一、單選題
1．被譽為第三代半導體材料的氮化鎵（GaN）硬度大、熔點高，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用前景廣闊。一定條件下由反應：制得GaN，下列敘述不正確的是( )
A.GaN為共價晶體
B.分子的VSEPR模型是三角錐形
C.基態(tài)Ga原子的價層電子排布式為
D.已知GaN和AlN的晶體類型相同，則熔點：GaNO>N>S
B.第一電離能：F>N>O>S
C.S原子核外有6種運動狀態(tài)不同的電子
D.該分子中S原子的價層電子對數(shù)為4
3．下列關于、和的說法正確的是( )
A.為分子晶體
B.為非極性分子
C.的VSEPR構型為V形
D.基態(tài)Cl原子的核外電子有17種空間運動狀態(tài)
4．下列化學用語表達正確的是( )
A.基態(tài)離子的價電子排布圖為
B.N，N-二甲基苯甲酰胺的結構簡式：
C.分子的球棍模型：
D.的電子式：
5．X、Y、Z、W、Q五種元素的原子序數(shù)依次增大。甲、乙、丙、丁、戊為這些元素形成的化合物，R、T為其中兩種元素對應的單質(zhì)，T為紫紅色金屬，甲的水溶液顯弱堿性，丁為常見無色透明且有特殊香味的液體。它們之間的轉(zhuǎn)化關系如圖。下列說法錯誤的是( )
A.第一電離能：Z>W>Y
B.電負性：W>Z>Y>X
C.X、Y、Z、W四種元素不能組成兩性化合物
D.X、Y、Z、Q分屬于元素周期表3個不同的分區(qū)
6．下列分子中，所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結構的是( )
A.六氟化硫B.五氯化磷
C.三氯化硼D.二氯化二硫
7．X、Y、Z、W、Q五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大。X元素基態(tài)原子電子排布式為，Y元素的第一電離能大于同周期相鄰元素的第一電離能，Z元素基態(tài)原子2p軌道有一個未成對電子，W元素基態(tài)原子s能級上的電子總數(shù)與p能級上電子總數(shù)相等，Q是地殼中含量最多的金屬元素。下列說法不正確的是( )
A.最高價氧化物對應水化物的堿性：
B.Y和原子序數(shù)為51的元素位于同一主族
C.同周期元素中Z的第一電離能最大
D.X、Q的氧化物、氫氧化物都有兩性
8．某種鎂鹽具有良好的電化學性能，其陰離子結構如圖所示。W、X、Y、Z、Q是核電荷數(shù)依次增大的短周期元素，W、Y原子序數(shù)之和等于Z，Y原子價電子數(shù)是Q原子價電子數(shù)的2倍。下列說法正確的是( )
A.該陰離子中含有配位鍵
B.第一電離能Z>X>Y
C.W與X形成的最簡單化合物為極性分子
D.可以通過電解Q氯化物的方法制備Q
9．X、Y、Z、W四種短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。X、Y與Z位于同一周期，且只有X、Y元素相鄰。X基態(tài)原子的最外層有4個電子，W原子在同周期中原子半徑最大。下列說法錯誤的是( )
A.第一電離能：Y>Z>X
B.電負性：Z>Y>X>W
C.Z、W原子形成稀有氣體電子構型的簡單離子的半徑：WX>Y
B.基態(tài)Q原子的價層電子排布式為
C.簡單氧化物中離子鍵成分的百分數(shù)：WKB.銣原子核外電子運動狀態(tài)有37種
C.單質(zhì)沸點：Rb>NaD.Rb是第五周期第ⅠA族元素
20．酯在堿性條件下發(fā)生水解反應的歷程如圖，下列說法正確的是( )
A.反應①為該反應的決速步
B.若用進行標記，反應結束后醇和羧酸鈉中均存在
C.該反應歷程中碳原子雜化方式?jīng)]有發(fā)生改變
D.反應①中攻擊的位置由碳和氧電負性大小決定
21．一種用于合成治療免疫疾病藥物的物質(zhì)，其結構如圖所示，其中X、Y、Z、Q、W為1~20號元素且原子序數(shù)依次增大，Z與Q同主族，Q和W的簡單離子具有相同的電子層結構。下列敘述正確的是( )
