的是
A．每個(gè)晶胞含有12個(gè)O原子
B．距離體心原子最近的原子一定有10個(gè)
C．晶胞中點(diǎn)原子的原子的數(shù)坐標(biāo)為
D．設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，該晶體密度為
15．（2025·湖南·二模）銅和氧形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，設(shè)陽離子和陰離子的半徑分別為和。下列相關(guān)說法不正確的是
A．該離子化合物的化學(xué)式可以表示為
B．晶體中每個(gè)陽離子周圍緊鄰且距離相等的陽離子個(gè)數(shù)為12個(gè)
C．晶體的密度
D．晶胞沿面對(duì)角線的剖面圖為
【熱點(diǎn)四】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題
16．（2025·海南·一模）含氮化合物豐富多彩，由于組成和結(jié)構(gòu)的不同，有的呈堿性、有的呈中性、有的呈酸性。請(qǐng)回答下列問題：
（1）硝酸是一種強(qiáng)酸，能溶解很多物質(zhì)，HgS的極小，不溶于硝酸，但溶于王水(濃鹽酸、濃硝酸的混合液)：。
①基態(tài)硫原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有 種。Cl元素位于周期表的 區(qū)。Hg為第六周期元素，與Zn同族，則基態(tài)Hg原子的價(jià)層電子排布式為 。
②請(qǐng)解釋HgS不溶于硝酸而溶于王水的原因： 。
（2）乙胺呈堿性，其衍生物乙酰胺接近中性。在乙酰胺分子中，氮原子上的孤對(duì)電子與碳氧雙鍵能形成p-共軛體系，影響氨基氮上的電子云密度。
①乙胺中N原子的雜化方式為 。
②乙酰胺的堿性比乙胺弱，請(qǐng)分析其原因： 。
（3）氨硼烷()儲(chǔ)氫密度高，是最具價(jià)值的優(yōu)質(zhì)固體儲(chǔ)氫材料之一?？捎萌缦聝煞N方法制備氨硼烷。
方法?。汉驮赥HF()作溶劑的條件下可合成氨硼烷：。
方法ⅱ：和在DMA()作溶劑的條件下可合成氨硼烷：。
實(shí)驗(yàn)表明，方法ⅰ比方法ⅱ的產(chǎn)率更高，相同條件下，、DMA和THF分別與B原子的結(jié)合能力由大到小的順序?yàn)? 。
17．（2025·浙江紹興·一模）結(jié)構(gòu)探究是化學(xué)研究的重要內(nèi)容，請(qǐng)回答：
（1）的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，的配位數(shù)是 。若晶胞棱長，則與O的最小核間距為 。
（2）某離子存在如圖所示按六邊形擴(kuò)展的二維層狀結(jié)構(gòu)，該離子的最簡(jiǎn)式為 ，其中N原子的雜化方式為 。
（3）下列描述正確的是___________
A．的熔點(diǎn)高于是因?yàn)殡x子鍵百分比更高
B．基態(tài)原子價(jià)層電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)為6種
C．分子內(nèi)的化學(xué)鍵有方向性，分子間的作用力沒有方向性
D．含鈣化合物中鈣元素常顯價(jià)，原因是鈣的第二電離能小于其第一電離能
（4）已知可被氧化為。試從物質(zhì)結(jié)構(gòu)的角度分析的結(jié)構(gòu)應(yīng)為(a)而不是(b)的原因： 。
（5）已知：中心B原子有空軌道，可以與分子形成配位鍵，從而使原有的鍵削弱、斷裂，發(fā)生水解。下列鹵化物最難發(fā)生水解的是___________。
A．B．C．D．
18．（2025·山東棗莊·一模）氮、磷元素可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物?；卮鹣铝袉栴}：
（1）甲中釩的化合價(jià)為 ，中心離子配位數(shù)為 ；釩元素在周期表中的位置為 。
（2）乙中氮原子的孤電子對(duì)位于 軌道上；碳氧鍵鍵長小于甲醇中碳氧鍵鍵長，可能的原因是 。
（3）用●、○分別表示K+和某未知微粒，其構(gòu)成的四方晶胞如圖a所示，圖b、圖c分別顯示的是K+和該未知微粒在晶胞xz面、yz面上的位置：
①未知微粒為 (填標(biāo)號(hào))。
A． B． C．
②若晶體的密度為ρ g/cm3，晶胞高為c pm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶胞正方形底邊的邊長為 pm(填代數(shù)式)。
③晶胞在x軸方向的投影圖為 (填標(biāo)號(hào))。
19．（2025·北京朝陽·一模）碳元素具有豐富的化學(xué)性質(zhì)，碳及其化合物有著廣泛的應(yīng)用。
（1）能測(cè)定含碳化合物的骨架結(jié)構(gòu)。在基態(tài)原子中，核外存在 對(duì)自旋相反的電子。
（2）我國科學(xué)家利用與等活潑金屬反應(yīng)合成了金剛石，為金剛石的合成提供了重要的研究思路。
①第一電離能由大到小的順序?yàn)? 。
②的鍵是由碳的 軌道與氯的軌道重疊形成鍵。
（3）早期以石墨為原料在高溫高壓條件下合成金剛石。圖a為金剛石晶胞，圖b為石墨的層狀結(jié)構(gòu)(虛線所示部分為其晶胞，如圖c所示)。
①石墨晶胞所含碳原子數(shù)為 。
②金剛石的密度為，晶胞形狀為立方體，邊長為，阿伏加德羅常數(shù)的值為 (用含的關(guān)系式表示)。
（4）碳在物質(zhì)轉(zhuǎn)化中起著重要作用。與較難發(fā)生反應(yīng)：，加碳生成可使反應(yīng)得以進(jìn)行。解釋加碳反應(yīng)更易進(jìn)行的原因： 。
20．（2025·天津河西·一模）硼(B)及其化合物在化學(xué)中有重要的地位?；卮饐栴}：
（1）Ga與B同主族，Ga的基態(tài)原子價(jià)層電子排布式為 ，第一電離能大小順序?yàn)椋篏a B(填“>”或“12-冠-4
冠醚空腔直徑大小不同
選項(xiàng)
實(shí)例
解釋
A
原子光譜是不連續(xù)的線狀譜線
原子的能級(jí)是量子化的
B
鍵角：NH3 > H2O
孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)的斥力小于成鍵電子對(duì)之間的斥力
C
沸點(diǎn)：CO > N2
CO為極性分子，N2為非極性分子
D
酸性：CF3COOH>CH3COOH
電負(fù)性F>H，CF3COOH羧基中羥基的極性更大