A.WX是共價化物
B.該物質(zhì)中所有原子都滿足8電子結構
C.該物質(zhì)中兩個Y原子的雜化方式相同
D.電負性順序為Z>Y>X
三、填空題
22．鈷及其化合物應用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：
（1）C元素在元素周期表中位于第_______周期第_______族，基態(tài)C原子的價層電子排布式為________。
（2）可由5—氰基四唑（結構簡式如圖）和反應制備起爆藥CP。
①5一氰基四唑分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_____，C原子的雜化方式為__________。
②在配合物中，中心原子的配位數(shù)為_________，鈷元素的化合價為_________，的空間構型為_________。
23．根據(jù)原子核外電子排布規(guī)則，回答下列問題：
(1)基態(tài)原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是____________，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為____________。
(2)寫出基態(tài)原子的價電子排布式：____________________________；
(3)寫出基態(tài)的原子核外電子排布圖：____________________________；
(4)若將基態(tài)的電子排布式寫成，則它違背了_____________________；
(5)比的穩(wěn)定性更___________(填“強”或“弱”)，從結構上分析原因是________________________________________________________________；
(6)元素被科學家稱之為人體微量元素中的“防癌之王”，其原子的價層電子排布式為，該元素的名稱是___________。
24．某些過渡金屬（如鈦、銅）及其化合物，以其高導電性和豐富的物理化學性質(zhì)在材料領域大放異彩。
（1）鈦比鋼輕、比鋁硬?；鶓B(tài)鈦原子的價層電子排布式為_______：鈦原子核外電子占據(jù)的軌道數(shù)_______。
（2）銅的下列狀態(tài)中，失去最外層一個電子所需能量最小的是_______。
A.B.C.D.
（3）二氧化鈦是良好的光催化劑，可催化轉(zhuǎn)化多種有毒物質(zhì)，如：可將水中的轉(zhuǎn)化為，將甲基橙、亞甲基藍、HCHO轉(zhuǎn)化為等。
①的空間構型是_______。
②甲基橙、亞甲基藍中C原子的雜化類型有_______，
③常溫下，、HCHO在水中溶解度之比大約是1：500，其主要原因是_______。
（4）黃銅礦煉銅過程中會產(chǎn)生，與互為等電子體的分子和陰離子分別為_______（各寫一種即可）。
（5）鈣鈦礦型太陽能電池近年越來越受到科學界的關注，其效率提升速度超越過去任何一類電池。某種鈣鈦礦晶胞如圖所示，則鈣原子的配位數(shù)是_______，若阿伏加德羅常數(shù)的值為，晶胞中鈣原子與氧原子的最近距離為apm。則該晶胞的密度為_______（列出計算式）
四、實驗題
25．三氯化硼可用于制造高純硼、氮化硼及硼烷化合物，也可用作半導體硅的摻雜源或有機合成催化劑等，是一種重要的化工原料。實驗室采用三氟化硼與氯化鋁加熱的方法制備三氯化硼，裝置如圖所示(夾持裝置及加熱裝置略)。
已知:
Ⅰ.易與水反應，易水解，沸點低、易升華；
Ⅱ.部分物質(zhì)的沸點如表所示:
（1）形成分子時，基態(tài)B原子價電子層上的電子先進行激發(fā)，再進行雜化，激發(fā)時B原子的價電子軌道表示式為_______(填序號)。
A.B.
C.D.
（2）將氟硼酸鉀和硼?一起研磨均勻加入A中的圓底燒瓶，滴入濃硫酸并加熱，除產(chǎn)生氣體外，還生成一種酸式鹽，反應的化學方程式為______________________________________。
（3）裝置C中儀器是將規(guī)格為的圓底燒瓶與的蒸餾燒瓶的底部熔接在一起，再將玻璃管插到圓底燒瓶的底部，這樣做的目的是______________________________________。
（4）該套裝置設計上有一處明顯缺陷，改進方法是___________________________（用文字描述）。
（5）產(chǎn)品中氯元素含量的測定:
稱取a g產(chǎn)品置于蒸餾水中完全水解，并配成溶液，準確量取溶液于錐形瓶中。向其中加入過量的溶液，然后加入硝基苯(常溫常壓下，密度為1.205振蕩，靜置后向錐形瓶中滴加3滴溶液，然后逐滴加入標準溶液進行滴定，到達滴定終點時消耗標準溶液的體積為。[已知：常溫下，
①步驟中加入硝基苯的目的是______________________________________。
②該產(chǎn)品中氯元素的質(zhì)量分數(shù)為_______；若到達滴定終點時仰視讀數(shù)，則測得產(chǎn)品中氯元素的質(zhì)量分數(shù)_________(填“偏高”、“偏低”或“無影響”)。
參考答案
1．答案：B
解析：A.GaN具有硬度大、熔點高的特點，為半導體材料，GaN屬于共價晶體，A項正確；
B.分子中N的價層電子對數(shù)為3+×（5-3×1）=4，分子的VSEPR模型為四面體形，B項錯誤；
C.Ga原子核外有31個電子，基態(tài)Ga原子核外電子排布式為，基態(tài)Ga原子的價層電子排布式為，C項正確；
D.GaN和AlN都屬于共價晶體，原子半徑：Ga>Al，共價鍵鍵長：Ga-N鍵>Al-N鍵，鍵能：Ga-N鍵N>S，A項正確；
B.N原子最外層能級達到半充滿結構，第一電離能大于右鄰元素，同主族從上至下，第一電離能逐漸減小，第一電離能：F>N>O>S，B項正確；
C.每個電子運動狀態(tài)不同，S原子有16種不同運動狀態(tài)的電子，C項錯誤；
D.由圖可知，該分子中S原子形成4個σ鍵，且沒有孤電子對，價層電子對數(shù)為4，D項正確；
故選C。
3．答案：A
解析：A.常溫下為氣體，屬于分子晶體，故A正確；
B.為折線形結構，正負電荷中心不重合，為極性分子，故B錯誤；
C.的價層電子對數(shù)，VSEPR構型為平面三角形，故C錯誤；
D.基態(tài)氯原子中核外電子空間運動狀態(tài)有1s，2s，3s分別有一種，2p和3p各有3種，共有3+3+3=9種，故D錯誤；
故選：A。
4．答案：B
解析：A.基態(tài)離子的價電子排布式為，排布圖為，A錯誤；
B.N，N-二甲基苯甲酰胺的結構簡式正確，B正確；
C.圖示為臭氧分子的VSEPR模型，C錯誤；
D.是由鈣離子和過氧根離子構成的，過氧根電子式寫錯了，D錯誤；
故選B。
5．答案：C
解析：A.同一周期，第一電離能從左到右呈增大趨勢，但是基態(tài)N原子最高能級電子半滿，更穩(wěn)定，第一電離能大于相鄰元素，故第一電離能N>O>C，故A正確；
B.元素非金屬性越強，電負性越大，故電負性O>N>C>H，B正確；
C.H、C、N、O可以形成氨基酸，其中氨基有堿性，羧基有酸性，四種元素可以組成兩性化合物，C錯誤；
D.H屬于S區(qū)，C、N屬于p區(qū)，Cu屬于d區(qū)，X、Y、Z、Q分屬于元素周期表3個不同的分區(qū)，D正確；
錯誤的選C。
6．答案：D
解析：A.中S元素化合價為+6，S原子最外層電子數(shù)為6，所以6+6=12，S原子不滿足8電子結構；F元素化合價為-1，F(xiàn)原子最外層電子數(shù)為7，所以1+7=8，F(xiàn)原子滿足8電子結構，A項錯誤；
B.中P元素化合價為+5，P原子最外層電子數(shù)為5，所以5+5=10，P原子不滿足8電子結構；Cl元素化合價為-1，Cl原子最外層電子數(shù)為7，所以1+7=8，Cl原子滿足8電子結構，B項錯誤；
C.中B元素化合價為+3，B原子最外層電子數(shù)為3，所以3+3=6，B原子不滿足8電子結構；Cl元素化合價為-1，Cl原子最外層電子數(shù)為7，所以1+7=8，Cl原子滿足8電子結構，C項錯誤；
D.中S元素化合價為+1，S原子最外層電子數(shù)為6，所以2+6=8，S原子滿足8電子結構；Cl元素化合價為-1，Cl原子最外層電子數(shù)為7，所以1+7=8，Cl原子滿足8電子結構，D項正確；
答案選D。
7．答案：C
解析：X、Y、Z、W、Q五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，X元素基態(tài)原子電子排布式為，n=2，則X為Be元素；Q是地殼中含量最多的金屬元素，則Q為Al元素；Y元素的第一電離能大于同周期相鄰元素的第一電離能，Y位于IIA或VA族，且原子序數(shù)介于Be，O之間，則Y元素為N元素，W元素基態(tài)原子s能級上的電子總數(shù)與p能級上電子總數(shù)相等，W原子核外電子排布式為，則W為Mg元素；Z元素基態(tài)原子2p軌道有一個未成對電子，且原子序數(shù)介于O、Al之間，Z原子核外電子排布式為，則Z為F元素；
A.金屬性：BeO>C，B錯誤；W與X的最簡單化合物為甲烷，為非極性分子，C錯誤；氯化鋁是共價化合物，熔融后導電性差，常用電解熔融氧化鋁的方法制備鋁，D錯誤。
9．答案：A
解析：A.同一周期隨著原子序數(shù)變大，第一電離能變大，N的2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，第一電離能：F>N>C，A錯誤；
B.同周期從左到右，金屬性減弱，非金屬性變強，元素的電負性變強；同主族由上而下，金屬性增強，非金屬性逐漸減弱，元素電負性減弱；電負性：F>N>C>Na，B正確；
C.電子層數(shù)越多半徑越大，電子層數(shù)相同時，核電荷數(shù)越大，半徑越小；Z、W原子形成稀有氣體電子構型的簡單離子的半徑：，C正確；
D.與水反應生成產(chǎn)物之一為乙炔，乙炔是非極性分子，D正確；
故選A。
10．答案：B
解析：W、X、Y、Z分別為H、C、Mg、Cl，該物質(zhì)為格氏試劑。
A項，電負性：。
C項，中，H未滿足8電子穩(wěn)定結構。
D項，電解熔融才可得到Mg和。
11．答案：D
解析：s電子云輪廓圖呈球形，不代表電子繞核做圓周運動，A項錯誤；電子云圖中的小黑點密度大，說明電子在該處出現(xiàn)的機率大，B項錯誤；p電子的電子云輪廓圖呈啞鈴形，C項錯誤；3d表示3d能級上有3個電子，原子軌道有5個，電子排布圖為，D項正確。
12．答案：D
解析：A.同一周期從左到右元素的電負性逐漸增大，同一主族從上到下元素的電負性逐漸減小，則電負性：O>C>H，A錯誤；
B.由分析知，Q為Al，則基態(tài)Al原子的價層電子排布式為，B錯誤；
C.Na比Al活潑，因此簡單氧化物中離子鍵成分的百分數(shù)：Na>Al，C錯誤；
D.該抑酸劑的化學式為，1ml最多可消耗4ml，D正確；
故選D。
13．答案：C
解析：A.和都是sp3雜化，但是中有一對孤電子對，孤電子對對成鍵電子對的排斥作用更大，在一個是三角錐形結構，而是正四面體結構，故鍵角：X>Z，B錯誤；
C.同主族元素從上到下第一電離能減小，同周期從左到右第一電離能有增大的趨勢，故第一電離能：N>O>Mn，C正確；
D.Z的最高價氧化物對應的水化物為，X最高價氧化物對應的水化物為，前者為中強酸而后者為強酸，D錯誤；
故選C。
14．答案：A
解析：A項，核外電子排布相同的離子，核電荷數(shù)越大，對核外電子的吸引能力越強，半徑越小，故，正確；B項，F(xiàn)的非金屬性強于O，故電負性，錯誤；C項，電離能，錯誤；D項，Na的金屬性強于Al，故堿性NaOH強于，錯誤。
15．答案：C
解析：A.Ni元素原子序數(shù)為28，基態(tài)原子的價電子排布式為，A正確；
B.該晶胞中La原子個數(shù)為8×=1，Ni原子個數(shù)為8×+1=5，則La、Ni原子個數(shù)之比為1：5，化學式為，B正確；
C.晶胞底面為兩個正三角形組成的菱形，Ni原子處于兩個正三角形的中心，則晶胞底面上Ni的原子坐標為系（，，0）或（，，0），C錯誤；
D.設晶胞體積為V，該晶胞密度為，假定吸氫后體積不變，當晶胞中最多容納9個氫原子時合金中氫的密度最大，氫的密度為，D正確；
本題選C。
16．答案：C
解析：p能級的軌道相互垂直，能量相同，A錯誤；s軌道只有1個伸展方向，有的共價鍵沒有方向性，如H—H鍵，B錯誤；元素周期表中，氫元素也位于s區(qū)，D錯誤。
17．答案：CD
解析：
18．答案：AB
解析：
19．答案：BD
解析：A.同主族從上到下第一電離能逐漸減小，因此第一電離能：Rb＜K；故A錯誤；
B.一個電子是一種運動狀態(tài)，因此銣原子核外電子運動狀態(tài)有37種，故B正確；
C.堿金屬熔沸點從上到下逐漸降低，因此單質(zhì)沸點：Rb＜Na，故C錯誤；
D.Rb元素是37號元素，其核外電子排布為2、8、18、8、1，則Rb是第五周期第ⅠA族元素，故D正確。
綜上所述，答案為BD。
20．答案：AD
解析：A.反應歷程中最慢的一步是整個反應的決速步，結合圖示可知，反應①為該反應的決速步，A正確；
B.反應①斷開了酯基的碳氧雙鍵結合，反應②斷裂出原酯基中的-OR’，反應③轉(zhuǎn)移了氫離子得到醇R’OH，反應④生成羧酸鈉沒有轉(zhuǎn)移氧原子，故反應結束后醇中不均存在，B錯誤；
C.反應①酯基中的碳從雜化生成連接四個單鍵的雜化，后經(jīng)過反應②又生成羧基，恢復雜化，故該反應歷程中碳原子雜化方式有發(fā)生改變，C錯誤；
D.反應①中帶負電，攻擊的位置由碳和氧電負性大小決定，攻擊電負性較弱在成鍵后電子云密度較小的碳原子，D正確；
故選AD。
21．答案：D
解析：
22．答案：（1）四；Ⅷ；
（2）①2：1；、sp
②6：+3：正四面體
解析：
23．答案：(1) 2p；啞鈴/紡錘
(2)
(3)
(4)泡利不相容原理
(5)強；的價電子排布式為，的價電子排布式為的3d軌道是半充滿、處于穩(wěn)定結構
(6)硒
24．答案：（1）；12
（2）A
（3）平面三角形；；HCHO能與形成氫鍵而不能，HCHO和為極性分子，為非極性分子，根據(jù)相似相溶原理，HCHO更易溶于水
（4）
（5）12；
解析：
25．答案：（1）C
（2）(濃)
（3）避免大量升華，起到冷凝作用
（4）D、E之間增加一個氣體干燥裝置
（5）①覆蓋，防止部分轉(zhuǎn)化成
②；偏低
解析：（1）基態(tài)B原子的核外價電子排布式為，形成分子時，基態(tài)B的價電子先激發(fā)為，軌道表示式為，C正確；
（2）裝置A中發(fā)生的反應為非氧化還原反應，且產(chǎn)生一種酸式鹽，可判斷酸式鹽為，氣體為，B元素與元素的比例為1:3，故每個需要6個F原子，每個除本身B結合3個F外，還能給出1個F，故所需為6個，可寫出化學方程式為:，故答案為:；
（3）將的圓底燒瓶與的蒸餾燒瓶的底熔接在一起，增加整個裝置的高度，起到冷凝的作用，可避免大量升華，進入U形管中，故答案為:避免大量升華，起到冷凝器作用：
（4）因易水解，所以之間增加一個氣體干燥裝置：
（5）步驟中加入硝基苯的目的是包住沉淀，若不加硝基苯，則沉淀部分轉(zhuǎn)化為，滴定時消耗標準溶液的體積可能偏大：根據(jù)離子反應可知:溶液中含，則產(chǎn)品中的質(zhì)量分數(shù)為
；到達滴定終點時仰視讀數(shù)，變大，氯的質(zhì)量分數(shù)偏低。
物質(zhì)
沸點/℃
-101
12.5
180

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